學習內存知識的朋友們應該有了解過一個重要概念：內存時序，那么什么是內存時序呢?有哪些參數和要點?下面就這幾個參數及BIOS設置中影響內存性能的其它參數逐一給大家作一介紹：

　　內存時序是什么

　　一種參數，一般存儲在內存條的SPD上。2-2-2-8 4個數字的含義依次為：CAS Latency(簡稱CL值)內存CAS延遲時間，他是內存的重要參數之一，某些牌子的內存會把CL值印在內存條的標簽上。RAS-to-CAS Delay(tRCD)，內存行地址傳輸到列地址的延遲時間。Row-precharge Delay(tRP)，內存行地址選通脈沖預充電時間。Row-active Delay(tRAS)，內存行地址選通延遲。這是玩家最關注的4項時序調節(jié)，在大部分主板的BIOS中可以設定，內存模組廠商也有計劃的推出了低于JEDEC認證標準的低延遲型超頻內存模組，在同樣頻率設定下，最低“2-2-2-5”這種序列時序的內存模組確實能夠帶來比“3-4-4-8”更高的內存性能，幅度在3至5個百分點。

　　在一些技術文章里介紹內存設置時序參數時，一般數字“A-B-C-D”分別對應的參數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，現在你該明白“2-3-3-6”是什么意思了吧?!^_^

　　一、內存延遲時序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的設置

　　首先，需要在BIOS中打開手動設置，在BIOS設置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS設置中可能出現的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，將其值設為“Menual”(視BIOS的不同可能的選項有：On/Off或Enable/Disable)，如果要調整內存時序，應該先打開手動設置，之后會自動出現詳細的時序參數列表：

　　Command Per Clock(CPC)

　　可選的設置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。

　　Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR內存的尋址，先要進行P-Bank的選擇(通過DIMM上CS片選信號進行)，然后才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個參數的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時間可以發(fā)出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時鐘周期。

　　顯然，也是越短越好。但當隨著主板上內存模組的增多，控制芯片組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩(wěn)定性。因此當你的內存插得很多而出現不太穩(wěn)定的時間，才需要將此參數調長。目前的大部分主板都會自動設置這個參數。

　　該參數的默認值為Disable(2T)，如果玩家的內存質量很好，則可以將其設置為Enable(1T)。

　　CAS Latency Control(tCL)

　　可選的設置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。

　　一般我們在查閱內存的時序參數時，如“3-4-4-8”這一類的數字序列，上述數字序列分別對應的參數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個3就是第1個參數，即CL參數。

　　CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“內存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”。CAS控制從接受一個指令到執(zhí)行指令之間的時間。因為CAS主要控制十六進制的地址，或者說是內存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數，在穩(wěn)定的前提下應該盡可能設低。

　　內存是根據行和列尋址的，當請求觸發(fā)后，最初是tRAS(Activeto Precharge Delay)，預充電后，內存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS(Row Address Strobe )開始進行需要數據的尋址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期結束，接著通過CAS訪問所需數據的精確十六進制地址。期間從CAS開始到CAS結束就是CAS延遲。所以CAS是找到數據的最后一個步驟，也是內存參數中最重要的。

　　這個參數控制內存接收到一條數據讀取指令后要等待多少個時鐘周期才實際執(zhí)行該指令。同時該參數也決定了在一次內存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鐘周期數。這個參數越小，則內存的速度越快。必須注意部分內存不能運行在較低的延遲，可能會丟失數據，因此在提醒大家把CAS延遲設為2或2.5的同時，如果不穩(wěn)定就只有進一步提高它了。而且提高延遲能使內存運行在更高的頻率，所以需要對內存超頻時，應該試著提高CAS延遲。

　　該參數對內存性能的影響最大，在保證系統穩(wěn)定性的前提下，CAS值越低，則會導致更快的內存讀寫操作。CL值為2為會獲得最佳的性能，而CL值為3可以提高系統的穩(wěn)定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能無法設為3。

　　RAS# to CAS# Delay(tRCD)

