內(nèi)存有什么分類
內(nèi)存有什么分類
內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣，習(xí)慣上被用來表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz(兆赫)為單位來計(jì)量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。那么內(nèi)存的分類是什么?下面跟著學(xué)習(xí)啦小編一起來了解下吧。
內(nèi)存有什么分類
內(nèi)存其實(shí)是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸入/輸出和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能的集成電路。按照其工作原理可分為RAM和ROM兩大類;從功能的角度，又可以分為主存儲(chǔ)器、高速緩沖存儲(chǔ)器(Cache)和BIOS存儲(chǔ)器三種。
按工作原理分類
按照內(nèi)存的工作原理可將內(nèi)存分為RAM和ROM兩大類。下面分別進(jìn)行介紹。
(1)RAM
RAM(RandomAccessMemory，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)存儲(chǔ)的內(nèi)容可以通過指令隨機(jī)讀寫訪問。RAM由半導(dǎo)體存儲(chǔ)器組成，當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)，將所需的指令和數(shù)據(jù)從外部存儲(chǔ)器(如硬盤、軟盤、光盤等)調(diào)入內(nèi)存，CPU再從內(nèi)存中讀取指令或數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，并將結(jié)見存入內(nèi)存，所以RAM既能讀又能寫。RAM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在關(guān)機(jī)或斷電后將自動(dòng)丟失，因而只能在開機(jī)運(yùn)行時(shí)存儲(chǔ)數(shù)裾。RAM又分靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM、動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM和磁性內(nèi)存MRAM三種。
©SRAM
SRAM以雙穩(wěn)態(tài)電路形式存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，這種電路可視為一個(gè)開關(guān)，對(duì)應(yīng)兩個(gè)狀態(tài)1和0。由于開關(guān)的轉(zhuǎn)換由電路控制，所以只要電路不動(dòng)，狀態(tài)就不會(huì)改變。由于SRAM集成度低、體積大和造價(jià)高，從成本和體積考慮，內(nèi)存不宜全部采用SRAM，但由于晶體管的開關(guān)速度很快，因此SRAM的讀巧速度也很快，通常將其作為Cache。
?、贒RAM
DRAM通過MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)電容存儲(chǔ)電荷來儲(chǔ)存信息，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、集成度高、功耗低、體積小、生產(chǎn)成本低、便于大容量制造的特點(diǎn)，在計(jì)算機(jī)主存儲(chǔ)器中得以大量應(yīng)用。
常見的DRAM內(nèi)存根椐制造工藝和性能參數(shù)等各方面的差異，可分為以下幾種。
•SDRAM(Synchronous Dynamic RAM，即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)：采用同步技術(shù)，工作頻率與系統(tǒng)的外頻相同，因此在一定程序上提高了性能。隨著其他硬件能力的快速提高，SDRAM逐漸暴露出其弱點(diǎn)，因此將被DDRSDRAM所取代(如圖1所示為SDRAM內(nèi)存)。
•DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM,即雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)：習(xí)慣上稱之為DDR，其核心建立在SDRAM的基礎(chǔ)之上，只是在速率和容量上有所提高。DDR本質(zhì)上并沒有提髙時(shí)鐘頻率，但是它可以在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)，因此其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的兩倍(如圖2所示為DDRSDRAM內(nèi)存)。
•DDR-II：DDR-II內(nèi)存是DDR-1內(nèi)存的換代產(chǎn)品，DDR-1I內(nèi)存最早出現(xiàn)在高端顯卡上，因?yàn)槠反鎸?duì)傳輸帶寬的需求比較高，因此使用了這種能夠提供更高帶寬的內(nèi)存。DDR-II和DDR—樣，采用了在時(shí)鐘的上升沿和下降沿同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR-II內(nèi)存可進(jìn)行4bit預(yù)讀取，是標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的兩倍，這就意味著，DDR-II比DDR的預(yù)讀取系統(tǒng)數(shù)據(jù)速度高兩倍。DDR-II內(nèi)存頻率從533MHz開始，現(xiàn)在主要有533/667/800MHZ三類產(chǎn)品。DDR-II采用240線DIMM接口標(biāo)準(zhǔn)，因此完全不兼容DDR的184線DIMM接口標(biāo)準(zhǔn)，現(xiàn)有DDR標(biāo)準(zhǔn)接口的主板無法使用DDR-II內(nèi)存(如圖3所示為DDR-II內(nèi)存)。
(2)ROM
ROM(Read Only Memory,只讀存儲(chǔ)器)，是一種半導(dǎo)體電路，通過掩模藝一次件制造，使用時(shí)只能從中讀取信息而不能寫入信息。ROM的特點(diǎn)是價(jià)格高并且容最小，但由于其與有斷電后數(shù)據(jù)可保持不變的優(yōu)點(diǎn)，常用于存放一次性寫入的程序或數(shù)據(jù)，例如，主板上保存BIOS程序的芯片就是ROM存儲(chǔ)器。
ROM存儲(chǔ)器可分為四種，即普通ROM、EPROM、EEPROM和Flash Memory。早期主板上的BIOS使用的是普通ROM，只能一次性寫入，其中的內(nèi)容不可改變。其后BIOS使用EPROM制造，即可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器。這種ROM使用紫外線掃描的方法擦除和改寫其中的信息。而后開始使用EEPROM制造，即電可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器。這種ROM可以用電子掃描的方法來改變存儲(chǔ)器中的內(nèi)容。目前，主板上的BIOS多使用Flash Memory制造，簡(jiǎn)稱閃存，這種存儲(chǔ)器可以直接通過調(diào)節(jié)主板上的電壓來對(duì)BIOS進(jìn)行升級(jí)操作。
£按功能分類
內(nèi)存儲(chǔ)器從功能上可分為主存儲(chǔ)器、Cache和BIOS存儲(chǔ)器。
•主存儲(chǔ)器：是內(nèi)存中最主要和容量最入的存儲(chǔ)器。它用來存儲(chǔ)計(jì)箅機(jī)運(yùn)行過程中的程序和數(shù)據(jù)，因此其容量越大越好。
•Cache：商速緩沖存儲(chǔ)器，它是位于CPU和主存儲(chǔ)器之間并且容量較小，但速度很快的存儲(chǔ)器。由于CPU運(yùn)算速度要比內(nèi)存讀寫速度快很多，閃此如果CPU直接從內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)或把數(shù)據(jù)寫入內(nèi)存時(shí)則會(huì)花費(fèi)大最時(shí)間，而系統(tǒng)可以把正在執(zhí)行的指令地址附近的一部分指令或這者數(shù)據(jù)從主存調(diào)入Cache,供CPU在一段時(shí)間內(nèi)使用，這樣就能相對(duì)提高CPU的運(yùn)箅速度。
隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展，CPU芯片中也集成了Cache，稱為LI Cache(一級(jí)緩存)，其速度高，容量小，一般僅為兒百KB;安裝于主板上的Cache則稱為L2 Cache(二級(jí)緩存)，有較大的容量，從256KB到2MB不等;Pentium II以后的CPU則將L2 Cache與CPU內(nèi)核一起封裝在一只金屬盒內(nèi)，或荇直接把L2Cache集成到CPU芯片內(nèi)(如Celeron CPU)，進(jìn)而提高速度，因此卞板上的Cache就稱為L3 Cache(三級(jí)緩存)。
•BIOS存儲(chǔ)器：它是用來存放BIOS(基木輸入/輸出系統(tǒng))程序的存儲(chǔ)器，如圖4所示。由于BIOS中的數(shù)據(jù)和程序非常重要，不允許修改，因此一般情況下都采用ROM型存儲(chǔ)器芯片。
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