內存知識大全

　　內存是計算機中重要的部件之一，它是與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程序的運行都是在內存中進行的，因此內存的性能對計算機的影響非常大。下面是學習啦小編為你整理的內存知識全面解析，供大家參考和學習，希望在學習之后能對你有所幫助。

　　1. 內存的CL值和內存延遲：

　　CL是CAS Latency的縮寫，是內存性能的一個重要指標，它是內存縱向地址脈沖的反應時間。當電腦需要向內存讀取數(shù)據(jù)時，在實際讀取之前一般都有一個“緩沖期”，而“緩沖期”的時間長度，就是這個CL了。

　　內存延遲表示系統(tǒng)進入數(shù)據(jù)存取操作就緒狀態(tài)前等待內存相應的時間，它通常用4個連著的阿拉伯數(shù)字來表示，例如“3-4-4-8”。其中第一個數(shù)字表示內存讀取數(shù)據(jù)所需的延遲時間(CAS Latency)，即我們常說的CL值;第二個數(shù)字表示從內存行地址到列地址的延遲時間(tRCD);第三個數(shù)字表示內存行地址控制器預充電時間(tRP)，即內存從結束一個行訪問到重新開始的間隔時間;第四個數(shù)字表示內存行地址控制器激活時間(tRAS)。一般來說，這4個數(shù)字越小，表示內存性能越好。

　　2. 為什么DDR2-667的主頻是667MHz，而工作頻率卻是333MHz?

　　內存主頻和CPU主頻一樣，習慣上被用來表示內存的速度，它代表著該內存所能達到的最高工作頻率。內存主頻是以MHz(兆赫)為單位來計量的。內存主頻越高在一定程度上代表著內存所能達到的速度越快。內存主頻決定著該內存最高能在什么樣的頻率正常工作。

　　計算機系統(tǒng)的時鐘速度是以頻率來衡量的。晶體振蕩器控制著時鐘速度，在石英晶片上加上電壓，其就以正弦波的形式震動起來，這一震動可以通過晶片的形變和大小記錄下來。晶體的震動以正弦調和變化的電流的形式表現(xiàn)出來，這一變化的電流就是時鐘信號。而內存本身并不具備晶體振蕩器，因此內存工作時的時鐘信號是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時鐘發(fā)生器提供的，也就是說內存無法決定自身的工作頻率，其實際工作頻率是由主板來決定的。

　　一般情況下內存的工作頻率是和主板的外頻相一致的，通過主板調節(jié)CPU的外頻也就調整了內存的實際工作頻率。內存工作時有兩種工作模式，一種是同步工作模式，此模式下內存的實際工作頻率與CPU外頻一致，這是大部分主板所采用的默認內存工作模式。另外一種是異步工作模式，這樣允許內存的工作頻率與CPU外頻可存在一定差異，它可以讓內存工作在高出或低于系統(tǒng)總線速度33MHz，又或者讓內存和外頻以3：4、4：5等定比例的頻率上。利用異步工作模式技術就可以避免以往超頻而導致的內存瓶頸問題。

　　PS：DDR2-533，DDR2-667，DDR2-800等規(guī)格的內存，位寬是64bit，

　　工作頻率分別是266MHz，333MHz，400MHz，

　　分別提供每秒4.3GB，5.3GB,6.4GB的帶寬。

　　3. DDR、DDR2和DDR3內存介紹和比較：

　　(1)DDR的定義：

　　嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，部分初學者也?？吹紻DR SDRAM，就認為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系。

　　SDRAM在一個時鐘周期內只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時鐘的上升期進行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內存則是一個時鐘周期內傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。DDR內存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。

　　(2)DDR2的定義：

　　DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(電子設備工程聯(lián)合委員會)進行開發(fā)的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力(即：4bit數(shù)據(jù)預讀取)。換句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。

　　要注意的是：DDR2不兼容DDR，除非主板標明同時支持。

　　(3)DDR3內存：

　　DDR3可以看作DDR2的改進版。

4. ECC內存

　　ECC內存即糾錯內存，簡單的說，其具有發(fā)現(xiàn)錯誤，糾正錯誤的功能，一般多應用在高檔臺式電腦/服務器及圖形工作站上，這將使整個電腦系統(tǒng)在工作時更趨于安全穩(wěn)定。