　　可選的設置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

　　該值就是“3-4-4-8”內存時序參數中的第2個參數，即第1個4。RAS# to CAS# Delay(也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行尋址到列尋址延遲時間"，數值越小，性能越好。對內存進行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。在JEDEC規(guī)范中，它是排在第二的參數，降低此延時，可以提高系統性能。建議該值設置為3或2，但如果該值設置太低，同樣會導致系統不穩(wěn)定。該值為4時，系統將處于最穩(wěn)定的狀態(tài)，而該值為5，則太保守。

　　如果你的內存的超頻性能不佳，則可將此值設為內存的默認值或嘗試提高tRCD值。

　　Min RAS# Active Timing(tRAS)

　　可選的設置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。

　　該值就是該值就是“3-4-4-8”內存時序參數中的最后一個參數，即8。Min RAS# Active Time (也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“內存行有效至預充電的最短周期”，調整這個參數需要結合具體情況而定，一般我們最好設在5-10之間。這個參數要根據實際情況而定，并不是說越大或越小就越好。

　　如果tRAS的周期太長，系統會因為無謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會導致已被激活的行地址會更早的進入非激活狀態(tài)。如果tRAS的周期太短，則可能因缺乏足夠的時間而無法完成數據的突發(fā)傳輸，這樣會引發(fā)丟失數據或損壞數據。該值一般設定為CAS latency + tRCD + 2個時鐘周期。如果你的CAS latency的值為2，tRCD的值為3，則最佳的tRAS值應該設置為7個時鐘周期。為提高系統性能，應盡可能降低tRAS的值，但如果發(fā)生內存錯誤或系統死機，則應該增大tRAS的值。

　　如果使用DFI的主板，則tRAS值建議使用00，或者5-10之間的值。

　　Row Precharge Timing(tRP)

　　可選的設置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

　　該值就是“3-4-4-8”內存時序參數中的第3個參數，即第2個4。Row Precharge Timing (也被描述為：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"內存行地址控制器預充電時間"，預充電參數越小則內存讀寫速度就越快。

　　tRP用來設定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時間。tRP參數設置太長會導致所有的行激活延遲過長，設為2可以減少預充電時間，從而更快地激活下一行。然而，想要把tRP設為2對大多數內存都是個很高的要求，可能會造成行激活之前的數據丟失，內存控制器不能順利地完成讀寫操作。對于桌面計算機來說，推薦預充電參數的值設定為2個時鐘周期，這是最佳的設置。如果比此值低，則會因為每次激活相鄰緊接著的bank將需要1個時鐘周期，這將影響DDR內存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRP值為2而出現系統不穩(wěn)定的情況下，將此值設定為3個時鐘周期。

　　如果使用DFI的主板，則tRP值建議2-5之間的值。值為2將獲取最高的性能，該值為4將在超頻時獲取最佳的穩(wěn)定性，同樣的而該值為5，則太保守。大部分內存都無法使用2的值，需要超頻才可以達到該參數。

　　Row Cycle Time(tRC)

　　可選的設置：Auto，7-22，步幅值1。

　　Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期時間”，它是包括行單元預充電到激活在內的整個過程所需要的最小的時鐘周期數。

　　其計算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，設置該參數之前，你應該明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的時間過長，會因在完成整個時鐘周期后激活新的地址而等待無謂的延時，而降低性能。然后一旦該值設置過小，在被激活的行單元被充分充電之前，新的周期就可以被初始化。

　　在這種情況下，仍會導致數據丟失和損壞。因此，最好根據tRC = tRAS + tRP進行設置，如果你的內存模塊的tRAS值是7個時鐘周期，而tRP的值為4個時鐘周期，則理想的tRC的值應當設置為11個時鐘周期。

　　Row Refresh Cycle Time(tRFC)

　　可選的設置：Auto，9-24，步幅值1。

　　Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期時間”，它是行單元刷新所需要的時鐘周期數。該值也表示向相同的bank中的另一個行單元兩次發(fā)送刷新指令(即：REF指令)之間的時間間隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。

　　如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能達到9，而10為最佳設置，17-19是內存超頻建議值。建議從17開始依次遞減來測試該值。大多數穩(wěn)定值為tRC加上2-4個時鐘周期。

