LPDDR都是什么？不知道的話跟著學(xué)習(xí)啦小編一起來了解一下LPDDR是什么？
　
　　LPDDR內(nèi)存的介紹

　　每當(dāng)新款手機(jī)發(fā)布時(shí)，廠商都會(huì)拿出各種專有技術(shù)名詞來營(yíng)造“高大上”的感覺，吸引消費(fèi)者。然而對(duì)大多數(shù)用戶而言，這些名詞往往聽得是云里霧里，不知所言為何。相比于屏幕上的專屬名詞，手機(jī)內(nèi)存方面帶給消費(fèi)者的迷茫想必更多。那么今天，筆者就為您盤點(diǎn)一下手機(jī)內(nèi)存中的名詞。

　　1、內(nèi)存雙通道

　　對(duì)于電腦的DIY玩家來說，內(nèi)存雙通道想必是極為熟悉的，而隨著硬件技術(shù)的進(jìn)步，內(nèi)存雙通道開始被手機(jī)所使用。

　　廣義的說，內(nèi)存雙通道是指使用兩條相同品牌相同容量?jī)?nèi)存組建的一種內(nèi)存方式(當(dāng)然自英特爾研發(fā)出彈性內(nèi)存雙通道技術(shù)后，用戶完全可以使用不同品牌不 同容量的內(nèi)存來組建雙通道內(nèi)存，只是容量會(huì)有一定限制)，也就是使用兩個(gè)內(nèi)存控制器分別控制兩條內(nèi)存，理論上比單通道的性能要強(qiáng)，因此得到廣泛采用。

　　我們以PC為例來說明。普通的單通道內(nèi)存系統(tǒng)具有一個(gè)64位的內(nèi)存控制器，而雙通道內(nèi)存系統(tǒng)則有2個(gè)64位的內(nèi)存控制器，在雙通道模式下具有128bit的內(nèi)存位寬，從而在理論上把內(nèi)存帶寬提高一倍。

　　雖然雙64位內(nèi)存體系所提供的帶寬等同于一個(gè)128位內(nèi)存體系所提供的帶寬，但是二者所達(dá)到效果卻是不同的。具體表現(xiàn)為兩個(gè)內(nèi)存控制器都能夠在彼此間零延遲的情況下同時(shí)運(yùn)作。

　　比如說兩個(gè)內(nèi)存控制器，一個(gè)為A、另一個(gè)為B。當(dāng)控制器B準(zhǔn)備進(jìn)行下一次存取內(nèi)存的時(shí)候，控制器A就在讀/寫主內(nèi)存，反之亦然。兩個(gè)內(nèi)存控制器的這種互補(bǔ)“天性”可以讓等待時(shí)間縮減50%。

　　雙通道DDR的兩個(gè)內(nèi)存控制器在功能上是完全一樣的，并且兩個(gè)控制器的時(shí)序參數(shù)都是可以單獨(dú)編程設(shè)定的。

　　目前，高通驍龍810處理器已經(jīng)支持雙通道內(nèi)存，然而經(jīng)測(cè)試表明，手機(jī)中雙通道內(nèi)存在實(shí)際表現(xiàn)中與單通道內(nèi)存表現(xiàn)相差無幾。

　　究其原因，無外乎手機(jī)整體的性能較PC還有較大的差距。即使是PC，也僅是在高負(fù)荷的情況下才能發(fā)揮出雙通道的優(yōu)勢(shì)。

　　就手機(jī)目前的性能要求來看，帶寬遠(yuǎn)不是瓶頸。對(duì)廠家來說，內(nèi)存雙通道更多是為未來做的技術(shù)準(zhǔn)備，目前來看并沒有什么卵用，因此對(duì)大多數(shù)安卓機(jī)來說，提高內(nèi)存容量是比使用雙通道技術(shù)更現(xiàn)實(shí)的事情。

　　2、LPDDR3與LPDDR4

　　如果您關(guān)注最新的手機(jī)動(dòng)態(tài)，就會(huì)發(fā)現(xiàn)近期的主流旗艦開始搭載全新的LPDDR4 RAM。

　　所謂的LPDDR，即Low Power Double Data Rate SDRAM，是DDR SDRAM的一種，又稱為 mDDR(Mobile DDR SDRM)，是美國(guó)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)(JEDEC Solid State Technology Association)面向低功耗內(nèi)存而制定的通信標(biāo)準(zhǔn)，以低功耗和小體積著稱，專門用于移動(dòng)式電子產(chǎn)品。

