怎么查看內(nèi)存條型號(hào)大小
怎么查看內(nèi)存條型號(hào)大小
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內(nèi)存條型號(hào)大小怎么查看
A局部標(biāo)明的是出產(chǎn)此顆粒企業(yè)的名目——Hynix。B局部標(biāo)明的是該內(nèi)存模組的出產(chǎn)日期，以三個(gè)阿拉伯?dāng)?shù)字的形式出現(xiàn)。第一個(gè)阿拉伯?dāng)?shù)字表示出產(chǎn)的年份，后面兩位數(shù)字闡明是在該年的第XX周出產(chǎn)出來的。如上圖中的517表示該模組是在05年的第17周出產(chǎn)的。
C局部表示該內(nèi)存顆粒的頻率、遲到參數(shù)。由1-3位字母和數(shù)字共同構(gòu)成。其依據(jù)頻率、遲到參數(shù)不同，離別能夠用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8個(gè)字母/數(shù)字組合來表示。其含義離別為D5代表DDR500(250MHz)，遲到為3-4-4;D43代表DDR433(216MHz)，遲到為3-3-3;D4代表DDR400(200MHz)，遲到為3-4-4;J代表DDR333(166MHz)，遲到為2.5-3-3;M代表DDR266(133MHz)，遲到為2-2-2;K代表DDR266A(133MHz)，遲到為2-3-3;H代表DDR266B(133MHz)，遲到為2.5-3-3;L代表DDR200(100MHz)，遲到為2-2-2。
D局部編號(hào)切實(shí)上是由12個(gè)小局部構(gòu)成，離別表示內(nèi)存模組xihuanplaza.com的容量、顆粒的位寬、工作電壓等消息。翔實(shí)翔實(shí)內(nèi)容如圖二所示。
D局部編號(hào)12個(gè)小局部分解示愿望
批準(zhǔn)當(dāng)代顆粒的內(nèi)存顆粒特寫
第1局部代表該顆粒的出產(chǎn)企業(yè)。“HY”是HYNIX的簡(jiǎn)稱，代表著該顆粒是當(dāng)代出產(chǎn)制造。第2局部代表產(chǎn)品家族，由兩位數(shù)字或字母構(gòu)成，“5D”表示為DDR內(nèi)存，“57”表示為SDRAM內(nèi)存。
第3局部代表工作電壓，由一個(gè)字母構(gòu)成。其中含義為V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V; U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V來離別代表不同的工作電壓。
第4局部代表內(nèi)存模組的容量和刷新設(shè)置，由兩位數(shù)字或字母構(gòu)成。對(duì)于DDR內(nèi)存，離別由&ldquohttp://www.hangu365.com;64、66、28、56、57、12、1G”來代表不同的容量和刷新設(shè)置。其中含義為：64代表64MB容量，4K刷新;66代表64MB容量，2K刷新; 28代表128MB容量，4K刷新;56代表256MB容量，8K刷新;57代表256MB容量，4K刷新;12代表512MB容量，8K刷新;1G代表1GB容量，8K刷新。
第5局部代表該內(nèi)存顆粒的位寬，由1個(gè)或2個(gè)數(shù)字構(gòu)成。分為4種情形，離別用“4、8、16、32”來離別代表4bit、8bit、16bit和32bit。
第6局部表示的是Bank數(shù)，由1個(gè)數(shù)字構(gòu)成。有三種情形，離別是“1”代表2 bank，“2”代表4 bank，“4”代表8 bank。
第7局部代表接口種類，由一個(gè)數(shù)字構(gòu)成。分為三種情形，離別是“1”代表SSTL_3，“2”代表SSTL_2;“3”代表SSTL_18。
第8局部代表該顆粒的版本，由一個(gè)字母構(gòu)成，這局部的字母在26個(gè)字母中的位置越*后，解釋該內(nèi)存顆粒的版本越新，現(xiàn)在為止HY內(nèi)存共同5個(gè)版本，體目前編號(hào)上，空白表示第一版，“A”表示第二版，順次類推，到第5版則有“D”來代表。購買內(nèi)存的時(shí)候版本越解釋新電器功能越好。
第9局部代表的是功耗，萬一該局部是空白，則解釋該顆粒的功耗為等閑，萬一該局部揭示了“L”字母，則代表該內(nèi)存顆粒為低功耗。
第10局部代表內(nèi)存的封裝種類，由一個(gè)或兩個(gè)字母構(gòu)成。由“T”代表TOSP封裝，“Q”代表LOFP封裝，“F”代表FBGA封裝，“FC”代表FBGA(UTC：8 x 13mm)封裝。
第11局部代表堆疊封裝，由一個(gè)或兩個(gè)字母構(gòu)成。空白代表等閑;S代表Hynix;K代表M&碧歐泉T;J代表其它;M代表MCP(Hynix);MU代表MCP(UTC)。
第12局部代表封裝材料，由一個(gè)字母構(gòu)成?？瞻妆硎镜乳e，“P”代表鉛，“H”代表鹵素，“R”代表鉛和鹵素。
總的說來，其實(shí)凡是記住第2、3、6和C局部等幾處數(shù)字的切實(shí)含義，就能很迅捷對(duì)利用當(dāng)代DDR SDRAM內(nèi)存顆粒的產(chǎn)品舉行分辨。尤其是C局部數(shù)字，它將很確定的告訴花費(fèi)者，這款內(nèi)存切實(shí)的最高工作事態(tài)是多少。
總的來說購買批準(zhǔn)當(dāng)代顆粒的DDR400內(nèi)存條，良好購買編號(hào)是“HYXXXXXXXDX”，對(duì)于DDR400內(nèi)存來說編號(hào)的尾數(shù)良好是“D43”，因?yàn)?ldquo;D”代表的是最新版的當(dāng)代DDR內(nèi)存顆粒，在超頻方面其出現(xiàn)極其出眾的出現(xiàn)。而“D43”所代表的是216MHz的工作頻率，將其利用在DDR400內(nèi)存中，切實(shí)上是將“D43”降頻為“D4”利用，具有很強(qiáng)的超頻力氣。對(duì)于現(xiàn)在內(nèi)存市場(chǎng)的進(jìn)展和其優(yōu)惠價(jià)格來說，512MB/DDR400和DDR2/533內(nèi)存是目前最劃算購買的內(nèi)存，無論是其價(jià)格還是在用料上都是極其優(yōu)惠和出眾的，最后提醒大家的是購買內(nèi)存時(shí)要當(dāng)心售后服務(wù).public synchronized void setValues (int height,int width) throws
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