　　Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD)

　　可選的設置：Auto， 0-7，每級以1的步幅遞增。

　　Row to Row Delay，也被稱為RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行單元到行單元的延時"。該值也表示向相同的bank中的同一個行單元兩次發(fā)送激活指令(即：REF指令)之間的時間間隔。tRRD值越小越好。

　　延遲越低，表示下一個bank能更快地被激活，進行讀寫操作。然而，由于需要一定量的數據，太短的延遲會引起連續(xù)數據膨脹。于桌面計算機來說，推薦tRRD值設定為2個時鐘周期，這是最佳的設置，此時的數據膨脹可以忽視。如果比此值低，則會因為每次激活相鄰緊接著的bank將需要1個時鐘周期，這將影響DDR內存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRRD值為2而出現系統不穩(wěn)定的情況下，將此值設定為3個時鐘周期。

　　如果使用DFI的主板，則tRRD值為00是最佳性能參數，4超頻內存時能達到最高的頻率。通常2是最合適的值，00看上去很奇怪，但有人也能穩(wěn)定運行在00-260MHz。

　　Write Recovery Time(tWR)

　　可選的設置：Auto，2，3。

　　Write Recovery Time (tWD)，表示“寫恢復延時”。該值說明在一個激活的bank中完成有效的寫操作及預充電前，必須等待多少個時鐘周期。這段必須的時鐘周期用來確保在預充電發(fā)生前，寫緩沖中的數據可以被寫進內存單元中。同樣的，過低的tWD雖然提高了系統性能，但可能導致數據還未被正確寫入到內存單元中，就發(fā)生了預充電操作，會導致數據的丟失及損壞。

　　如果你使用的是DDR200和266的內存，建議將tWR值設為2;如果使用DDR333或DDR400，則將tWD值設為3。如果使用DFI的主板，則tWR值建議為2。

　　Write to Read Delay(tWTR)

　　可選的設置：Auto，1，2。

　　Write to Read Delay (tWTR)，表示“讀到寫延時”。三星公司稱其為“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的數據進入讀指令。它設定向DDR內存模塊中的同一個單元中，在最后一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時鐘周期。

　　tWTR值為2在高時鐘頻率的情況下，降低了讀性能，但提高了系統穩(wěn)定性。這種情況下，也使得內存芯片運行于高速度下。換句話說，增加tWTR值，可以讓內容模塊運行于比其默認速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，則將tWTR值設為1;如果使用DDR400，則也可試著將tWTR的值設為1，如果系統不穩(wěn)定，則改為2。

　　Refresh Period(tREF)

　　可選的設置：Auto， 0032-4708，其步進值非固定。

　　Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指內存模塊的刷新周期。

　　先請看不同的參數在相同的內存下所對應的刷新周期(單位：微秒，即：一百萬分之一秒)。?號在這里表示該刷新周期尚無對應的準確數據。

　　1552= 100mhz(?.??s)

　　2064= 133mhz(?.??s)

　　2592= 166mhz(?.??s)

　　3120= 200mhz(?.??s)

　　---------------------

　　3632= 100mhz(?.??s)

　　4128= 133mhz(?.??s)

　　4672= 166mhz(?.??s)

　　0064= 200mhz(?.??s)

　　---------------------

　　0776= 100mhz(?.??s)

　　1032= 133mhz(?.??s)

　　1296= 166mhz(?.??s)

　　1560= 200mhz(?.??s)

　　---------------------

　　1816= 100mhz(?.??s)

　　2064= 133mhz(?.??s)

　　2336= 166mhz(?.??s)

　　0032= 200mhz(?.??s)

　　---------------------

　　0388= 100mhz(15.6us)

　　0516= 133mhz(15.6us)

　　0648= 166mhz(15.6us)

　　0780= 200mhz(15.6us)

　　---------------------

　　0908= 100mhz(7.8us)

　　1032= 133mhz(7.8us)

　　1168= 166mhz(7.8us)

　　0016= 200mhz(7.8us)

　　---------------------

　　1536= 100mhz(3.9us)

　　2048= 133mhz(3.9us)

