bios怎么改內(nèi)存頻率
有時，更新或添加內(nèi)存后，電腦運(yùn)行不穩(wěn)定，有可能就是內(nèi)存頻率太高原因，這時需要進(jìn)入BIOS，將內(nèi)存頻率調(diào)低一些。那么bios怎么改內(nèi)存頻率?下面大家與學(xué)習(xí)啦小編一起來學(xué)習(xí)一下吧。
bios怎么改內(nèi)存頻率
只要你的主板能夠支持通過BIOS調(diào)節(jié)內(nèi)存的頻率就可以這樣使用，否則新買的內(nèi)存就會被降頻。
通常新買的內(nèi)存規(guī)格參數(shù)都會比原來的老內(nèi)存高一些，例如老內(nèi)存規(guī)格為宇瞻DDR3 1333 2GB，延遲時序CL=9，而新買的內(nèi)存為雜牌DDR3 1600 2GB，CL=7。在目前的主流主板BIOS中都有針對內(nèi)存的超頻設(shè)置選項(xiàng)，我們可以利用它們來對內(nèi)存參數(shù)進(jìn)行設(shè)置，從而能讓它們和平相處，協(xié)同工作(如圖1)。
開機(jī)后按下DEL鍵進(jìn)入主板BIOS的“OverDrive”界面，本例使用的是昂達(dá)A75T魔固主板，使用其他品牌型號主板的用戶需要自己找到相應(yīng)的界面?？梢钥吹紹IOS自動識別了內(nèi)存，將“Memory boot Mode”選為“Easy Memory”，“Memory Frequency”內(nèi)存頻率選項(xiàng)和“Memory Performance Mode”內(nèi)存高級模式選項(xiàng)都被設(shè)為“Auto”自動。一般來說，如果和原有的1333MHz內(nèi)存一起使用的時候，1600MHz的內(nèi)存將被默認(rèn)降頻到1333MHz的主頻來運(yùn)行，不會對硬件造成任何影響，但是在高級參數(shù)中，一些雜牌內(nèi)存在混用時時序規(guī)格會出現(xiàn)問題，因此需要將它們設(shè)置為和老內(nèi)存相同的數(shù)值。
取消“Memory Frequency”和“Memory Performance Mode”選項(xiàng)的“Auto”的設(shè)置，將前者設(shè)為“1333MHz” (如圖2)，而這時在“Memory Performance Mode”下的“CAS Latency”、“RAS/CAS Delay”、“Row Precharge Time”、“Min Active RAS”變?yōu)榭烧{(diào)，將它們設(shè)為9-9-9-30。然后保存重新開機(jī)，即可正常進(jìn)入系統(tǒng)了。雖然并沒有發(fā)揮出新內(nèi)存的原有性能，但至少可以和老內(nèi)存的參數(shù)匹配了，混用變得更為穩(wěn)定。
小提示：
有的時候在兩條內(nèi)存混插后，開機(jī)會出現(xiàn)點(diǎn)不亮的情況，這樣就進(jìn)不了BIOS進(jìn)行設(shè)置了。這個時候只有短接CMOS電池清除BIOS信息。在一些主板上會有一些貼心的設(shè)計，如本例這款主板上有一個Memory OK按鍵(如圖3)，按下它后，就可以將內(nèi)存的頻率及參數(shù)下調(diào)到能正常開機(jī)的水平，接著繼續(xù)進(jìn)入BIOS再對它進(jìn)行設(shè)置。
其實(shí)內(nèi)存的所有規(guī)格參數(shù)都是記錄在SPD芯片，在開機(jī)電腦會根據(jù)其中的參數(shù)運(yùn)行內(nèi)存。對于一些在BIOS中沒有提供內(nèi)存參數(shù)調(diào)節(jié)選項(xiàng)的老主板，那么我們就只能用軟件來修改參數(shù)，也就是把參數(shù)寫入到SPD芯片中去，覆蓋掉原有的參數(shù)。
在這里使用SPD tool軟件，其修改內(nèi)存的參數(shù)比較多，但風(fēng)險比較大，需要事先做好備份工作。首先只將新內(nèi)存插在電腦上，開機(jī)打開SPD tool，點(diǎn)擊菜單欄“File”→“Read”→“Module 0：Installed” (如圖4)，讀取該內(nèi)存的SPD信息。當(dāng)讀取完后點(diǎn)擊“File”→“Save”，將它保存到電腦硬盤中，注意備份的文件名。
接著開始手動修改界面下方的各個選項(xiàng)，其中SDRAM Cycle time at Maximum Supported CAS Latency(內(nèi)存支持的最大CAS潛伏周期)，這里的值是1.25ns(800MHz)，改為1.50ns(666MHz)。接下來改Minimum Clock Cycle at CLX-1(最小CAS潛伏周期1)和Minimum Clock Cycle at CLX-2(最小CAS潛伏周期2)，把1.50ns(666MHz)和1.67ns(592MHz)分別改為1.67ns(592MHz)和1.93ns(518MHz)。向下找到Minimum Row Precharge Time(tRP)和Minimum RAS to CAS delay(tRCD)都改為30ns。
如果感覺這樣的設(shè)置比較麻煩，那么可以將老內(nèi)存的SPD參數(shù)讀出來，將其直接寫入到新內(nèi)存中(如圖5)。點(diǎn)擊菜單欄“File”→“Write”→“Module 0：Installed”，在出現(xiàn)提示時點(diǎn)“是”，在寫入成功后重啟電腦。
當(dāng)然這還不能保證內(nèi)存刷新完全成功了，還需要使用MemTest軟件進(jìn)行測試，它的測試原理就是不停地對內(nèi)存進(jìn)行讀寫，從而發(fā)現(xiàn)內(nèi)存中存在錯誤的區(qū)域。與SPDtool功能類似的軟件還有Thaiphoon Burner等，大家可以舉一反三。在修改時建議電腦上只插一條內(nèi)存，這樣不容易出現(xiàn)誤操作。
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