在BIOS中優(yōu)化內(nèi)存的方法

　　內(nèi)存在電腦中的重要性和地位僅次于CPU，其品質(zhì)的優(yōu)劣對電腦性能有至關(guān)重要的影響。為充分發(fā)揮內(nèi)存的潛能，必須在BIOS設(shè)置中對與內(nèi)存有關(guān)的參數(shù)進行調(diào)整。下面學(xué)習(xí)啦小編就對目前的一系列型號的主板上的bios優(yōu)化內(nèi)存方法給大家做個詳細的介紹，供大家在優(yōu)化內(nèi)存上可以順利完成。

　　Intel 815E/815EP芯片組主板

　　在這類主板BIOS的Advanced Chipset Features(高級芯片組特性)設(shè)置頁面中一般包含以下內(nèi)存設(shè)置項：

　　Set SDRAM Timing By SPD(根據(jù)SPD確定內(nèi)存時序)

　　可選項：Disabled，Enabled。

　　SPD(Serial Presence Detect )是內(nèi)存條上一個很小的芯片，它存儲了內(nèi)存條的工作參數(shù)信息。如果使用優(yōu)質(zhì)的品牌內(nèi)存，則可以將DRAM Timing By SPD設(shè)置成Enabled，此時，就無需對下面介紹的BIOS內(nèi)存參數(shù)進行設(shè)置了，系統(tǒng)會自動根據(jù)SPD中的數(shù)據(jù)確定內(nèi)存的運行參數(shù)。有些兼容內(nèi)存的SPD是空的?或者感覺某些品牌內(nèi)存的SPD參數(shù)比較保守，想充分挖掘其潛能，則可以將該參數(shù)設(shè)置成Disabled，這時，就可以對以下的內(nèi)存參數(shù)進行調(diào)整了。

　　SDRAM CAS Latency Time(內(nèi)存CAS延遲時間)

　　可選項：2，3。

　　內(nèi)存CAS(Column Address Strobe，列地址選通脈沖)延遲時間控制SDRAM內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個時鐘周期才實際執(zhí)行該指令。同時該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鐘周期數(shù)。這個參數(shù)越小，則內(nèi)存的速度越快。在133MHz頻率下，品質(zhì)一般的兼容內(nèi)存大多只能在CAS=3下運行，在CAS=2下運行會使系統(tǒng)不穩(wěn)定、丟失數(shù)據(jù)甚至無法啟動。CAS延遲時間是一個非常重要的內(nèi)存參數(shù)，對電腦性能的影響比較大，Intel與VIA就PC133內(nèi)存規(guī)范的分歧也與此參數(shù)有關(guān)，Intel認為PC133內(nèi)存應(yīng)能穩(wěn)定運行于133MHz頻率、CAS=2下，而VIA認為PC133內(nèi)存能穩(wěn)定運行于133MHz頻率即可，并未特別指定CAS值，因此Intel的規(guī)范更加嚴格，一般只有品牌內(nèi)存才能夠滿足此規(guī)范，所以大家感覺Intel的主板比較挑內(nèi)存。

　　SDRAM Cycle Time Tras/Trc(內(nèi)存Tras/Trc時鐘周期)

　　可選項：5/7，7/9。

該參數(shù)用于確定SDRAM內(nèi)存行激活時間和行周期時間的時鐘周期數(shù)。Tras代表SDRAM行激活時間(Row Active Time)，它是為進行數(shù)據(jù)傳輸而開啟行單元所需要的時鐘周期數(shù)。Trc代表SDRAM行周期時間(Row Cycle Time)，它是包括行單元開啟和行單元刷新在內(nèi)的整個過程所需要的時鐘周期數(shù)。出于最佳性能考慮可將該參數(shù)設(shè)為5/7，這時內(nèi)存的速度較快，但有可能出現(xiàn)因行單元開啟時間不足而影響數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r，在SDRAM內(nèi)存的工作頻率高于100MHz時尤其是這樣，即使是品牌內(nèi)存大多也承受不了如此苛刻的設(shè)置。

　　SDRAM RAS-TO-CAS Delay(內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間)

　　可選項：2，3。

　　該參數(shù)可以控制SDRAM行地址選通脈沖(RAS，Row Address Strobe)信號與列地址選通脈沖信號之間的延遲。對SDRAM進行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。出于最佳性能考慮可將該參數(shù)設(shè)為2，如果系統(tǒng)無法穩(wěn)定運行則可將該參數(shù)設(shè)為3。

　　SDRAM RAS Precharge Time(內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時間)