　　ECC內存在數(shù)據(jù)位上的額外的位存儲一個用數(shù)據(jù)加密的代碼。當數(shù)據(jù)被寫入內存，相應的ECC代碼與此同時也被保存下來。當重新讀回剛才存儲的數(shù)據(jù)時，保存下來的ECC代碼就會和讀數(shù)據(jù)時產(chǎn)生的ECC代碼做比較。如果兩個代碼不相同，他們則會被解碼，以確定數(shù)據(jù)中的那一位是不正確的。然后這一錯誤位會被拋棄，內存控制器則會釋放出正確的數(shù)據(jù)。被糾正的數(shù)據(jù)很少會被放回內存。假如相同的錯誤數(shù)據(jù)再次被讀出，則糾正過程再次被執(zhí)行。重寫數(shù)據(jù)會增加處理過程的開銷，這樣則會導致系統(tǒng)性能的明顯降低。如果是隨機事件而非內存的缺點產(chǎn)生的錯誤，則這一內存地址的錯誤數(shù)據(jù)會被再次寫入的其他數(shù)據(jù)所取代。

　　使用ECC校驗的內存，會對系統(tǒng)的性能造成不小的影響，不過這種糾錯對服務器等應用而言是十分重要的，帶ECC校驗的內存價格比普通內存要昂貴許多。

　　5. GDDR和DDR的區(qū)別

　　顯卡和主板上都有“內存”，不過主板上的那種被稱為內存條，而顯卡上的被稱為顯存。一般顯卡用的被稱為GDDR，高端顯卡需要比系統(tǒng)內存更快的存儲器，所以顯卡廠商轉向使用DDR2和DDR3技術。顯卡用的DDR與主板上的DDR有所不同，其中最主要的是電壓不同。因此顯卡用的被稱為GDDR2和GDDR3，以示區(qū)別(這里“G”是英文顯卡的單詞Graphics的縮寫)。另外由于GDDR2的工作頻率比系統(tǒng)內存的DDR2高很多，所以它用的工作電壓不是1.8伏而是2.5伏，發(fā)熱量比較大。

　　6. 內存封裝技術

　　(1)DIP封裝技術

　　上個世紀的70年代，芯片封裝基本都采用DIP(Dual ln-line Package，雙列直插式封裝)封裝，此封裝形式在當時具有適合PCB(印刷電路板)穿孔安裝，布線和操作較為方便等特點。DIP封裝的結構形式多種多樣，包括多層陶瓷雙列直插式DIP，單層陶瓷雙列直插式DIP，引線框架式DIP等。但DIP封裝形式封裝效率是很低的，其芯片面積和封裝面積之比為1：1.86，這樣封裝產(chǎn)品的面積較大，內存條PCB板的面積是固定的，封裝面積越大在內存上安裝芯片的數(shù)量就越少，內存條容量也就越小。同時較大的封裝面積對內存頻率、傳輸速率、電器性能的提升都有影響。理想狀態(tài)下芯片面積和封裝面積之比為1：1將是最好的，但這是無法實現(xiàn)的，除非不進行封裝，但隨著封裝技術的發(fā)展，這個比值日益接近，現(xiàn)在已經(jīng)有了1：1.14的內存封裝技術。

　　(2)TSOP封裝技術

　　到了上個世紀80年代，內存第二代的封裝技術TSOP出現(xiàn)，得到了業(yè)界廣泛的認可，時至今日仍舊是內存封裝的主流技術。TSOP是“Thin Small Outline Package”的縮寫，意思是薄型小尺寸封裝。TSOP內存是在芯片的周圍做出引腳，采用SMT技術(表面安裝技術)直接附著在PCB板的表面。TSOP封裝外形尺寸時，寄生參數(shù)(電流大幅度變化時，引起輸出電壓擾動) 減小，適合高頻應用，操作比較方便，可靠性也比較高。同時TSOP封裝具有成品率高，價格便宜等優(yōu)點，因此得到了極為廣泛的應用。

　　TSOP封裝方式中，內存芯片是通過芯片引腳焊接在PCB板上的，焊點和PCB板的接觸面積較小，使得芯片向PCB辦傳熱就相對困難。而且TSOP封裝方式的內存在超過150MHz后，會產(chǎn)品較大的信號干擾和電磁干擾。

