臺式機內存條怎么選擇

　　根據內存條所應用的主機不同，內存產品也各自不同的特點。那我們的臺式機要怎么選擇內存條呢?下面就讓學習啦小編就教大家臺式機內存條怎么選擇。

　　臺式機內存條的選擇方法

　　適用類型

　　筆記本內存就是應用于筆記本電腦的內存產品，筆記本內存只是使用的環(huán)境與臺式機內存不同，在工作原理方面并沒有什么區(qū)別。只是因為筆記本電腦對內存的穩(wěn)定性、體積、散熱性方面的需求，筆記本內存在這幾方面要優(yōu)于臺式機內存，價格方面也要高于臺式機內存。

　　筆記本誕生于臺式機的486年代，在那個時代的筆記本電腦，所采用的內存各不相同，各種品牌的機型使用的內存千奇百怪，甚至同一機型的不同批次也有不同的內存，規(guī)格極其復雜，有的機器甚至使用PCMICA閃存卡來做內存。進入到臺式機的586時代，筆記本廠商開始推廣72針的SO DIMM標準筆記本內存，而市場上還同時存在著多種規(guī)格的筆記本內存，諸如：72針5伏的FPM;72針5伏的EDO;72針3.3伏的FPM;72針3.3伏的EDO。此幾種類型的筆記本內存都已成為"古董"級的寶貝，早已在市場內消失了。在進入到"奔騰"時代，144針的3.3伏的EDO標準筆記本內存。在往后隨著臺式機內存中SDRAM的普及，筆記本內存也出現了144針的SDRAM?，F在DDR的筆記本內存也在市面中較為普遍了，而在一些輕薄筆記本內，還有些機型使用與普通機型不同的Micro DIMM接口內存。

　　對于多數的筆記本電腦都并沒有配備單獨的顯存，而是采用內存共享的形式，內存要同時負擔內存和顯存的存儲作用，因此內存對于筆記本電腦性能的影響很大。

　　服務器是企業(yè)信息系統(tǒng)的核心，因此對內存的可靠性非常敏感。服務器上運行著企業(yè)的關鍵業(yè)務，內存錯誤可能造成服務器錯誤并使數據永久丟失。因此服務器內存在可靠性方面的要求很高，所以服務器內存大多都帶有Buffer(緩存器)，Register(寄存器)，ECC(錯誤糾正代碼)，以保證把錯誤發(fā)生可能性降到最低。服務器內存具有普通PC內存所不具備的高性能、高兼容性和高可靠性。

　　主頻

　　內存主頻和CPU主頻一樣，習慣上被用來表示內存的速度，它代表著該內存所能達到的最高工作頻率。內存主頻是以MHz(兆赫)為單位來計量的。內存主頻越高在一定程度上代表著內存所能達到的速度越快。內存主頻決定著該內存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前較為主流的內存頻率室333MHz和400MHz的DDR內存，以及533MHz和667MHz的DDR2內存。

　　大家知道，計算機系統(tǒng)的時鐘速度是以頻率來衡量的。晶體振蕩器控制著時鐘速度，在石英晶片上加上電壓，其就以正弦波的形式震動起來，這一震動可以通過晶片的形變和大小記錄下來。晶體的震動以正弦調和變化的電流的形式表現出來，這一變化的電流就是時鐘信號。而內存本身并不具備晶體振蕩器，因此內存工作時的時鐘信號是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時鐘發(fā)生器提供的，也就是說內存無法決定自身的工作頻率，其實際工作頻率是由主板來決定的。

　　DDR內存和DDR2內存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內存顆粒實際的工作頻率，但是由于DDR內存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數據，因此傳輸數據的等效頻率是工作頻率的兩倍;而DDR2內存每個時鐘能夠以四倍于工作頻率的速度讀/寫數據，因此傳輸數據的等效頻率是工作頻率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是200/266/333/400MHz;DDR2 400/533/667/800的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是400/533/667/800MHz。