　　2560= 166mhz(3.9us)

　　3072= 200mhz(3.9us)

　　---------------------

　　3684= 100mhz(1.95us)

　　4196= 133mhz(1.95us)

　　4708= 166mhz(1.95us)

　　0128= 200mhz(1.95us)

　　如果采用Auto選項，主板BIOS將會查詢內存上的一個很小的、名為“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存儲了內存條的各種相關工作參數等信息，系統會自動根據SPD中的數據中最保守的設置來確定內存的運行參數。如過要追求最優(yōu)的性能，則需手動設置刷新周期的參數。一般說來，15.6us適用于基于128兆位內存芯片的內存(即單顆容量為16MB的內存)，而7.8us適用于基于256兆位內存芯片的內存(即單顆容量為32MB的內存)。注意，如果tREF刷新周期設置不當，將會導致內存單元丟失其數據。

　　另外根據其他的資料顯示，內存存儲每一個bit，都需要定期的刷新來充電。不及時充電會導致數據的丟失。DRAM實際上就是電容器，最小的存儲單位是bit。陣列中的每個bit都能被隨機地訪問。但如果不充電，數據只能保存很短的時間。因此我們必須每隔15.6us就刷新一行。每次刷新時數據就被重寫一次。正是這個原因DRAM也被稱為非永久性存儲器。一般通過同步的RAS-only的刷新方法(行刷新)，每行每行的依次刷新。早期的EDO內存每刷新一行耗費15.6us的時間。因此一個2Kb的內存每列的刷新時間為15.6?s x2048行=32ms。

　　如果使用DFI的主板，tREF和tRAS一樣，不是一個精確的數值。通常15.6us和3.9us都能穩(wěn)定運行，1.95us會降低內存帶寬。很多玩家發(fā)現，如果內存質量優(yōu)良，當tREF刷新周期設置為3120=200mhz(?.??s)時，會得到最佳的性能/穩(wěn)定性比。

　　Write CAS# Latency(tWCL)

　　可選的設置：Auto，1-8

　　Write CAS Latency (tWCL)，表示“寫指令到行地址控制器延時”。SDRAM內存是隨機訪問的，這意味著內存控制器可以把數據寫入任意的物理地址，大多數情況下，數據通常寫入距離當前列地址最近的頁面。tWCL表示寫入的延遲，除了DDRII，一般可以設為1T，這個參數和大家熟悉的tCL(CAS-Latency)是相對的，tCL表示讀的延遲。

　　DRAM Bank Interleave

　　可選的設置：Enable， Disable

　　DRAM Bank Interleave，表示“DRAM Bank交錯”。這個設置用來控制是否啟用內存交錯式(interleave)模式。Interleave模式允許內存bank改變刷新和訪問周期。一個bank在刷新的同時另一個bank可能正在訪問。最近的實驗表明，由于所有的內存bank的刷新周期都是交叉排列的，這樣會產生一種流水線效應。

　　雖然interleave模式只有在不同bank提出連續(xù)的的尋址請求時才會起作用，如果處于同一bank，數據處理時和不開啟interleave一樣。CPU必須等待第一個數據處理結束和內存bank的刷新，這樣才能發(fā)送另一個地址。目前所有的內存都支持interleave模式，在可能的情況下我們建議打開此項功能。

　　對于DFI主板來說，任何情況下該設置都應該是Enable，可以增大內存的帶寬。Disable對將減少內存的帶寬，但使系統更加穩(wěn)定。

　　DQS Skew Control

　　可選的設置：Auto，Increase Skew，Decrease Skew

　　DQS Skew Control，表示“DQS時間差控制”。穩(wěn)定的電壓可以使內存達到更高的頻率，電壓浮動會引起較大的時間差(skew)，加強控制力可以減少skew，但相應的DQS(數據控制信號)上升和下降的邊緣會出現電壓過高或過低。一個額外的問題是高頻信號會引起追蹤延遲。DDR內存的解決方法是通過簡單數據選通脈沖來增加時鐘推進。

