內(nèi)存條有什么類型
內(nèi)存條有什么類型
我們平常所說的“內(nèi)存”大都是指“內(nèi)存條”。那么什么是“內(nèi)存條”呢?常見的“內(nèi)存條”又有哪些類型呢?下面是學(xué)習(xí)啦小編收集整理關(guān)于內(nèi)存條類型的資料以供大家參考學(xué)習(xí)，希望大家喜歡。
1.內(nèi)存條的誕生
當(dāng)CPU在工作時(shí)，需要從硬盤等外部存儲(chǔ)器上讀取數(shù)據(jù)，但由于硬盤這個(gè)“倉庫”太大，加上離CPU也很“遠(yuǎn)”，運(yùn)輸“原料”數(shù)據(jù)的速度就比較慢，導(dǎo)致CPU的生產(chǎn)效率大打折扣!為了解決這個(gè)問題，人們便在CPU與外部存儲(chǔ)器之間，建了一個(gè)“小倉庫”—內(nèi)存。
內(nèi)存雖然容量不大，一般只有幾十MB到幾百M(fèi)B，但中轉(zhuǎn)速度非常快，如此一來，當(dāng)CPU需要數(shù)據(jù)時(shí)，事先可以將部分?jǐn)?shù)據(jù)存放在內(nèi)存中，以解CPU的燃眉之急。由于內(nèi)存只是一個(gè)“中轉(zhuǎn)倉庫”，因此它并不能用來長時(shí)間存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2.常見的內(nèi)存條
目前PC中所用的內(nèi)存主要有SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM、DDR2等四種類型。
曾經(jīng)主流——SDRAM
SDRAM(Synchronous DRAM)即“同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。SDRAM內(nèi)存條的兩面都有金手指，是直接插在內(nèi)存條插槽中的，因此這種結(jié)構(gòu)也叫“雙列直插式”，英文名叫“DIMM”。目前絕大部分內(nèi)存條都采用這種“DIMM”結(jié)構(gòu)。
隨著處理器前端總線的不斷提高，SDRAM已經(jīng)無法滿足新型處理器的需要了，早已退出了主流市場(chǎng)。
今日主流——DDR SDRAM
DDR SDRAM(簡(jiǎn)稱DDR)是采用了DDR(Double Data Rate SDRAM，雙倍數(shù)據(jù)速度)技術(shù)的SDRAM，與普通SDRAM相比，在同一時(shí)鐘周期內(nèi)，DDR SDRAM能傳輸兩次數(shù)據(jù)，而SDRAM只能傳輸一次數(shù)據(jù)。
從外形上看DDR內(nèi)存條與SDRAM相比差別并不大，它們具有同樣的長度與同樣的引腳距離。只不過DDR內(nèi)存條有184個(gè)引腳，金手指中也只有一個(gè)缺口，而SDRAM內(nèi)存條是168個(gè)引腳，并且有兩個(gè)缺口。
根據(jù)DDR內(nèi)存條的工作頻率，它又分為DDR200、DDR266、DDR333、DDR400等多種類型：與SDRAM一樣，DDR也是與系統(tǒng)總線頻率同步的，不過因?yàn)殡p倍數(shù)據(jù)傳輸，因此工作在133MHz頻率下的DDR相當(dāng)于266MHz的SDRAM，于是便用DDR266來表示。
小提示：工作頻率表示內(nèi)存所能穩(wěn)定運(yùn)行的最大頻率，例如PC133標(biāo)準(zhǔn)的SDRAM的工作頻率為133MHz，而DDR266 DDR的工作頻率為266MHz。對(duì)于內(nèi)存而言，頻率越高，其帶寬越大。
除了用工作頻率來標(biāo)示DDR內(nèi)存條之外，有時(shí)也用帶寬值來標(biāo)示，例如DDR 266的內(nèi)存帶寬為2100MB/s，所以又用PC2100來標(biāo)示它，于是DDR333就是PC2700，DDR400就是PC3200了。
小提示：內(nèi)存帶寬也叫“數(shù)據(jù)傳輸率”，是指單位時(shí)間內(nèi)通過內(nèi)存的數(shù)據(jù)量，通常以GB/s表示。我們用一個(gè)簡(jiǎn)短的公式來說明內(nèi)存帶寬的計(jì)算方法：內(nèi)存帶寬=工作頻率×位寬/8×n(時(shí)鐘脈沖上下沿傳輸系數(shù)，DDR的系數(shù)為2)。
由于DDR內(nèi)存條價(jià)格低廉，性能出色，因此成為今日主流的內(nèi)存產(chǎn)品。
過時(shí)的貴族——RDRAM
RDRAM(存儲(chǔ)器總線式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)是Rambus公司開發(fā)的一種新型DRAM。RDRAM雖然位寬比SDRAM及DDR的64bit窄，但其時(shí)鐘頻率要高得多。
從外觀上來看，RDRAM內(nèi)存條與SDRAM、DDR SDRAM內(nèi)存條有點(diǎn)相似。
從技術(shù)上來看，RDRAM是一種比較先進(jìn)的內(nèi)存，但由于價(jià)格高，在市場(chǎng)上普及不是很實(shí)際。如今的RDRAM已經(jīng)退出了普通臺(tái)式機(jī)市場(chǎng)。
最新的內(nèi)存——DDR2
DDR2是英特爾極力推動(dòng)的新一代內(nèi)存，DDR2構(gòu)建在DDR的基礎(chǔ)上，通過增加4位預(yù)取機(jī)制使得在核心頻率不變的條件下將數(shù)據(jù)帶寬提升4倍，為效能提升掃清了障礙。為提高兼容性，DDR2將終結(jié)器直接整合于內(nèi)存顆粒中，這也有效降低了主板的制造成本。此外，DDR2在延遲方面的機(jī)制也有所改變，增加了AL附加延遲的概念，這不可避免導(dǎo)致DDR2延遲時(shí)間增加。
高頻率、高帶寬是DDR2最大的優(yōu)點(diǎn)，它將有DDR2-400、DDR2-533、DDR2-667和DDR2-800等規(guī)范，最高帶寬分別達(dá)到3.2GB/s、4.2GB/s、5.3GB/s和6.4GB/s，比目前的DDR內(nèi)存有大幅度提升，但它們的核心頻率仍保持在很低的水平，使得產(chǎn)品可在更低的電壓下運(yùn)作(DDR工作在2.5V下，DDR2僅需要1.8V工作電壓)、功耗也比DDR有了明顯的降低。不過，DDR2的延遲周期反而比DDR長，后者的CL延遲一般是2、2.5和3個(gè)周期，而DDR2一般為3、4和5個(gè)周期，再加上AL附加延遲(附加延遲為0～4個(gè)周期)，使得DDR2讀數(shù)據(jù)的延遲時(shí)間比DDR大幅增加——顯然，在帶寬相同的情況下，DDR2的實(shí)際性能反而不如DDR。
表：各個(gè)版本的DDR-DDR2效能對(duì)比
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