　　內存異步工作模式包含多種意義，在廣義上凡是內存工作頻率與CPU的外頻不一致時都可以稱為內存異步工作模式。首先，最早的內存異步工作模式出現在早期的主板芯片組中，可以使內存工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是簡單相差33MHz)，從而可以提高系統(tǒng)內存性能或者使老內存繼續(xù)發(fā)揮余熱。其次，在正常的工作模式(CPU不超頻)下，目前不少主板芯片組也支持內存異步工作模式，例如Intel 910GL芯片組，僅僅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外頻，但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作(注意此時其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經相差66MHz了)，只不過搭配不同的內存其性能有差異罷了。再次，在CPU超頻的情況下，為了不使內存拖CPU超頻能力的后腿，此時可以調低內存的工作頻率以便于超頻，例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超頻，不少產品的外頻都可以輕松超上300MHz，而此如果在內存同步的工作模式下，此時內存的等效頻率將高達DDR 600，這顯然是不可能的，為了順利超上300MHz外頻，我們可以在超頻前在主板BIOS中把內存設置為DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外頻之后，前者也不過才DDR 500(某些極品內存可以達到)，而后者更是只有DDR 400(完全是正常的標準頻率)，由此可見，正確設置內存異步模式有助于超頻成功。

　　目前的主板芯片組幾乎都支持內存異步，英特爾公司從810系列到目前較新的875系列都支持，而威盛公司則從693芯片組以后全部都提供了此功能。

　　傳輸類型

　　傳輸類型指內存所采用的內存類型，不同類型的內存?zhèn)鬏旑愋透饔胁町?，在傳輸率、工作頻率、工作方式、工作電壓等方面都有不同。目前市場中主要有的內存類型有SDRAM、RDRAM、DDR和DDR2四種。其中DDR和DDR2內存占據了市場的主流，而SDRAM內存規(guī)格已不再發(fā)展，處于被淘汰的行列。RDRAM則始終未成為市場的主流，只有部分芯片組支持，而這些芯片組也逐漸退出了市場，RDRAM前景并不被看好。

　　　接口類型

　　接口類型是根據內存條金手指上導電觸片的數量來劃分的，金手指上的導電觸片也習慣稱為針腳數(Pin)。因為不同的內存采用的接口類型各不相同，而每種接口類型所采用的針腳數各不相同。筆記本內存一般采用144Pin、200Pin接口;臺式機內存則基本使用168Pin和184Pin接口。對應于內存所采用的不同的針腳數，內存插槽類型也各不相同。目前臺式機系統(tǒng)主要有SIMM、DIMM和RIMM三種類型的內存插槽，而筆記本內存插槽則是在SIMM和DIMM插槽基礎上發(fā)展而來，基本原理并沒有變化，只是在針腳數上略有改變。

　　金手指(conNECting finger)是內存條上與內存插槽之間的連接部件，所有的信號都是通過金手指進行傳送的。金手指由眾多金黃色的導電觸片組成，因其表面鍍金而且導電觸片排列如手指狀，所以稱為"金手指"。金手指實際上是在覆銅板上通過特殊工藝再覆上一層金，因為金的抗氧化性極強，而且傳導性也很強。不過因為金昂貴的價格，目前較多的內存都采用鍍錫來代替，從上個世紀90年代開始錫材料就開始普及，目前主板、內存和顯卡等設備的"金手指"幾乎都是采用的錫材料，只有部分高性能服務器/工作站的配件接觸點才會繼續(xù)采用鍍金的做法，價格自然不菲。

　　內存處理單元的所有數據流、電子流正是通過金手指與內存插槽的接觸與PC系統(tǒng)進行交換，是內存的輸出輸入端口，因此其制作工藝對于內存連接顯得相當重要。

　　　內存插槽

　　最初的計算機系統(tǒng)通過單獨的芯片安裝內存，那時內存芯片都采用DIP(Dual ln-line Package，雙列直插式封裝)封裝，DIP芯片是通過安裝在插在總線插槽里的內存卡與系統(tǒng)連接，此時還沒有正式的內存插槽。DIP芯片有個最大的問題就在于安裝起來很麻煩，而且隨著時間的增加，由于系統(tǒng)溫度的反復變化，它會逐漸從插槽里偏移出來。隨著每日頻繁的計算機啟動和關閉，芯片不斷被加熱和冷卻，慢慢地芯片會偏離出插槽。最終導致接觸不好，產生內存錯誤。

　　早期還有另外一種方法是把內存芯片直接焊接在主板或擴展卡里，這樣有效避免了DIP芯片偏離的問題，但無法再對內存容量進行擴展，而且如果一個芯片發(fā)生損壞，整個系統(tǒng)都將不能使用，只能重新焊接一個芯片或更換包含壞芯片的主板，此種方法付出的代價較大，也極為不方便。

　　對于內存存儲器，大多數現代的系統(tǒng)都已采用單列直插內存模塊(Single Inline Memory Module，SIMM)或雙列直插內存模塊(Dual Inline Memory Module，DIMM)來替代單個內存芯片。早期的EDO和SDRAM內存，使用過SIMM和DIMM兩種插槽，但從SDRAM開始，就以DIMM插槽為主，而到了DDR和DDR2時代，SIMM插槽已經很少見了。下邊具體的說一下幾種常見的內存插槽。

