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　　cpu溫度60度 需要采取什么措施嗎：

　　人們在日常使用電腦時往往會長時間，持續(xù)性的使用，這在夏天對電腦的CPU是一種考驗，對于如何對CPU進行降溫，我們有以下幾個選擇：

　　1.傳統(tǒng)的散熱墊：電腦放在普通的桌面上，往往與桌面形成對熱，況且桌面的散熱效果實在不怎么樣，大家在使用筆記本時會有這樣的感覺，電腦用了一段時間后，摸摸電腦下方的桌面，會感到非常的燙手，這都是過熱的緣故。，散熱墊適用于筆記本。

　　2.同樣適用與筆記本的，散熱器，相信已經(jīng)有很多電腦售貨商將散熱器進行打包出售了，但是還有很多沒有散熱器的搭配，比如本人的電腦，散熱器是特地去買的。有些電腦品牌的自身散熱效果就不好，這更需要散熱器來幫忙降溫了。

　　3，對于臺式電腦，風(fēng)扇的正常運作至關(guān)重要，大家電腦要經(jīng)常對風(fēng)扇進行清理，臺式機的風(fēng)扇功率都蠻強的，不需要另外添加散熱設(shè)備，我們要做到的是將電腦CPU上長時間堆積的灰塵進行及時的清理，檢測風(fēng)扇的正常運行狀況。(一些電腦或許是個人組裝的，CPU分盒裝和散裝。盒裝有散熱器，不需要再配。而散裝沒有散熱器，所以要配上功率相當(dāng)?shù)纳崞?，以維持CPU正常溫度。)

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　　擴充內(nèi)存到1984年，即286被普遍接受不久，人們越來越認識到640KB的限制已成為大型程序的障礙，這時，Intel和Lotus，這兩家硬、軟件的杰出代表，聯(lián)手制定了一個由硬件和軟件相結(jié)合的方案，此方法使所有PC機存取640KB以上RAM成為可能。而Microsoft剛推出Windows不久，對內(nèi)存空間的要求也很高，因此它也及時加入了該行列。

　　在1985年初，Lotus、Intel和Microsoft三家共同定義了LIM-EMS，即擴充內(nèi)存規(guī)范，通常稱EMS為擴充內(nèi)存。當(dāng)時，EMS需要一個安裝在I/O槽口的內(nèi)存擴充卡和一個稱為EMS的擴充內(nèi)存管理程序方可使用。但是I/O插槽的地址線只有24位(ISA總線)，這對于386以上檔次的32位機是不能適應(yīng)的。所以，現(xiàn)在已很少使用內(nèi)存擴充卡?，F(xiàn)在微機中的擴充內(nèi)存通常是用軟件如DOS中的EMM386把擴展內(nèi)存模擬或擴充內(nèi)存來使用。所以，擴充內(nèi)存和擴展內(nèi)存的區(qū)別并不在于其物理存儲器的位置，而在于使用什么方法來讀寫它。下面將作進一步介紹。前面已經(jīng)說過擴充存儲器也可以由擴展存儲器模擬轉(zhuǎn)換而成。EMS的原理和XMS不同，它采用了頁幀方式。

　　頁幀是在1MB空間中指定一塊64KB空間(通常在保留內(nèi)存區(qū)內(nèi)，但其物理存儲器來自擴展存儲器)，分為4頁，每頁16KB。EMS存儲器也按16KB分頁，每次可交換4頁內(nèi)容，以此方式可訪問全部EMS存儲器。符合EMS的驅(qū)動程序很多，常用的有EMM386.EXE、QEMM、TurboEMS、386MAX等。DOS和Windows中都提供了EMM386.EXE。

　　擴展內(nèi)存我們知道，286有24位地址線，它可尋址16MB的地址空間，而386有32位地址線，它可尋址高達4GB的地址空間，為了區(qū)別起見，我們把1MB以上的地址空間稱為擴展內(nèi)存XMS(eXtend memory)。擴展內(nèi)存圖解在386以上檔次的微機中，有兩種存儲器工作方式，一種稱為實地址方式或?qū)嵎绞?，另一種稱為保護方式。在實方式下，物理地址仍使用20位，所以最大尋址空間為1MB，以便與8086兼容。

　　保護方式采用32位物理地址，尋址范圍可達4GB。DOS系統(tǒng)在實方式下工作，它管理的內(nèi)存空間仍為1MB，因此它不能直接使用擴展存儲器。為此，Lotus、Intel、AST及Microsoft公司建立了MS-DOS下擴展內(nèi)存的使用標準，即擴展內(nèi)存規(guī)范XMS。我們常在Config.sys文件中看到的Himem.sys就是管理擴展內(nèi)存的驅(qū)動程序。擴展內(nèi)存管理規(guī)范的出現(xiàn)遲于擴充內(nèi)存管理規(guī)范。高端內(nèi)存區(qū)在實方式下，內(nèi)存單元的地址可記為：段地址：段內(nèi)偏移高端內(nèi)存通常用十六進制寫為XXXX：XXXX。實際的物理地址由段地址左移4位再和段內(nèi)偏移相加而成。

