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常見內(nèi)存型號基礎(chǔ)知識大全

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常見內(nèi)存型號基礎(chǔ)知識大全

  歡迎來到學(xué)習(xí)啦,本文為大家講解常見內(nèi)存型號基礎(chǔ)知識大全,歡迎大家閱讀借鑒,多學(xué)習(xí),終身有益。

  DDR=DoubleDataRate雙倍速率同步固態(tài)隨機(jī)處理器

  嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDRSDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,部分初學(xué)者也??吹紻DRSDRAM,就認(rèn)為是SDRAM。DDRSDRAM是 DoubleDataRateSDRAM的縮寫,是雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的,仍然沿用 SDRAM生產(chǎn)體系,因此對于內(nèi)存廠商而言,只需對制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn),即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn),可有效的降低成本。

  什么是DDR1?

  有時候大家將老的存儲技術(shù)DDR稱為DDR1,使之與DDR2加以區(qū)分。盡管一般是使用“DDR”,但DDR1與DDR的含義相同。

  DDR1規(guī)格

  DDR-200:DDR-SDRAM記憶芯片在100MHz下運(yùn)行DDR-266:DDR-SDRAM記憶芯片在133MHz下運(yùn)行DDR- 333:DDR-SDRAM記憶芯片在166MHz下運(yùn)行DDR-400:DDR-SDRAM記憶芯片在200MHz下運(yùn)行(JEDEC制定的DDR最高規(guī)格)DDR-500:DDR-SDRAM記憶芯片在250MHz下運(yùn)行(非JEDEC制定的DDR規(guī)格)DDR-600:DDR-SDRAM記憶芯片在 300MHz下運(yùn)行(非JEDEC制定的DDR規(guī)格)DDR-700:DDR-SDRAM記憶芯片在350MHz下運(yùn)行(非JEDEC制定的DDR規(guī)格)

  什么是DDR2?

  DDR2/DDRII(DoubleDataRate2)SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會)進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是,雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?,但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR 內(nèi)存預(yù)讀取能力(即:4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取)。換句話說,DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù),并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。

  此外,由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式,而不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式,F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性,為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅實(shí)的基礎(chǔ)?;叵肫餌DR的發(fā)展歷程,從第一代應(yīng)用到個人電腦的 DDR200經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù),第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限,已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度;隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展,前端總線對內(nèi)存帶寬的要求是越來越高,擁有更高更穩(wěn)定運(yùn)行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢所趨。

  什么是DDR3?

  DDR3是針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)(但目前主要用于顯卡內(nèi)存),頻率在800M以上,和DDR2相比優(yōu)勢如下:

  (1)功耗和發(fā)熱量較小:吸取了DDR2的教訓(xùn),在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量,使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。

  (2)工作頻率更高:由于能耗降低,DDR3可實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率,在一定程度彌補(bǔ)了延遲時間較長的缺點(diǎn),同時還可作為顯卡的賣點(diǎn)之一,這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現(xiàn)。

  (3)降低顯卡整體成本:DDR2顯存顆粒規(guī)格多為16MX32bit,搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。而DDR3顯存顆粒規(guī)格多為32MX32bit,單顆顆粒容量較大,4顆即可構(gòu)成128MB顯存。如此一來,顯卡PCB面積可減小,成本得以有效控制,此外,顆粒數(shù)減少后,顯存功耗也能進(jìn)一步降低。

  (4)通用性好:相對于DDR變

  更到DDR2,DDR3對DDR2的兼容性更好。由于針腳、封裝等關(guān)鍵特性不變,搭配DDR2的顯示核心和公版設(shè)計的顯卡稍加修改便能采用DDR3顯存,這對廠商降低成本大有好處。

  目前,DDR3顯存在新出的大多數(shù)中高端顯卡上得到了廣泛的應(yīng)用。

  編后語:大家通過閱讀以上為大家詳細(xì)介紹的常見內(nèi)存型號基礎(chǔ)知識,對于電腦內(nèi)存是不是有了個深刻的理解了呢!希望能夠幫助到大家學(xué)習(xí)到更多關(guān)于電腦基礎(chǔ)知識!

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