　　容量

　　內存容量是指該內存條的存儲容量，是內存條的關鍵性參數。內存容量以MB作為單位，可以簡寫為M。內存的容量一般都是2的整次方倍，比如64MB、128MB、256MB等，一般而言，內存容量越大越有利于系統(tǒng)的運行。目前臺式機中主流采用的內存容量為256MB或512MB，64MB、128MB的內存已較少采用。

　　系統(tǒng)對內存的識別是以Byte(字節(jié))為單位，每個字節(jié)由8位二進制數組成，即8bit(比特，也稱"位")。按照計算機的二進制方式，1Byte=8bit;1KB=1024Byte;1MB=1024KB;1GB=1024MB;1TB=1024GB。

　　系統(tǒng)中內存的數量等于插在主板內存插槽上所有內存條容量的總和，內存容量的上限一般由主板芯片組和內存插槽決定。不同主板芯片組可以支持的容量不同，比如Inlel的810和815系列芯片組最高支持512MB內存，多余的部分無法識別。目前多數芯片組可以支持到2GB以上的內存，主流的可以支持到4GB，更高的可以到16GB。此外主板內存插槽的數量也會對內存容量造成限制，比如使用128MB一條的內存，主板由兩個內存插槽，最高可以使用256MB內存。因此在選擇內存時要考慮主板內存插槽數量，并且可能需要考慮將來有升級的余地。

　　內存電壓 內存正常工作所需要的電壓值，不同類型的內存電壓也不同，但各自均有自己的規(guī)格，超出其規(guī)格，容易造成內存損壞。SDRAM內存一般工作電壓都在3.3伏左右，上下浮動額度不超過0.3伏;DDR SDRAM內存一般工作電壓都在2.5伏左右，上下浮動額度不超過0.2伏;而DDR2 SDRAM內存的工作電壓一般在1.8V左右。具體到每種品牌、每種型號的內存，則要看廠家了，但都會遵循SDRAM內存3.3伏、DDR SDRAM內存2.5伏、DDR2 SDRAM內存1.8伏的基本要求，在允許的范圍內浮動。略微提高內存電壓，有利于內存超頻，但是同時發(fā)熱量大大增加，因此有損壞硬件的風險。

　　顆粒封裝

　　顆粒封裝其實就是內存芯片所采用的封裝技術類型，封裝就是將內存芯片包裹起來，以避免芯片與外界接觸，防止外界對芯片的損害。空氣中的雜質和不良氣體，乃至水蒸氣都會腐蝕芯片上的精密電路，進而造成電學性能下降。不同的封裝技術在制造工序和工藝方面差異很大，封裝后對內存芯片自身性能的發(fā)揮也起到至關重要的作用。

　　隨著光電、微電制造工藝技術的飛速發(fā)展，電子產品始終在朝著更小、更輕、更便宜的方向發(fā)展，因此芯片元件的封裝形式也不斷得到改進。芯片的封裝技術多種多樣，有DIP、POFP、TSOP、BGA、QFP、CSP等等，種類不下三十種，經歷了從DIP、TSOP到BGA的發(fā)展歷程。芯片的封裝技術已經歷了幾代的變革，性能日益先進，芯片面積與封裝面積之比越來越接近，適用頻率越來越高，耐溫性能越來越好，以及引腳數增多，引腳間距減小，重量減小，可靠性提高，使用更加方便。

　　　　傳輸標準

　　內存是計算機內部最為關鍵的部件之一，其有很嚴格的制造要求。而其中的傳輸標準則代表著對內存速度方面的標準。不同類型的內存，無論是SDRAM、DDR SDRAM，還是RDRAM都有不同的規(guī)格，每種規(guī)格的內存在速度上是各不相同的。傳輸標準是內存的規(guī)范，只有完全符合該規(guī)范才能說該內存采用了此傳輸標準。比如說傳輸標準PC3200內存，代表著此內存為工作頻率200MHz，等效頻率為400MHz的DDR內存，也就是常說的DDR400。

　　傳輸標準術購買內存的首要選擇條件之一，它代表著該內存的速度。目前市場中所有的內存?zhèn)鬏敇藴视蠸DRAM的PC100、PC133;DDR SDRAM的PC1600、PC2100、PC2700、PC3200、PC3500、PC3700;RDRAM的PC600、PC800和PC1066等。

