內(nèi)存的傳輸類型是什么
可能還有很多網(wǎng)友不太清楚內(nèi)存的傳輸類型,那么下面就由學(xué)習(xí)啦小編來給你說說內(nèi)存的傳輸類型的具體分析吧!希望你們喜歡!
內(nèi)存的傳輸類型的分析:
內(nèi)存?zhèn)鬏旑愋停侵竷?nèi)存所采用的內(nèi)存類型。不同類型的內(nèi)存,傳輸類型各有差異,在傳輸率、工作頻率、工作方式、工作電壓等方面,都有不同。目前,市場中主要有的內(nèi)存類型有SDRAM、DDRSDRAM和RDRAM三種。其中,DDRSDRAM內(nèi)存占據(jù)了市場的主流,而SDRAM內(nèi)存規(guī)格已不再發(fā)展,處于被淘汰的行列。RDRAM則始終未成為市場的主流,只有部分芯片組支持,而這些芯片組也逐漸退出了市場,RDRAM前景并不被看好。
1)SDRAM
SDRAM,即SynchronousDRAM(同步動態(tài)隨機存儲器),曾經(jīng)是PC電腦上最為廣泛應(yīng)用的一種內(nèi)存類型,即便在今天,SDRAM仍舊還在市場占有一席之地。既然是同步動態(tài)隨機存儲器,那就代表著它的工作速度是與系統(tǒng)總線速度同步的。
SDRAM內(nèi)存又分為PC66、PC100、PC133等不同規(guī)格,而規(guī)格后面的數(shù)字,就代表著該內(nèi)存最大所能正常工作的系統(tǒng)總線速度,如PC100,那就說明此內(nèi)存可以在系統(tǒng)總線為100MHz的電腦中同步工作。
與系統(tǒng)總線速度同步,也就是與系統(tǒng)時鐘同步,這樣就避免了不必要的等待周期,減少數(shù)據(jù)存儲時間。同步還使存儲控制器知道在哪一個時鐘脈沖期由數(shù)據(jù)請求使用,因此數(shù)據(jù)可在脈沖上升期便開始傳輸。SDRAM采用3.3伏工作電壓,168Pin的DIMM接口,帶寬為64位。SDRAM不僅應(yīng)用在內(nèi)存上,在顯存上也較為常見。
2)DDR
嚴(yán)格的說,DDR應(yīng)該叫DDRSDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR。部分初學(xué)者也常看到DDRSDRAM,就認(rèn)為是SDRAM。DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的縮寫,是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。
DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系。因此,對于內(nèi)存廠商而言,只需對制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進,即可實現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn),可有效的降低成本。
SDRAM在一個時鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù),它是在時鐘的上升期進行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù),它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)。因此,稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下,達到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。
與SDRAM相比,DDR運用了更先進的同步電路,使指定地址、數(shù)據(jù)輸送和輸出的主要步驟,既獨立執(zhí)行,又保持與CPU完全同步。DDR使用了DLL(DelayLockedLoop,延時鎖定回路提供一個數(shù)據(jù)濾波信號)技術(shù),當(dāng)數(shù)據(jù)有效時,存儲控制器可使用這個數(shù)據(jù)濾波信號來精確定位數(shù)據(jù),每16次輸出一次,并重新同步來自不同存儲器模塊的數(shù)據(jù)。DDR本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率,就能加倍提高SDRAM的速度,它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù),因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRA的兩倍。
從外形體積上看,DDR與SDRAM相比差別并不大。他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳,比SDRAM多出了16個針腳,主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標(biāo)準(zhǔn),而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標(biāo)準(zhǔn)。
3)RDRAM
RDRAM(RambusDRAM)是美國的RAMBUS公司開發(fā)的一種內(nèi)存。與DDR和SDRAM不同,它采用了串行的數(shù)據(jù)傳輸模式。在推出時,因為其徹底改變了內(nèi)存的傳輸模式,無法保證與原有的制造工藝相兼容,而且內(nèi)存廠商要生產(chǎn)RDRAM,還必須要加納一定專利費用,再加上其本身制造成本,就導(dǎo)致了RDRAM從一問世就高昂的價格,讓普通用戶無法接收。而同時期的DDR則能以較低的價格,不錯的性能,逐漸成為主流,雖然RDRAM曾受到英特爾公司的大力支持,但始終沒有成為主流。
RDRAM的數(shù)據(jù)存儲位寬是16位,遠(yuǎn)低于DDR和SDRAM的64位。但在頻率方面,則遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于二者,可以達到400MHz乃至更高。同樣也是在一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù),內(nèi)存帶寬能達到1.6Gbyte/s。
普通的DRAM行緩沖器的信息,在寫回存儲器后便不再保留,而RDRAM則具有繼續(xù)保持這一信息的特性,于是在進行存儲器訪問時,如行緩沖器中已經(jīng)有目標(biāo)數(shù)據(jù),則可利用,因而實現(xiàn)了高速訪問。另外,其可把數(shù)據(jù)集中起來,以分組的形式傳送。所以,只要最初用24個時鐘,以后便可每1時鐘讀出1個字節(jié)。一次訪問所能讀出的數(shù)據(jù)長度,可以達到256字節(jié)。
4)DDR2
DDR2(DoubleDataRate2)SDRAM,是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會)進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是,雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?,但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力(即:4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取)。換句話說,DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍于外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù),并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。
DDR和DDR2技術(shù)對比的數(shù)據(jù)此外,由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式,而不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式,F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性,為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅實的基礎(chǔ)?;叵肫餌DR的發(fā)展歷程,從第一代應(yīng)用到個人電腦的DDR200,經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù),第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限,已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度。隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展,前端總線對內(nèi)存帶寬的要求是越來越高,擁有更高更穩(wěn)定運行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢所趨。
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