　　可選項：2，3。

　　該參數(shù)可以控制在進行SDRAM刷新操作之前行地址選通脈沖預(yù)充電所需要的時鐘周期數(shù)。將預(yù)充電時間設(shè)為2可以提高SDRAM的性能，但是如果2個時鐘周期的預(yù)充電時間不足，則SDRAM會因無法正常完成刷新操作而不能保持數(shù)據(jù)。

　　Memory Hole At 15M-16M(位于15M～16M的內(nèi)存保留區(qū))

　　可選項： Disabled，Enabled。

　　一些特殊的ISA擴展卡的正常工作需要使用位于15M～16M的內(nèi)存區(qū)域，該參數(shù)設(shè)為Enabled就將該內(nèi)存區(qū)域保留給此類ISA擴展卡使用。由于PC'99規(guī)范已不再支持ISA擴展槽，所以新型的主板一般都沒有ISA插槽，因而應(yīng)將該參數(shù)設(shè)為Disabled。

　　System Memory Frequency(系統(tǒng)內(nèi)存頻率)

　　可選項：AUTO、100MHz、133MHz。

　　此項設(shè)置實現(xiàn)內(nèi)存異步運行管理功能。AUTO：根據(jù)內(nèi)存的特性自動設(shè)定內(nèi)存的工作頻率;100MHz：將內(nèi)存強制設(shè)定在100MHz頻率下工作;133MHz：將內(nèi)存強制設(shè)定在133MHz頻率下工作。

　　Memory Parity/ECC Check(內(nèi)存奇偶/ECC校驗)

　　可選項：Disabled，Enabled。

　　如果系統(tǒng)使用了ECC內(nèi)存，可以將該參數(shù)設(shè)為Enabled，否則一定要將該參數(shù)設(shè)成Disabled。ECC表示差錯校驗和糾正(Error Checking and Correction)?一般是高檔服務(wù)器內(nèi)存條所具備的功能，這種內(nèi)存條有實現(xiàn)ECC功能的內(nèi)存顆粒，使系統(tǒng)能夠檢測并糾正內(nèi)存中的一位數(shù)據(jù)差錯或者是檢測出兩位數(shù)據(jù)差錯。ECC功能可以提高數(shù)據(jù)的完整性和系統(tǒng)的穩(wěn)定性，這對服務(wù)器尤其重要，但ECC會造成一定的性能損失。

　　VIA芯片組主板

　　VIA芯片組主板一般比Intel芯片組主板內(nèi)存設(shè)置選項要豐富一些，在這類主板BIOS的Advanced Chipset Features(高級芯片組特性)設(shè)置頁面中一般包含以下內(nèi)存設(shè)置項：

　　Bank 0/1、2/3、4/5 DRAM Timing(內(nèi)存速度設(shè)定)

　　可選項：Turbo(高速)，F(xiàn)ast(快速)，Medium(中等)，Normal(正常)，SDRAM 8/10 ns。

　　該選項用于設(shè)定內(nèi)存的速度，對于SDRAM內(nèi)存條，設(shè)定為SDRAM 8/10 ns即可。

　　SDRAM Clock(內(nèi)存時鐘頻率)

　　可選項：HOST CLK，HCLK+33M(或HCLK-33M)。

　　該參數(shù)設(shè)置內(nèi)存的異步運行模式。HOST CLK表示內(nèi)存運行頻率等于系統(tǒng)的外頻，HCLK+33M表示內(nèi)存運行頻率等于系統(tǒng)外頻再加上33MHz，HCLK-33M表示內(nèi)存運行頻率等于系統(tǒng)外頻減去33MHz。如PentiumⅢ 800EB時，BIOS自動使該參數(shù)的可選項出現(xiàn)HOST CLK和HCLK-33M，如果使用PC133內(nèi)存，可以將該參數(shù)設(shè)為HOST CLK，如果使用PC100內(nèi)存，則可以將該參數(shù)設(shè)為HCLK-33M，這樣就可使系統(tǒng)配合性能較低的PC100內(nèi)存使用。內(nèi)存異步功能使系統(tǒng)對內(nèi)存的兼容性的提升是比較明顯的，也是VIA芯片組一項比較重要的功能。

　　Bank Interleave(內(nèi)存Bank交錯)

