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　　cpu溫度60度 需要采取什么措施嗎：

　　人們?cè)谌粘Ｊ褂秒娔X時(shí)往往會(huì)長(zhǎng)時(shí)間，持續(xù)性的使用，這在夏天對(duì)電腦的CPU是一種考驗(yàn)，對(duì)于如何對(duì)CPU進(jìn)行降溫，我們有以下幾個(gè)選擇：

　　1.傳統(tǒng)的散熱墊：電腦放在普通的桌面上，往往與桌面形成對(duì)熱，況且桌面的散熱效果實(shí)在不怎么樣，大家在使用筆記本時(shí)會(huì)有這樣的感覺(jué)，電腦用了一段時(shí)間后，摸摸電腦下方的桌面，會(huì)感到非常的燙手，這都是過(guò)熱的緣故。，散熱墊適用于筆記本。

　　2.同樣適用與筆記本的，散熱器，相信已經(jīng)有很多電腦售貨商將散熱器進(jìn)行打包出售了，但是還有很多沒(méi)有散熱器的搭配，比如本人的電腦，散熱器是特地去買的。有些電腦品牌的自身散熱效果就不好，這更需要散熱器來(lái)幫忙降溫了。

　　3，對(duì)于臺(tái)式電腦，風(fēng)扇的正常運(yùn)作至關(guān)重要，大家電腦要經(jīng)常對(duì)風(fēng)扇進(jìn)行清理，臺(tái)式機(jī)的風(fēng)扇功率都蠻強(qiáng)的，不需要另外添加散熱設(shè)備，我們要做到的是將電腦CPU上長(zhǎng)時(shí)間堆積的灰塵進(jìn)行及時(shí)的清理，檢測(cè)風(fēng)扇的正常運(yùn)行狀況。(一些電腦或許是個(gè)人組裝的，CPU分盒裝和散裝。盒裝有散熱器，不需要再配。而散裝沒(méi)有散熱器，所以要配上功率相當(dāng)?shù)纳崞?，以維持CPU正常溫度。)

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　　擴(kuò)充內(nèi)存到1984年，即286被普遍接受不久，人們?cè)絹?lái)越認(rèn)識(shí)到640KB的限制已成為大型程序的障礙，這時(shí)，Intel和Lotus，這兩家硬、軟件的杰出代表，聯(lián)手制定了一個(gè)由硬件和軟件相結(jié)合的方案，此方法使所有PC機(jī)存取640KB以上RAM成為可能。而Microsoft剛推出Windows不久，對(duì)內(nèi)存空間的要求也很高，因此它也及時(shí)加入了該行列。

　　在1985年初，Lotus、Intel和Microsoft三家共同定義了LIM-EMS，即擴(kuò)充內(nèi)存規(guī)范，通常稱EMS為擴(kuò)充內(nèi)存。當(dāng)時(shí)，EMS需要一個(gè)安裝在I/O槽口的內(nèi)存擴(kuò)充卡和一個(gè)稱為EMS的擴(kuò)充內(nèi)存管理程序方可使用。但是I/O插槽的地址線只有24位(ISA總線)，這對(duì)于386以上檔次的32位機(jī)是不能適應(yīng)的。所以，現(xiàn)在已很少使用內(nèi)存擴(kuò)充卡?，F(xiàn)在微機(jī)中的擴(kuò)充內(nèi)存通常是用軟件如DOS中的EMM386把擴(kuò)展內(nèi)存模擬或擴(kuò)充內(nèi)存來(lái)使用。所以，擴(kuò)充內(nèi)存和擴(kuò)展內(nèi)存的區(qū)別并不在于其物理存儲(chǔ)器的位置，而在于使用什么方法來(lái)讀寫(xiě)它。下面將作進(jìn)一步介紹。前面已經(jīng)說(shuō)過(guò)擴(kuò)充存儲(chǔ)器也可以由擴(kuò)展存儲(chǔ)器模擬轉(zhuǎn)換而成。EMS的原理和XMS不同，它采用了頁(yè)幀方式。

　　頁(yè)幀是在1MB空間中指定一塊64KB空間(通常在保留內(nèi)存區(qū)內(nèi)，但其物理存儲(chǔ)器來(lái)自擴(kuò)展存儲(chǔ)器)，分為4頁(yè)，每頁(yè)16KB。EMS存儲(chǔ)器也按16KB分頁(yè)，每次可交換4頁(yè)內(nèi)容，以此方式可訪問(wèn)全部EMS存儲(chǔ)器。符合EMS的驅(qū)動(dòng)程序很多，常用的有EMM386.EXE、QEMM、TurboEMS、386MAX等。DOS和Windows中都提供了EMM386.EXE。