　　LPDDR技術(shù)隨著智能手機(jī)領(lǐng)域整體的技術(shù)進(jìn)步已然發(fā)展的十分成熟。如今應(yīng)用最廣的當(dāng)屬LPDDR3，由JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2012年5月正式發(fā)布。

　　LPDDR3同LPDDR2一樣，支持PoP堆疊封裝和獨(dú)立封裝，滿足不同類型移動(dòng)設(shè)備的需要，而且引入了全新的技術(shù)，如確保內(nèi)存運(yùn)行于業(yè)內(nèi)最快輸 入總線速度的同時(shí)，維持?jǐn)?shù)據(jù)輸入設(shè)定、指令與地址輸入時(shí)序均滿足需求的Write-Leveling and CA Training(寫入均衡與指令地址調(diào)馴)，相較于LPDDR2進(jìn)步較大。

　　LPDDR4是全新的技術(shù)，在性能和集成度上較LPDDR3提高了一倍。也是得益于此，LPDDR4的運(yùn)行電壓降為1.1V，因此在功能和處理速度提高的同時(shí)，反而可以帶來40%的節(jié)電量，使電源處于最優(yōu)狀態(tài)，更加適用于大屏幕移動(dòng)設(shè)備。

　　3、eMMC 5.0和UFS 2.0

　　說完RAM標(biāo)準(zhǔn)，我們來談?wù)凴OM標(biāo)準(zhǔn)。目前市面上主流的ROM標(biāo)準(zhǔn)有兩種——eMMC 5.0和UFS 2.0。前者有更成熟的生產(chǎn)工藝，后者有更強(qiáng)大的性能。

　　eMMC的全稱為“embedded Multi Media Card”，是由MMC協(xié)會(huì)所訂立的、主要是針對(duì)手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。eMMC的一個(gè)明顯優(yōu)勢(shì)是在封裝中集成了一個(gè)控制器，它提供標(biāo)準(zhǔn)接口并管理閃存，eMMC利用的是它將主控制器、閃存顆粒整合到了一個(gè)小的BGA封裝內(nèi)。

　　2013年7月29日三星開始量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲(chǔ)產(chǎn)品，其讀取速度為400MB/s，但是因?yàn)槭褂玫氖?位并行界面，因此性能潛力已經(jīng)基本到達(dá)瓶頸，以最新的eMMC 5.1規(guī)范來說，其理論帶寬為600MB/s左右，性能的大提升基本是不可能的了。

　　與eMMC不同，UFS 2.0的閃存規(guī)格則采用了新的標(biāo)準(zhǔn)，它使用的是串行界面，很像PATA、SATA的轉(zhuǎn)換，并且它支持全雙工運(yùn)行，可同時(shí)讀寫操作，還支持指令隊(duì)列。相比之下，eMMC是半雙工，讀寫必須分開執(zhí)行，指令也是打包的，在速度上就已經(jīng)是略遜一籌了。

　　要知道，UFS 2.0閃存讀寫速度可以高達(dá)每秒1400MB，這相當(dāng)于在兩秒鐘內(nèi)讀寫兩個(gè)CD光盤的數(shù)據(jù)，不僅比eMMC有更巨大的優(yōu)勢(shì)，而且它甚至能夠讓電腦上使用的閃存存儲(chǔ)介質(zhì)固態(tài)硬盤也相形見絀。

　　除了在速度性能方面有著巨大優(yōu)勢(shì)之外，在功耗方面UFS 2.0也有更好表現(xiàn)。事實(shí)上，如果從功耗方面來比較，新一代的UFS 2.0標(biāo)準(zhǔn)是能夠與eMMC持平的。在待機(jī)狀態(tài)時(shí)兩者功耗相近持平。而當(dāng)UFS 2.0滿載時(shí)，所消耗的功率實(shí)際上比eMMC要多，但它可以更快地完成操作而更早地切換到待機(jī)狀態(tài)，因此在功耗方面的表現(xiàn)UFS 2.0與eMMC不相上下。