盆栽霍山石斛種植方法
現(xiàn)在很多朋友都很喜歡自己在家種植霍山石斛,不僅美觀漂亮,還可以食用,但是并不知道在霍山石斛種植過(guò)程的一些方法,下面是學(xué)習(xí)啦小編精心為你整理的盆栽霍山石斛種植方法,一起來(lái)看看。
盆栽霍山石斛種植方法
分株繁殖:
選擇生長(zhǎng)較密的值株.開(kāi)過(guò)花后.將其從盆中取出,除去老很從叢生莖的基部切開(kāi),分切時(shí)盡最少傷根系,只掩剪開(kāi)相互連接的很狀呈部位,根部用手位開(kāi),不必用刀切。以主株為一組,再將老根進(jìn)一步剪除。將新芽靠近盆中央,填入新的基質(zhì)并壓實(shí),即成新的植株。
分芽繁殖:
盆裁3年以上的植株或部分秋石斛莖的頂部或基部長(zhǎng)有小植株時(shí),可以進(jìn)行切芽繁殖。選擇具有3~4片葉,2~3條根,根長(zhǎng)4~5厘米的小植株,從母株上切下,用草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口,將苗植入盆中即可。汪意要淺植。栽培2年后一般可開(kāi)花成為商品花。
扦插繁殖:
扦插繁殖可以結(jié)合花后換盆和分株時(shí)一起進(jìn)行。石觸蘭多具有細(xì)長(zhǎng)、帶肉質(zhì)的莖,莖上有許多節(jié),節(jié)上能長(zhǎng)芽,所以能用扦播繁殖。選擇未開(kāi)花且較充實(shí)的整做播條,將技條切成數(shù)段,每段具2~3個(gè)節(jié),在傷口上涂上草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口。將莖一段一段地插入苔蘚和泥炭混合的基質(zhì)中,一半露在外面,放于半陰、潮濕處。插后1周不必澆水,然后經(jīng)常噴霧保濕,適當(dāng)遮陰。經(jīng)過(guò)1~2個(gè)月,在節(jié)部有新芽長(zhǎng)出,新芽下部長(zhǎng)出2~3條小根形成新的植株。將新植株連向老莖一起上盆,栽培2~3年可開(kāi)花。扦插時(shí)間以4~8月為好。
栽培石斛通常選用四壁多孔的塑料或陶瓷花盆,用松樹(shù)皮塊、花生殼、鋸末、木炭塊等作盆栽材料。根據(jù)石斛苗的大小,選擇不同規(guī)格的花盆,但不宜用大盆栽小苗口上述栽好材料在使用前必需在清水中浸泡1天以上備用。盆底要多墊大瓦片或碎磚塊,深度至盆底約1/3處,然后將石斛苗放于盆中央,并在一旁插一細(xì)竹竿以固定石斛苗,再填入其他栽培材料,注意根與根之間用材料隔開(kāi),輕輕將材料壓緊口栽好的蘭盆先放在陰涼陰涼并有散射光處,僅向葉面上噴些水,勿向盆內(nèi)澆水。約10~15天后,待萌發(fā)出新根后兩移至陰棚下養(yǎng)護(hù)。生長(zhǎng)季節(jié)澆水要干濕相間保持適度干薄餅肥水。生長(zhǎng)旺盛期樹(shù)每天澆水一次,干旱季節(jié)和炎夏還需經(jīng)常在花盆四周地面上噴水,以保持較高的空氣濕度,并要注意通風(fēng)良好。冬季休眠期應(yīng)少澆水。石斛忌強(qiáng)光直射,春秋兩季早上可見(jiàn)陽(yáng)光,冬季可置光照充足處,其他時(shí)間置于具有明亮散射光而又通風(fēng)的地方。越冬溫度保持在8~10℃即可。
霍山石斛種植技術(shù)
鐵皮石斛種植應(yīng)選擇有清潔水源通風(fēng)的陽(yáng)坡、半陽(yáng)坡為宜,種植鐵皮石斛光照一般為漫射光和散射光,光照強(qiáng)度在3000—5000lux。生長(zhǎng)溫度要求在8—32℃之間,生長(zhǎng)期在25℃左右,高溫季節(jié)在通風(fēng)條件好的情況下可達(dá)32℃左右,但時(shí)間不能過(guò)長(zhǎng)。冬季要求在8℃以上,無(wú)霜期250—300天以上。
石斛生長(zhǎng)發(fā)育需要較高的空氣濕度,但又不耐水淹,根際水分過(guò)重根系就會(huì)腐爛,一般根際周?chē)暮繎?yīng)該在30%左右。石斛種植應(yīng)該保持良好地通風(fēng),通風(fēng)不良可能會(huì)導(dǎo)致莖條細(xì)弱,病蟲(chóng)害嚴(yán)重。
選擇環(huán)境空氣質(zhì)量好,周?chē)鸁o(wú)產(chǎn)礦,通風(fēng)良好的地方,對(duì)于鐵皮石斛的生長(zhǎng)發(fā)育有著極其重要的作用。
此外還得給石斛提供高基質(zhì)的土壤,施用有機(jī)肥能增加土壤中各種糖類(lèi)。有了糖類(lèi),有機(jī)物在降解中就能釋放大量能量,土壤微生物的生長(zhǎng)、發(fā)育、繁殖活動(dòng)就有了能源。這樣就能為鐵皮石斛提供更多的根際微生物種群,石斛生長(zhǎng)的也就越健壯,產(chǎn)量就越高。
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