　　擴(kuò)展內(nèi)存我們知道，286有24位地址線，它可尋址16MB的地址空間，而386有32位地址線，它可尋址高達(dá)4GB的地址空間，為了區(qū)別起見(jiàn)，我們把1MB以上的地址空間稱為擴(kuò)展內(nèi)存XMS(eXtend memory)。擴(kuò)展內(nèi)存圖解在386以上檔次的微機(jī)中，有兩種存儲(chǔ)器工作方式，一種稱為實(shí)地址方式或?qū)嵎绞剑硪环N稱為保護(hù)方式。在實(shí)方式下，物理地址仍使用20位，所以最大尋址空間為1MB，以便與8086兼容。

　　保護(hù)方式采用32位物理地址，尋址范圍可達(dá)4GB。DOS系統(tǒng)在實(shí)方式下工作，它管理的內(nèi)存空間仍為1MB，因此它不能直接使用擴(kuò)展存儲(chǔ)器。為此，Lotus、Intel、AST及Microsoft公司建立了MS-DOS下擴(kuò)展內(nèi)存的使用標(biāo)準(zhǔn)，即擴(kuò)展內(nèi)存規(guī)范XMS。我們常在Config.sys文件中看到的Himem.sys就是管理擴(kuò)展內(nèi)存的驅(qū)動(dòng)程序。擴(kuò)展內(nèi)存管理規(guī)范的出現(xiàn)遲于擴(kuò)充內(nèi)存管理規(guī)范。高端內(nèi)存區(qū)在實(shí)方式下，內(nèi)存單元的地址可記為：段地址：段內(nèi)偏移高端內(nèi)存通常用十六進(jìn)制寫(xiě)為XXXX：XXXX。實(shí)際的物理地址由段地址左移4位再和段內(nèi)偏移相加而成。

　　若地址各位均為1時(shí)，即為FFFF：FFFF。其實(shí)際物理地址為：FFF0+FFFF=10FFEF，約為1088KB(少16字節(jié))，這已超過(guò)1MB范圍進(jìn)入擴(kuò)展內(nèi)存了。這個(gè)進(jìn)入擴(kuò)展內(nèi)存的區(qū)域約為64KB，是1MB以上空間的第一個(gè)64KB。我們把它稱為高端內(nèi)存區(qū)HMA(High Memory Area)。HMA的物理存儲(chǔ)器是由擴(kuò)展存儲(chǔ)器取得的。因此要使用HMA，必須要有物理的擴(kuò)展存儲(chǔ)器存在。此外HMA的建立和使用還需要XMS驅(qū)動(dòng)程序HIMEM.SYS的支持，因此只有裝入了HIMEM.SYS之后才能使用HMA。

　　上位內(nèi)存為了解釋上位內(nèi)存的概念，我們還得回過(guò)頭看看保留內(nèi)存區(qū)。保留內(nèi)存區(qū)是指640KB～1024KB(共384KB)區(qū)域。這部分區(qū)域在PC誕生之初就明確是保留給系統(tǒng)使用的，用戶程序無(wú)法插足。

　　但這部分空間并沒(méi)有充分使用，因此大家都想對(duì)剩余的部分打主意，分一塊地址空間(注意：是地址空間，而不是物理存儲(chǔ)器)來(lái)使用。于是就得到了又一塊內(nèi)存區(qū)域UMB。UMB(Upper Memory Blocks)稱為上位內(nèi)存或上位內(nèi)存塊。它是由擠占保留內(nèi)存中剩余未用的空間而產(chǎn)生的，它的物理存儲(chǔ)器仍然取自物理的擴(kuò)展存儲(chǔ)器，它的管理驅(qū)動(dòng)程序是EMS驅(qū)動(dòng)程序。

　　影子內(nèi)存對(duì)于細(xì)心的讀者，可能還會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)問(wèn)題：即是對(duì)于裝有1MB或1MB以上物理存儲(chǔ)器的機(jī)器，其640KB～1024KB這部分物理存儲(chǔ)器如何使用的問(wèn)題。由于這部分地址空間已分配為系統(tǒng)使用，所以不能再重復(fù)使內(nèi)存用。為了利用這部分物理存儲(chǔ)器，在某些386系統(tǒng)中，提供了一個(gè)重定位功能，即把這部分物理存儲(chǔ)器的地址重定位為1024KB～1408KB。這樣，這部分物理存儲(chǔ)器就變成了擴(kuò)展存儲(chǔ)器，當(dāng)然可以使用了。但這種重定位功能在當(dāng)今高檔機(jī)器中不再使用，而把這部分物理存儲(chǔ)器保留作為Shadow存儲(chǔ)器。

