BIOS里面設(shè)置內(nèi)存的中英文對(duì)照

　　在BIOS里面怎么設(shè)置內(nèi)存，不少用戶都反映，在BIOS里面設(shè)置內(nèi)存的時(shí)候，選項(xiàng)都是英文，看不懂。下面學(xué)習(xí)啦小編就為大家介紹一下關(guān)于BIOS里面設(shè)置內(nèi)存的中英文對(duì)照吧，歡迎大家參考和學(xué)習(xí)。

　　BIOS中內(nèi)存設(shè)置的中英文對(duì)照：

　　Above 1MB Memory Test：設(shè)置開機(jī)自檢時(shí)是否檢測(cè)1M以上內(nèi)存。該選項(xiàng)已經(jīng)在新的BIOS中被淘汰。由于內(nèi)存價(jià)格暴跌，電腦用戶安裝內(nèi)存容量陡然增加，開機(jī)時(shí)的大容量?jī)?nèi)存自檢時(shí)間太長(zhǎng)，今后，即使一遍的內(nèi)存檢測(cè)可能也會(huì)出現(xiàn)允許/禁止開關(guān)。

　　Auto Configuration：設(shè)置為允許時(shí)，BIOS按照最佳狀態(tài)設(shè)置。BIOS可以自動(dòng)設(shè)置內(nèi)存定時(shí)，因此會(huì)禁止一些對(duì)內(nèi)存設(shè)置的修改，建議選擇允許方式。

　　Memory Test Tick Sound：是否發(fā)出內(nèi)存自檢的滴嗒聲。如果您閑它煩，可以關(guān)閉它們。

　　Memory Parity Error Check：設(shè)置是否要設(shè)置內(nèi)存奇偶校驗(yàn)。多在30線內(nèi)存條使用時(shí)代，已經(jīng)被淘汰。但把非奇偶校驗(yàn)內(nèi)存強(qiáng)行進(jìn)行奇偶校驗(yàn)設(shè)置會(huì)使電腦無法開機(jī)。

　　Cache Memory Controller：是否使用高速緩存。不在流行的Award BIOS中使用。

　　Shadow RAM Option：設(shè)置系統(tǒng)BIOS或顯示卡BIOS是否映射到常規(guī)內(nèi)存中?？梢约涌焖俣龋部赡茉斐伤罊C(jī)。

　　Internal Cache Memory：是否使用CPU內(nèi)部緩存(一級(jí)緩存)?？梢蕴岣呦到y(tǒng)性能。

　　External Cache Memory：是否使用CPU外部緩存(主板上的二級(jí)緩存)?？梢蕴岣呦到y(tǒng)性能。AMD新的具有兩級(jí)緩存的CPU的出現(xiàn)，使主板上的二級(jí)緩存退居成三級(jí)緩存。

　　Concurrent Refresh：直譯是同時(shí)發(fā)生的刷新。設(shè)置CPU在對(duì)其它I/O操作時(shí)對(duì)內(nèi)存同時(shí)刷新，可以提高系統(tǒng)性能。

　　DRAM Read Wait State：設(shè)置CPU從內(nèi)存讀數(shù)據(jù)時(shí)的等待時(shí)鐘周期。在內(nèi)存比CPU慢時(shí)可以設(shè)置更多的等待。

　　DRAM Write Wait State：設(shè)置CPU向內(nèi)存寫數(shù)據(jù)時(shí)的等待時(shí)鐘周期。在內(nèi)存比CPU慢時(shí)可以設(shè)置更多的等待。

　　Slow Refresh：對(duì)質(zhì)量好的內(nèi)存，保持?jǐn)?shù)據(jù)的時(shí)間比較長(zhǎng)，可以設(shè)置更長(zhǎng)的時(shí)間周期，從而提高系統(tǒng)性能。

　　Shadow Cachecable：把映射到常規(guī)內(nèi)存的BIOS ROM增加高速緩存，使性能更進(jìn)一步。

　　Page Mode：使內(nèi)存工作于Page Mode或Page Interleaved模式。

　　RAS Timeout Counter：使Page Mode或Page Interleaved模式的工作速度更快。因?yàn)橛锌赡軙?huì)超過內(nèi)存RAS周期，因此采用計(jì)數(shù)器來監(jiān)視RAS周期，一旦超過RAS周期，則將周期 自動(dòng)復(fù)位為0。

　　Memory Relocation：內(nèi)存重新定位。即將384的上位內(nèi)存(Upper Memory Block)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)儲(chǔ)到1MB以上的擴(kuò)展內(nèi)存中。

　　Memory Hole：有人稱作內(nèi)存孔洞。把內(nèi)存地址15MB-16MB的區(qū)域留給一些特殊的ISA擴(kuò)展卡使用，可以加速該卡工作速度或避免沖突。一般被設(shè)置成禁止，除非ISA擴(kuò)展卡有專門的說明。

　　DRMA Timing Setting：快頁(yè)內(nèi)存或EDO內(nèi)存速度設(shè)置，通常是60ns或70ns選擇，對(duì)10ns或更快的SDRAM內(nèi)存無效。

　　Fast MA to RAS Delay：設(shè)置內(nèi)存地址(Memory Address)到內(nèi)存行地址觸發(fā)信號(hào)(RAS)之間的延遲時(shí)間。

　　DRAM Write Brust Timing：CPU把數(shù)據(jù)寫如高速緩存后，再寫如內(nèi)存的延遲時(shí)間。

　　Fast RAS To CAS Delay：行地址觸發(fā)信號(hào)到列地址觸發(fā)信號(hào)之間的延遲時(shí)間。通常是RAS#下降到CAS#下降之間的時(shí)間。

　　DRAM Lead-Off Timing：CPU讀/寫內(nèi)存前的時(shí)間。

　　DRAM Speculative Read：設(shè)置成允許時(shí)，讀內(nèi)存的時(shí)間比正常時(shí)間提前一個(gè)時(shí)間周期，可以提高系統(tǒng)性能。

　　DRAM Data Integrity Mode：選擇內(nèi)存校驗(yàn)方式是Parity或ECC。

　　Refresh RAS Assertion：設(shè)置內(nèi)存的行地址刷新時(shí)間周期，對(duì)質(zhì)量好的內(nèi)存可以延遲刷新，從而提高系統(tǒng)性能。

　　RAS Recharge Period：內(nèi)存行地址信號(hào)預(yù)先充電所需要的時(shí)間。

　　Fast EDO Path Select：設(shè)置選擇對(duì)EDO內(nèi)存讀/寫的快速途徑，可以提高系統(tǒng)性能。

　　SDRAM RAS Latency：設(shè)置SDRAM內(nèi)存的行地址觸發(fā)到列地址觸發(fā)的時(shí)間延遲。

　　SDRAM RAS Timing：設(shè)置系統(tǒng)對(duì)SDRAM內(nèi)存的行地址觸發(fā)時(shí)間，也即刷新時(shí)間。

　　Peer Concurrency：為提高系統(tǒng)并行，使CPU對(duì)高速緩存或內(nèi)存或PCI設(shè)備，或PCI的主控信號(hào)對(duì)PCI外圍設(shè)備等等操作同時(shí)進(jìn)行。系統(tǒng)智能越高，同CPU并行的操作越多，性能提高越多。