　　DDRII引進了更先進的技術：雙向的微分I/O緩存器來組成DQS。微分表示用一個簡單脈沖信號和一個參考點來測量信號，而并非信號之間相互比較。理論上提升和下降信號應該是完全對成的，但事實并非如此。時鐘和數據的失諧就產生了DQ-DQS skew。

　　如下圖所示。

　　對于DFI主板來說，建議設置為Increase Skew可以提升性能，而Decrease Skew在犧牲一定性能的情況下，可以增加穩(wěn)定性。

　　DQS Skew Value

　　可選的設置：Auto，0-255，步進值為1。

　　當我們開啟了DQS skew control后，該選項用來設定增加或減少的數值。這個參數對系統的影響并不很敏感。 對于DFI主板來說，開啟"Increase Skew"選項后，可以將該值設為50-255之間的值。值越大，表示速度越快。

　　DRAM Drive Strength

　　可選的設置：Auto，1-8，步進值為1。

　　DRAM Drive Strength(也被稱為：driving strength)，表示“DRAM驅動強度”。這個參數用來控制內存數據總線的信號強度，數值越高代表信號強度越高，增加信號強度可以提高超頻的穩(wěn)定性。但是并非信號強度高就一定好，三星的TCCD內存芯片在低強度信號下性能更佳。

　　如果設為Auto，系統通常會設定為一個較低的值。對使用TCCD的芯片而言，表現會好一些。但是其他的內存芯片就并非如此了，根據在DFI NF4主板上調試和測試的結果，1、3、5 、7都是性能較弱的參數，其中1是最弱的。2、4、6、8是正常的設置，8提供了最強的信號強度。TCCD建議參數為3、5或7，其他芯片的內存建議設為6或8。

　　DFI用戶建議設置：TCCD建議參數為3、5、7，其他芯片的內存建議設為6或8。

　　DRAM Data Drive Strength

　　可選的設置：Auto，1-4，步進值為1。

　　DRAM Data Drive Strength表示“DRAM數據驅動強度”。這個參數決定內存數據總線的信號強度，數值越高代表信號強度越高。它主要用于處理高負荷的內存讀取時，增加DRAM的駕馭能力。因此，如果你的系統內存的讀取負荷很高，則應將該值設置為高(Hi/High)。它有助于對內存數據總線超頻。但如果你并沒有超頻，提升內存數據線的信號強度，可以提高超頻后速度的穩(wěn)定性。此外，提升內存數據總線的信號強度并不能增強SDRAM DIMM的性能。因此，除非你內存有很高的讀取負荷或試圖超頻DIMM，建議設置DRAM Data Drive Strength的值為低(Lo/Low)。

　　要處理大負荷的數據流時，需要提高內存的駕馭能力，你可以設為Hi或者High。超頻時，調高此項參數可以提高穩(wěn)定性。此外，這個參數對內存性能幾乎沒什么影響。所以，除非超頻，一般用戶建議設為Lo/Low。

　　DFI用戶建議設置：普通用戶建議使用level 1或3，如果開啟了CPC，可能任何高于1的參數都會不穩(wěn)定。部分用戶開啟CPC后能運行在3。更多的人關閉CPC后2-4都能夠穩(wěn)定運行。當然最理想的參數是開啟CPC后設為level4。

　　Strength Max Async Latency

　　可選的設置：Auto，0-15，步進值為1。

　　Strength Max Async Latency目前還沒能找到任何關于此項參數的說明，不知道其功能。感覺網友的經驗，在進行Everest的LatencyTest時，可以看出一些差別。在我的BH-6上，參數從8ns到7ns在Latency Test的測試結果中有1ns的區(qū)別。從7ns調低6ns后，測試結果又減少了2ns。

　　DFI主板建議設置：BIOS中的默認值為7ns，建議大家在5-10之間調節(jié)。6ns對內存的要求就比較高了，建議使用BH-5和UTT芯片的用戶可以嘗試一下，但對TCCD不適用。7ns的要求低一些，UTT和BH-5設為7n比較適合超頻。8ns對UTT和BH-5就是小菜一碟，8ns時TCCD通常能穩(wěn)定運行在DDR600，如果想超頻到DDR640就必須設為9ns甚至更高了。

