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手機(jī)cpu頻率多少合適

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  手機(jī)CPU在日常生活中都是容易被消費(fèi)者所忽略的手機(jī)性能之一,其實(shí)一部性能卓越的智能手機(jī)最為重要的肯定是它的“芯”也就是CPU,下面是學(xué)習(xí)啦小編帶來(lái)的關(guān)于手機(jī)cpu頻率多少合適的內(nèi)容,歡迎閱讀!

  手機(jī)cpu頻率多少合適:

  只要是適合自己的CPU最合適。

  就手機(jī)本身來(lái)說(shuō),其實(shí)cpu雙核,也足以應(yīng)對(duì)正常的計(jì)算量了。

  美國(guó)的探險(xiǎn)者飛船,飛出太陽(yáng)系的飛船,也只是用了雙核1G的cpu,管理與地球之間的通訊,實(shí)時(shí)運(yùn)行數(shù)據(jù)及反饋修正等等大量的計(jì)算,都沒(méi)有任何問(wèn)題。

  還有就是系統(tǒng)匹配問(wèn)題了,比如,8核1.5G的cpu配個(gè)512M的運(yùn)行內(nèi)存,這個(gè)問(wèn)題就來(lái)了,緩存根本就跟不上cpu對(duì)數(shù)據(jù)的需求量。這樣的手機(jī),根本會(huì)卡頓的幾乎無(wú)法運(yùn)行的。

  基于以上原因,給個(gè)數(shù)據(jù)供參考:

  4核手機(jī),最主流的速度是2.4G左右,如高通的614,這個(gè)適配至少2G以上運(yùn)行內(nèi)存;

  1,手機(jī)CPU頻率不是越高越好。

  2,CPU的性能高低要從CPU的架構(gòu)開始看,架構(gòu)越新越好。

  3,然后到CPU的核心數(shù),核心數(shù)越多,多任務(wù)越強(qiáng)。

  4,最后到CPU頻率和緩存大小,頻率越高,緩存越大,性能越好。

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  內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣,習(xí)慣上被用來(lái)表示內(nèi)存的速度,它代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz(兆赫)為單位來(lái)計(jì)量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前較為主流的內(nèi)存規(guī)格是DDR3,這種規(guī)格的內(nèi)存比較常見(jiàn)的頻率有1333MHz和1600MHz兩種。

  大家知道,計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的時(shí)鐘速度是以頻率來(lái)衡量的。晶體振蕩器控制著時(shí)鐘速度,在石英晶片上加上電壓,其就以正弦波的形式震動(dòng)起來(lái),這一震動(dòng)可以通過(guò)晶片的形變和大小記錄下來(lái)。晶體的震動(dòng)以正弦調(diào)和變化的電流的形式表現(xiàn)出來(lái),這一變化的電流就是時(shí)鐘信號(hào)。而內(nèi)存本身并不具備晶體振蕩器,因此內(nèi)存工作時(shí)的時(shí)鐘信號(hào)是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時(shí)鐘發(fā)生器提供的,也就是說(shuō)內(nèi)存無(wú)法決定自身的工作頻率,其實(shí)際工作頻率是由主板來(lái)決定的。

  DDR內(nèi)存和DDR2內(nèi)存和DDR3的內(nèi)存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示,工作頻率是內(nèi)存顆粒實(shí)際的工作頻率,但是由于DDR內(nèi)存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù),因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的兩倍;而DDR2內(nèi)存和DDR3內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以四倍于工作頻率的速度讀/寫數(shù)據(jù),因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作頻率分別是100/133/166/200MHz,而等效頻率分別是200/266/333/400MHz;DDR2 400/533/667/800的工作頻率分別是100/133/166/200MHz,而等效頻率分別是400/533/667/800MHz;DDR31066/1333/1600/1800/2000的工作頻率分別是266/333/400/450/500MHZ,而等效頻率分別是1066/1333/1600/1800/2000MHZ。

  內(nèi)存異步工作模式包含多種意義,在廣義上凡是內(nèi)存工作頻率與CPU的外頻不一致時(shí)都可以稱為內(nèi)存異步工作模式。首先,最早的內(nèi)存異步工作模式出現(xiàn)在早期的主板芯片組中,可以使內(nèi)存工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是簡(jiǎn)單相差33MHz),從而可以提高系統(tǒng)內(nèi)存性能或者使老內(nèi)存繼續(xù)發(fā)揮余熱。其次,在正常的工作模式(CPU不超頻)下,不少主板芯片組也支持內(nèi)存異步工作模式,例如Intel 910GL芯片組,僅僅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外頻,但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作(注意此時(shí)其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經(jīng)相差66MHz了),只不過(guò)搭配不同的內(nèi)存其性能有差異罷了。

  再次,在CPU超頻的情況下,為了不使內(nèi)存拖CPU超頻能力的后腿,此時(shí)可以調(diào)低內(nèi)存的工作頻率以便于超頻,例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超頻,不少產(chǎn)品的外頻都可以輕松超上300MHz,而此如果在內(nèi)存同步的工作模式下,此時(shí)內(nèi)存的等效頻率將高達(dá)DDR 600,這顯然是不可能的,為了順利超上300MHz外頻,我們可以在超頻前在主板BIOS中把內(nèi)存設(shè)置為DDR 333或DDR 266,在超上300MHz外頻之后,前者也不過(guò)才DDR 500(某些極品內(nèi)存可以達(dá)到),而后者更是只有DDR 400(完全是正常的標(biāo)準(zhǔn)頻率),由此可見(jiàn),正確設(shè)置內(nèi)存異步模式有助于超頻成功。

  主板芯片組幾乎都支持內(nèi)存異步,英特爾公司從810系列到較新的875系列都支持,而威盛公司則從693芯片組以后全部都提供了此功能在。

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