　　Shadow存儲(chǔ)器可以占據(jù)的地址空間與對(duì)應(yīng)的ROM是相同的。Shadow由RAM組成，其速度大大高于ROM。當(dāng)把ROM中的內(nèi)容(各種BIOS程序)裝入相同地址的Shadow RAM中，就可以從RAM中訪問(wèn)BIOS，而不必再訪問(wèn)ROM。這樣將大大提高系統(tǒng)性能。因此在設(shè)置CMOS參數(shù)時(shí)，應(yīng)將相應(yīng)的Shadow區(qū)設(shè)為允許使用(Enabled)。

　　奇偶校驗(yàn)奇/偶校驗(yàn)(ECC)是數(shù)據(jù)傳送時(shí)采用的一種校正數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的一種方式，分為奇校驗(yàn)和偶校驗(yàn)兩種。如果是采用奇校驗(yàn)，在傳送每一個(gè)字節(jié)的時(shí)候另外附加一位作為校驗(yàn)位，當(dāng)實(shí)際數(shù)據(jù)中“1”的個(gè)數(shù)為偶數(shù)的時(shí)候，這個(gè)校驗(yàn)位就是“1”，否則這個(gè)校驗(yàn)位就是“0”，這樣就可以保證傳送數(shù)據(jù)滿足奇校驗(yàn)的要求。在接收方收到數(shù)據(jù)時(shí)，將按照奇校驗(yàn)的要求檢測(cè)數(shù)據(jù)中“1”的個(gè)數(shù)，如果是奇數(shù)，表示傳送正確，否則表示傳送錯(cuò)誤。同理偶校驗(yàn)的過(guò)程和奇校驗(yàn)的過(guò)程一樣，只是檢測(cè)數(shù)據(jù)中“1”的個(gè)數(shù)為偶數(shù)。

　　CL延遲CL反應(yīng)時(shí)間是衡定內(nèi)存的另一個(gè)標(biāo)志。CL是CAS Latency的縮寫(xiě)，指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間，簡(jiǎn)單的說(shuō)，就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度。

　　一般的參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小，代表反應(yīng)所需的時(shí)間越短。在早期的PC133內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中，這個(gè)數(shù)值規(guī)定為3，而在Intel重新制訂的新規(guī)范中，強(qiáng)制要求CL的反應(yīng)時(shí)間必須為2，這樣在一定程度上，對(duì)于內(nèi)存廠商的芯片及PCB的組裝工藝要求相對(duì)較高，同時(shí)也保證了更優(yōu)秀的品質(zhì)。因內(nèi)存此在選購(gòu)品牌內(nèi)存時(shí)，這是一個(gè)不可不察的因素。還有另的詮釋：內(nèi)存延遲基本上可以解釋成是系統(tǒng)進(jìn)入數(shù)據(jù)進(jìn)行存取操作就序狀態(tài)前等待內(nèi)存響應(yīng)的時(shí)間。

　　打個(gè)形象的比喻，就像你在餐館里用餐的過(guò)程一樣。你首先要點(diǎn)菜，然后就等待服務(wù)員給你上菜。同樣的道理，內(nèi)存延遲時(shí)間設(shè)置的越短，電腦從內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)的速度也就越快，進(jìn)而電腦其他的性能也就越高。這條規(guī)則雙雙適用于基于英特爾以及AMD處理器的系統(tǒng)中。

　　由于沒(méi)有比2-2-2-5更低的延遲，因此國(guó)際內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)組織認(rèn)為以現(xiàn)在的動(dòng)態(tài)內(nèi)存技術(shù)還無(wú)法實(shí)現(xiàn)0或者1的延遲。通常情況下，我們用4個(gè)連著的阿拉伯?dāng)?shù)字來(lái)表示一個(gè)內(nèi)存延遲，例如2-2-2-5。其中，第一個(gè)數(shù)字最為重要，它表示的是CAS Latency，也就是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間。第二個(gè)數(shù)字表示的是RAS-CAS延遲，接下來(lái)的兩個(gè)數(shù)字分別表示的是RAS預(yù)充電時(shí)間和Act-to-Precharge延遲。而第四個(gè)數(shù)字一般而言是它們中間最大的一個(gè)。