　　Read Preamble Time

　　可選的設置：Auto，2.0-9.5，步進值為0.5。

　　Read Preamble Time這個參數表示DQS(數據控制信號)返回后，DQS又被開啟時的時間間隔。Samsung早期的顯存資料顯示，這個參數是用以提升性能的。DQS信號是雙向的，無論從圖形控制器到DDR SGRAM還是從DDR SGRAM到圖形控制器都起作用。

　　DFI主板建議設置：BIOS中的該值設置為Auto時，實際上此時執(zhí)行的是默認值5.0。建議大家在4.0-7.0之間調節(jié)，該值越小越好。

　　Idle Cycle Limit

　　可選的設置：Auto，0-256，無固定步進值。

　　Idle Cycle Limit這個參數表示“空閑周期限制”。這個參數指定強制關閉一個也打開的內存頁面之前的memclock數值，也就是讀取一個內存頁面之前，強制對該頁面進行重充電操作所允許的最大時間。

　　DFI主板建議設置：BIOS中的該值設置為Auto時，實際上此時執(zhí)行的是默認值256。質量好的內存可以嘗試16-32，華邦(WINBOND)BH-5顆粒的產品能穩(wěn)定運行在16。Idle Cycle Limit值越低越好。

　　Dynamic Counter

　　可選的設置：Auto， Enable， Disable。

　　Dynamic Counter這個參數表示“動態(tài)計數器”。這個參數指定開啟還是關閉動態(tài)空閑周期計數器。如果選擇開啟(Enable)，則會每次進入內存頁表(Page Table)就強制根據頁面沖突和頁面錯誤(conflict/page miss：PC/PM)之間通信量的比率而動態(tài)調整Idle Cycle Limit的值。這個參數和前一個Idle Cycle Limit是密切相關的，啟用后會屏蔽掉當前的Idle Cycle Limit，并且根據沖突的發(fā)生來動態(tài)調節(jié)。

　　DFI主板建議設置：BIOS中的該值設置為Auto和關閉和一樣的。打開該設置可能會提升性能，而關閉該設置，可以使系統的更穩(wěn)定。

　　R/W Queue Bypass

　　可選的設置：Auto，2x，4x，8x，16x。

　　R/W Queue Bypass表示“讀/寫隊列忽略”。這個參數指定在優(yōu)化器被重寫及DCI (設備控制接口：Device Control Interface)最后一次的操作被選定前，忽略操作DCI的讀/寫隊列的時間。這個參數和前一個Idle Cycle Limit是相類似，只是優(yōu)化器影響內存中的讀/寫隊列。

　　DFI主板建議設置：BIOS中的該值默認為16x。如果你的系統穩(wěn)定，則保留該值。但如果不穩(wěn)定，或者要超頻，就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。該值越大，則說明系統性能越強，該值越小，則會是系統越穩(wěn)定。

　　Bypass Max

　　可選的設置：Auto， 0x-7x， 步進值為1。

　　Bypass Max表示“最大忽略時間”。這個參數表示優(yōu)化器選擇否決之前，最后進入DCQ(Dependence Chain Queue)的可以被優(yōu)化器忽略的時間。仔細研究后，我覺得這個參數會影響內存到CPU內存控制器的連接。

　　DFI主板建議設置：BIOS中的該值默認為7x。建議4x或7x，兩者都提供了很好的性能及穩(wěn)定性。如果你的系統穩(wěn)定，則保留該值。但如果不穩(wěn)定，或者要超頻，就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。該值越大，則說明系統性能越強，該值越小，則會是系統越穩(wěn)定。