　　CL設置

　　內存負責向CPU提供運算所需的原始數據，而目前CPU運行速度超過內存數據傳輸速度很多，因此很多情況下CPU都需要等待內存提供數據，這就是常說的"CPU等待時間"。內存?zhèn)鬏斔俣仍铰珻PU等待時間就會越長，系統(tǒng)整體性能受到的影響就越大。因此，快速的內存是有效提升CPU效率和整機性能的關鍵之一。

　　在實際工作時，無論什么類型的內存，在數據被傳輸之前，傳送方必須花費一定時間去等待傳輸請求的響應，通俗點說就是傳輸前傳輸雙方必須要進行必要的通信，而這種就會造成傳輸的一定延遲時間。CL設置一定程度上反映出了該內存在CPU接到讀取內存數據的指令后，到正式開始讀取數據所需的等待時間。不難看出同頻率的內存，CL設置低的更具有速度優(yōu)勢。

　　上面只是給大家建立一個基本的CL概念，而實際上內存延遲的基本因素絕對不止這些。內存延遲時間有個專門的術語叫"Latency"。要形象的了解延遲，我們不妨把內存當成一個存儲著數據的數組，或者一個EXCEL表格，要確定每個數據的位置，每個數據都是以行和列編排序號來標示，在確定了行、列序號之后該數據就唯一了。內存工作時，在要讀取或寫入某數據，內存控制芯片會先把數據的列地址傳送過去，這個RAS信號(Row Address Strobe，行地址信號)就被激活，而在轉化到行數據前，需要經過幾個執(zhí)行周期，然后接下來CAS信號(Column Address Strobe，列地址信號)被激活。在RAS信號和CAS信號之間的幾個執(zhí)行周期就是RAS-to-CAS延遲時間。在CAS信號被執(zhí)行之后同樣也需要幾個執(zhí)行周期。此執(zhí)行周期在使用標準PC133的SDRAM大約是2到3個周期;而DDR RAM則是4到5個周期。在DDR中，真正的CAS延遲時間則是2到2.5個執(zhí)行周期。RAS-to-CAS的時間則視技術而定，大約是5到7個周期，這也是延遲的基本因素。

　　CL設置較低的內存具備更高的優(yōu)勢，這可以從總的延遲時間來表現。內存總的延遲時間有一個計算公式，總延遲時間=系統(tǒng)時鐘周期×CL模式數+存取時間(tAC)。首先來了解一下存取時間(tAC)的概念，tAC是Access Time from CLK的縮寫，是指最大CAS延遲時的最大數輸入時鐘，是以納秒為單位的，與內存時鐘周期是完全不同的概念，雖然都是以納秒為單位。存取時間(tAC)代表著讀取、寫入的時間，而時鐘頻率則代表內存的速度。

　　舉個例子來計算一下總延遲時間，比如一條DDR333內存其存取時間為6ns，其內存時鐘周期為6ns(DDR內存時鐘周期=1X2/內存頻率，DDR333內存頻率為333，則可計算出其時鐘周期為6ns)。我們在主板的BIOS中將其CL設置為2.5，則總的延遲時間=6ns X2.5+6ns=21ns，而如果CL設置為2，那么總的延遲時間=6ns X2+6ns=18 ns，就減少了3ns的時間。

　　從總的延遲時間來看，CL值的大小起到了很關鍵的作用。所以對系統(tǒng)要求高和喜歡超頻的用戶通常喜歡購買CL值較低的內存。目前各內存顆粒廠商除了從提高內存時鐘頻率來提高DDR的性能之外，已經考慮通過更進一步的降低CAS延遲時間來提高內存性能。不同類型內存的典型CL值并不相同，例如目前典型DDR的CL值為2.5或者2，而大部分DDR2 533的延遲參數都是4或者5，少量高端DDR2的CL值可以達到3。

　　不過，并不是說CL值越低性能就越好，因為其它的因素會影響這個數據。例如，新一代處理器的高速緩存較有效率，這表示處理器比較少地直接從內存讀取數據。再者，列的數據會比較常被存取，所以RAS-to-CAS的發(fā)生幾率也大，讀取的時間也會增多。最后，有時會發(fā)生同時讀取大量數據的情形，在這種情形下，相鄰的內存數據會一次被讀取出來，CAS延遲時間只會發(fā)生一次。

　　選擇購買內存時，最好選擇同樣CL設置的內存，因為不同速度的內存混插在系統(tǒng)內，系統(tǒng)會以較慢的速度來運行，也就是當CL2.5和CL2的內存同時插在主機內，系統(tǒng)會自動讓兩條內存都工作在CL2.5狀態(tài)，造成資源浪費。