　　可選項：Disabled，2-Bank，4-Bank。

　　內(nèi)存交錯使SDRAM內(nèi)存各個面的刷新時鐘信與讀寫時鐘信號能夠交錯出現(xiàn)，這可以實現(xiàn)CPU在刷新一個內(nèi)存面的同時對另一個內(nèi)存面進行讀寫，這樣就不必花費專門的時間來對各個內(nèi)存面進行刷新。而且在CPU即將訪問的一串內(nèi)存地址分別位于不同內(nèi)存面的情況下，內(nèi)存面交錯使CPU能夠?qū)崿F(xiàn)在向后一個內(nèi)存面發(fā)送地址的同時從前一個內(nèi)存面接收數(shù)據(jù)，從而產(chǎn)生一種流水線操作的效果，提高了SDRAM內(nèi)存的帶寬。因此，有人甚至認為啟用內(nèi)存交錯對于系統(tǒng)性能的提高比將內(nèi)存CAS延遲時間從3改成2還要大。

　　不過，內(nèi)存交錯是一個比較高級的內(nèi)存設(shè)置選項，有一些采用VIA 694X芯片組的主板由于BIOS版本較舊，可能沒有該設(shè)置項，這時可以升級主板的BIOS。如果在最新版的BIOS中仍未出現(xiàn)該設(shè)置項，那就只有通過某些VIA芯片組內(nèi)存BANK交錯開啟軟件，如WPCREdit和相應(yīng)的插件(可以從"驅(qū)動之家"網(wǎng)站下載)來修改北橋芯片的寄存器，從而打開內(nèi)存交錯模式。

　　SDRAM Driver Strength(內(nèi)存訪問信號的強度)

　　可選項：Auto，Manual。

　　此選項用于控制內(nèi)存訪問信號的強度。一般情況下可以將該選項設(shè)置成Auto，此時芯片組承擔(dān)內(nèi)存訪問信號強度的控制工作并自動調(diào)整內(nèi)存訪問信號的強度以與電腦中安裝的內(nèi)存相適應(yīng)。如果需要超頻或排除電腦故障，則可以將該參數(shù)設(shè)為Manual，這時就可以手工調(diào)整SDRAM Driver Value(內(nèi)存訪問信號強度值)的數(shù)值。

　　SDRAM Driver Value(內(nèi)存訪問信號強度值)

　　可選項：00至FF(十六進制)。

　　該選項決定了內(nèi)存訪問信號強度的數(shù)值。要注意的是只有將SDRAM Driver Strength選項設(shè)為 Manual時，SDRAM Driver Value的數(shù)值才是有效的。SDRAM Driver Value的范圍是十六進制的00至FF，其數(shù)值越大，則內(nèi)存訪問信號的強度也越大。內(nèi)存對工作頻率是比較敏感的，當(dāng)工作頻率高于內(nèi)存的標稱頻率時，將該選項的數(shù)值調(diào)高，可以提高電腦在超頻狀態(tài)下的穩(wěn)定性。這種作法盡管沒有提高內(nèi)存的工作電壓(有一些超頻功能較強的主板可以調(diào)整內(nèi)存的工作電壓)，但在提高SDRAM Driver Value的數(shù)值時仍然要十分慎重，以免造成內(nèi)存條的損壞。

　　Fast R-W Turn Around(快速讀寫轉(zhuǎn)換)

　　可選項： Enabled，Disabled。

　　當(dāng)CPU先從內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)然后向內(nèi)存寫入數(shù)據(jù)時，通常存在額外的延遲，該參數(shù)可以降低這種讀寫轉(zhuǎn)換之間的延遲。將該參數(shù)設(shè)置成Enabled，可以降低內(nèi)存讀寫轉(zhuǎn)換延遲，從而使內(nèi)存從讀狀態(tài)轉(zhuǎn)入寫狀態(tài)的速度更快。然而，如果內(nèi)存不能實現(xiàn)快速讀寫轉(zhuǎn)換，則會造成數(shù)據(jù)丟失和系統(tǒng)不穩(wěn)定，這時就需要將該參數(shù)設(shè)置成Disabled。

　　注意：在BIOS中對內(nèi)存進行優(yōu)化設(shè)置可能會對電腦運行的穩(wěn)定性造成不良影響，所以建議內(nèi)存優(yōu)化后一定要使用測試軟件進行電腦穩(wěn)定性和速度的測試。如果您對自己內(nèi)存的性能沒有信心，那么最好采取保守設(shè)置，畢竟穩(wěn)定性是最重要的。如果因內(nèi)存優(yōu)化而出現(xiàn)電腦經(jīng)常死機、重啟動或程序發(fā)生異常錯誤等情況，只要清除CMOS參數(shù)，再次設(shè)置成系統(tǒng)默認的數(shù)值就可以了。