　　若地址各位均為1時，即為FFFF：FFFF。其實際物理地址為：FFF0+FFFF=10FFEF，約為1088KB(少16字節(jié))，這已超過1MB范圍進入擴展內(nèi)存了。這個進入擴展內(nèi)存的區(qū)域約為64KB，是1MB以上空間的第一個64KB。我們把它稱為高端內(nèi)存區(qū)HMA(High Memory Area)。HMA的物理存儲器是由擴展存儲器取得的。因此要使用HMA，必須要有物理的擴展存儲器存在。此外HMA的建立和使用還需要XMS驅(qū)動程序HIMEM.SYS的支持，因此只有裝入了HIMEM.SYS之后才能使用HMA。

　　上位內(nèi)存為了解釋上位內(nèi)存的概念，我們還得回過頭看看保留內(nèi)存區(qū)。保留內(nèi)存區(qū)是指640KB～1024KB(共384KB)區(qū)域。這部分區(qū)域在PC誕生之初就明確是保留給系統(tǒng)使用的，用戶程序無法插足。

　　但這部分空間并沒有充分使用，因此大家都想對剩余的部分打主意，分一塊地址空間(注意：是地址空間，而不是物理存儲器)來使用。于是就得到了又一塊內(nèi)存區(qū)域UMB。UMB(Upper Memory Blocks)稱為上位內(nèi)存或上位內(nèi)存塊。它是由擠占保留內(nèi)存中剩余未用的空間而產(chǎn)生的，它的物理存儲器仍然取自物理的擴展存儲器，它的管理驅(qū)動程序是EMS驅(qū)動程序。

　　影子內(nèi)存對于細心的讀者，可能還會發(fā)現(xiàn)一個問題：即是對于裝有1MB或1MB以上物理存儲器的機器，其640KB～1024KB這部分物理存儲器如何使用的問題。由于這部分地址空間已分配為系統(tǒng)使用，所以不能再重復(fù)使內(nèi)存用。為了利用這部分物理存儲器，在某些386系統(tǒng)中，提供了一個重定位功能，即把這部分物理存儲器的地址重定位為1024KB～1408KB。這樣，這部分物理存儲器就變成了擴展存儲器，當(dāng)然可以使用了。但這種重定位功能在當(dāng)今高檔機器中不再使用，而把這部分物理存儲器保留作為Shadow存儲器。

　　Shadow存儲器可以占據(jù)的地址空間與對應(yīng)的ROM是相同的。Shadow由RAM組成，其速度大大高于ROM。當(dāng)把ROM中的內(nèi)容(各種BIOS程序)裝入相同地址的Shadow RAM中，就可以從RAM中訪問BIOS，而不必再訪問ROM。這樣將大大提高系統(tǒng)性能。因此在設(shè)置CMOS參數(shù)時，應(yīng)將相應(yīng)的Shadow區(qū)設(shè)為允許使用(Enabled)。

　　奇偶校驗奇/偶校驗(ECC)是數(shù)據(jù)傳送時采用的一種校正數(shù)據(jù)錯誤的一種方式，分為奇校驗和偶校驗兩種。如果是采用奇校驗，在傳送每一個字節(jié)的時候另外附加一位作為校驗位，當(dāng)實際數(shù)據(jù)中“1”的個數(shù)為偶數(shù)的時候，這個校驗位就是“1”，否則這個校驗位就是“0”，這樣就可以保證傳送數(shù)據(jù)滿足奇校驗的要求。在接收方收到數(shù)據(jù)時，將按照奇校驗的要求檢測數(shù)據(jù)中“1”的個數(shù)，如果是奇數(shù)，表示傳送正確，否則表示傳送錯誤。同理偶校驗的過程和奇校驗的過程一樣，只是檢測數(shù)據(jù)中“1”的個數(shù)為偶數(shù)。

　　CL延遲CL反應(yīng)時間是衡定內(nèi)存的另一個標志。CL是CAS Latency的縮寫，指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間，簡單的說，就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度。

　　一般的參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小，代表反應(yīng)所需的時間越短。在早期的PC133內(nèi)存標準中，這個數(shù)值規(guī)定為3，而在Intel重新制訂的新規(guī)范中，強制要求CL的反應(yīng)時間必須為2，這樣在一定程度上，對于內(nèi)存廠商的芯片及PCB的組裝工藝要求相對較高，同時也保證了更優(yōu)秀的品質(zhì)。因內(nèi)存此在選購品牌內(nèi)存時，這是一個不可不察的因素。還有另的詮釋：內(nèi)存延遲基本上可以解釋成是系統(tǒng)進入數(shù)據(jù)進行存取操作就序狀態(tài)前等待內(nèi)存響應(yīng)的時間。

　　打個形象的比喻，就像你在餐館里用餐的過程一樣。你首先要點菜，然后就等待服務(wù)員給你上菜。同樣的道理，內(nèi)存延遲時間設(shè)置的越短，電腦從內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)的速度也就越快，進而電腦其他的性能也就越高。這條規(guī)則雙雙適用于基于英特爾以及AMD處理器的系統(tǒng)中。

　　由于沒有比2-2-2-5更低的延遲，因此國際內(nèi)存標準組織認為以現(xiàn)在的動態(tài)內(nèi)存技術(shù)還無法實現(xiàn)0或者1的延遲。通常情況下，我們用4個連著的阿拉伯?dāng)?shù)字來表示一個內(nèi)存延遲，例如2-2-2-5。其中，第一個數(shù)字最為重要，它表示的是CAS Latency，也就是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間。第二個數(shù)字表示的是RAS-CAS延遲，接下來的兩個數(shù)字分別表示的是RAS預(yù)充電時間和Act-to-Precharge延遲。而第四個數(shù)字一般而言是它們中間最大的一個。