　　32 Byte Granulation

　　可選的設置：Auto，Disable (8burst)，Enable(4burst)。

　　32 Byte Granulation表示"32位顆粒化"。當該參數設置為關閉(Disable)時，就可以選擇突發(fā)計數器，并在32位的數據存取的情況下，最優(yōu)化數據總線帶寬。因此該參數關閉后可以達到最佳性能的目的。

　　DFI主板建議設置：絕大多數情況下，建議選擇Disable(8burst)選項。開啟Enable (4burst)可以使系統更穩(wěn)定一些。

　　補充：內存常見維護保養(yǎng)技巧

　　1.對于由灰塵引起的內存金手指、顯卡氧化層故障，大家應用橡皮或棉花沾上酒精清洗，這樣就不會黑屏了。

　　2.關于內存混插問題，在升級內存時，盡量選擇和你現有那條相同的內存，不要以為買新的主流內存會使你的電腦性能很多，相反可能出現很多問題。內存混插原則：將低規(guī)范、低標準的內存插入第一內存插槽(即DIMM1)中。

　　3.當只需要安裝一根內存時，應首選和CPU插座接近的內存插座，這樣做的好處是：當內存被CPU風扇帶出的灰塵污染后可以清潔，而插座被污染后卻極不易清潔。

　　4.安裝內存條，DIMM槽的兩旁都有一個卡齒，當內存缺口對位正確，且插接到位了之后，這兩個卡齒應該自動將內存“咬”住。 DDR內存金手指上只有一個缺口，缺口兩邊不對稱，對應DIMM內存插槽上的一個凸棱，所以方向容易確定。而對于以前的SDR而言，則有兩個缺口，也容易確定方向，不過SDR已經漸漸淡出市場，了解一下也無妨;而拔起內存的時候，也就只需向外搬動兩個卡齒，內存即會自動從DIMM(或RIMM)槽中脫出。

　　相關閱讀：常用內存條辨別真?zhèn)畏椒?/h2>

　　查看內存標簽：正品金士頓內存標簽印刷清晰規(guī)則，而假貨則明顯粗糙淺淡，字體顯得比較單薄。另外，真假金士頓內存標簽的排版規(guī)則也有很大出入，請仔細觀察。

　　查看內存顆粒：通過圖片中金士頓內存顆?？梢郧逦闯觯方鹗款D內存顆粒印刷清晰，而假內存的顆粒則非常暗淡，與正品形成鮮明對比。對于一款內存，PCB電路板僅占內存成本的百分之十左右，而內存顆粒才是決定內存價格的重點。因此，通常假貨的PCB基本也是正規(guī)代工廠制造，而顆粒則采用行話里的“白片”，就是我們所說的次品，價格低廉，但穩(wěn)定性和兼容性很差。

　　查看注冊商標標識：正品金士頓的注冊商標“R”的周圍清楚的印有由"KINGSTON"英文字母組成的圓圈，而假貨則明顯胡亂仿制的一個圓框而已。還有一點，仔細觀察標簽內部的水印，假內存水印和KINGSTON字體銜接處都有明顯的痕跡，證明是后印刷的，這在正品金士頓內存中是不會出現的。

　　金手指辨認：下為正品金士頓內存的金手指。正品金士頓內存的金手指色澤純正、紫色方框內的金手指連接部位經過鍍金;假冒金士頓內存的金手指色澤略顯暗淡，紅色方框內的金手指連接處為PCB板的銅片，并未鍍金。

　　PCB板上的字體辨認：左為正品金士頓內存。正品金士頓內存的字體均勻，無明顯大小區(qū)別，并且有相關的認證符號。假冒金士頓內存的字體不一，無相關認證符號。

　　K字標簽：這是使用單反相機進行微距拍攝，同時打開閃光燈拍攝真假標簽，正品標簽的鐳射圖案能看出密集的銀粉顆粒，K字并不明顯，背景呈藍色。而假冒標簽的K字十分明顯，銀粉顆粒的密度較低。

　　翻轉角度查看防偽：正品金士頓內存的鐳射防偽標簽，通過變換角度能呈現出兩種圖案，第一種圖案為上半沿帶銀粉效果，下半沿呈半個K漬;第二種圖案為下半沿帶銀粉效果，上半沿呈半個K字。而假冒標簽就只有一種圖案，就是整個呈現出來一個很明顯的K字。

　　查詢序列號：驗證方式內存產品編輯短信“M+產品SN序列號”發(fā)送至0212 333 0345

　　按照金士頓官方的說法，我輸入“M36785241571636”發(fā)到“02123330345”即可查詢內存真?zhèn)?