安卓m修復(fù)內(nèi)存泄漏了嗎

　　安卓m修復(fù)內(nèi)存泄漏了嗎?內(nèi)存泄漏簡單地說就是申請了一塊內(nèi)存空間，使用完畢后沒有釋放掉。它的一般表現(xiàn)方式是程序運行時間越長，占用內(nèi)存越多，最終用盡全部內(nèi)存，整個系統(tǒng)崩潰。由程序申請的一塊內(nèi)存，且沒有任何一個指針指向它，那么這塊內(nèi)存就泄露了。下面是學習啦小編整理的一些相關(guān)的信息，希望對大家有幫助!

　　安卓m修復(fù)內(nèi)存泄漏了嗎?

　　Android M：延續(xù)Android L

　　去年，谷歌9月份發(fā)布了安卓5.0 L開發(fā)者預(yù)覽版，本次版本最大的變化在于UI用戶界面的設(shè)計，新的Android 5.0 Lollipop采用全新的 “Material Design”設(shè)計規(guī)范，界面更加簡潔、色彩更加豐富，動畫效果更加合理生動?？v觀安卓各版本升級，Android L是安卓系統(tǒng)有史以來比較大的一個更新，主要的新特性有全新的 Material Design風格用戶界面，新的通知消息系統(tǒng)，多任務(wù)界面有著全新的Google Now卡片風格，64位編譯器，默認的ART運行模式，同時還有Project Volta省電模式。不可否認，這些都會在Android M 6.0系統(tǒng)中保留下來，同時會有更好的表現(xiàn)。Android M會給我們帶來什么值得期待的新功能呢

　　 Android M發(fā)布在即

　　Android M：修復(fù)內(nèi)存泄露問題

　　月底發(fā)布的安卓M是否能解決安卓L的“歷史遺留問題”呢?

　　什么是內(nèi)存泄漏?內(nèi)存泄漏簡單地說就是申請了一塊內(nèi)存空間，使用完畢后沒有釋放掉。它的一般表現(xiàn)方式是程序運行時間越長，占用內(nèi)存越多，最終用盡全部內(nèi)存，整個系統(tǒng)崩潰。由程序申請的一塊內(nèi)存，且沒有任何一個指針指向它，那么這塊內(nèi)存就泄露了。安卓L 5.0系統(tǒng)是一次意義非凡的更新，然而安卓5.0帶來了諸多新特性的同時，也引入了很多問題。其中最令人頭疼的一個問題，莫過就是內(nèi)存泄漏的Bug——安卓5.0的系統(tǒng)RAM占用會隨著開機使用時間增長而大幅增加，最后App會不斷重載乃至崩潰。安卓5.1.1的出現(xiàn)，讓不少安卓黨對其是否能成功解決內(nèi)存泄漏問題心生期待。不過，細心的用戶發(fā)現(xiàn)，在安卓5.1.1更新日志的性能優(yōu)化板塊中，并沒有發(fā)現(xiàn)已修復(fù)該問題的說明。

　　由于谷歌已經(jīng)承諾將在不久的未來解決這個問題，我們可以肯定隨著安卓 M 6.0系統(tǒng)的發(fā)布，內(nèi)存泄露問題會有上佳的解決方案。

　　 安卓L的內(nèi)存泄漏問題