　　(3)TinyBGA封裝技術

　　TinyBGA技術是Kingmax的專利，于1998年8月開發(fā)成功。要了解TinyBGA技術，首先要知道BGA是什么，BGA是Ball-Gird-Array的英文縮寫，即球柵陣列封裝，是新一代的芯片封裝技術，它的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術的優(yōu)點是可增加I/O數(shù)和間距，消除高I/O數(shù)帶來的生產(chǎn)成本和可靠性問題。它已經(jīng)在筆記本電腦的內存、主板芯片組等大規(guī)模集成電路的封裝領域得到了廣泛的應用。

　　TinyBGA就是微型BGA的意思，TinyBGA英文全稱為Tiny Ball Grid Array(小型球柵陣列封裝)，其芯片面積與封裝面積之比不小于1：1.14，屬于BGA封裝技術的一個分支。該項革新技術的應用可以使所有計算機中的DRAM內存在體積不變的情況下內存容量提高兩到三倍，TinyBGA采用BT樹脂以替代傳統(tǒng)的TSOP技術，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。

　　TinyBGA封裝技術使每平方英寸的存儲量有了驚人的提升，在和128M TSOP封裝的144針SO-DIMM相同空間的PCB板上利用TinyBGA封裝方式可以制造256M內存。以相同大小的兩片內存模塊而言，TinyBGA封裝方式的容量比TSOP高一倍，但價格卻未有明顯變化。資料顯示，采用TinyBGA封裝技術的內存產(chǎn)品以相同容量比較，體積只有TSOP封裝的三分之一;當內存模組的制程直徑小于0.25 m時TinyBGA封裝的成本要小于TSOP封裝成本。

　　TinyBGA封裝內存的I/O端子是由芯片中心方向引出的，而TSOP則是由四周引出。這有效地縮短了信號的傳導距離，信號傳輸線的長度僅是傳統(tǒng)的TSOP技術的四分之一，因此信號的衰減便隨之減少。這樣不僅大幅度升芯片的抗干擾、抗噪性能，而且提高了電性能，采用TinyBGA封裝芯片可抗高達300MHz的外額，而采用傳統(tǒng)TSOP封裝最高只可抗150MHz的外額。而且，用TinyBGA封裝的內存，不但體積較之相同容量的TSOP封裝芯片小，同時也更薄(封裝高度小于0.8mm)，從金屬基板到散熱體的有效散熱路徑僅有0.36mm。于是，TinyBGA內存便擁有更高的熱傳導效率，非常適用于長時間運行的系統(tǒng)，穩(wěn)定性極佳。經(jīng)過反復測試顯示，TinyBGA的熱抗阻比TSOP的低75%。很明顯與傳統(tǒng)TSOP封裝方式相比，TinyBGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。

　　(4)BLP封裝技術

　　除了TinyBGA之外，BLP技術也是目前市場上常用的一種技術，BLP英文全稱為Bottom Leaded Plastic(底部引出塑封技術)，其芯片面積與封裝面積之比大于1：1.1，符合CSP(Chip Size Package)填封裝規(guī)范。不僅高度和面積極小，而且電氣特性得到了進一步的提高，制造成本也不高，廣泛用于SDRAM\RDRAM\DDR等新一代內存制造上。隨著由于BLP封裝中關鍵部件塑封基底價格的不斷下降，BLP封裝內存很快就會走入普通用戶的家庭

　　(5)CSP封裝技術

　　CSP(Chip Scale Package)，是芯片級封裝的意思。CSP封裝最新一代的內存芯片封裝技術，其技術性能又有了新的提升。CSP封裝可以讓芯片面積與封裝面積之比超過1:1.14，已經(jīng)相當接近1:1的理想情況，絕對尺寸也僅有32平方毫米，約為普通的BGA的1/3，僅僅相當于TSOP內存芯片面積的1/6。與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提高三倍。

　　CSP封裝內存不但體積小，同時也更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.2毫米，大大提高了內存芯片在長時間運行后的可靠性，線路阻抗顯著減小，芯片速度也隨之得到大幅度提高。

　　CSP封裝內存芯片的中心引腳形式有效地縮短了信號的傳導距離，其衰減隨之減少，芯片的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升，這也使得CSP的存取時間比BGA改善15%-20%。在CSP的封裝方式中，內存顆粒是通過一個個錫球焊接在PCB板上，由于焊點和PCB板的接觸面積較大，所以內存芯片在運行中所產(chǎn)生的熱量可以很容易地傳導到PCB板上并散發(fā)出去。CSP封裝可以從背面散熱，且熱效率良好，CSP的熱阻為35℃/W，而TSOP熱阻40℃/W。