內(nèi)存條芯片的參數(shù)怎么看
內(nèi)存條芯片的參數(shù)怎么看
內(nèi)存條芯片的參數(shù)是什么意思你們清楚嗎?不知道的話跟著學(xué)習(xí)啦小編一起來學(xué)習(xí)了解內(nèi)存條芯片的參數(shù)是什么意思。
內(nèi)存條芯片的參數(shù)介紹
整個(gè)DDR SDRAM顆粒的編號(hào)，一共是由14組數(shù)字或字母組成，他們分別代表內(nèi)存的一個(gè)重要參數(shù)，了解了他們，就等于了解了現(xiàn)代內(nèi)存。
顆粒編號(hào)解釋如下：
1. HY是HYNIX的簡(jiǎn)稱，代表著該顆粒是現(xiàn)代制造的產(chǎn)品。
2. 內(nèi)存芯片類型：(5D=DDR SDRAM)
3. 處理工藝及供電：(V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
4. 芯片容量密度和刷新速度：(64：64M 4K刷新;66：64M 2K刷新;28：128M 4K刷新;56：256M 8K刷新;57：256M 4K刷新;12：512M 8K刷新;1G：1G 8K刷新)
5. 內(nèi)存條芯片結(jié)構(gòu)：(4=4顆芯片;8=8顆芯片;16=16顆芯片;32=32顆芯片)
6. 內(nèi)存bank(儲(chǔ)蓄位)：(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank)
7. 接口類型：(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18)
8. 內(nèi)核代號(hào)：(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代)
9. 能源消耗：(空白=普通;L=低功耗型)
10. 封裝類型：(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA(UTC:8x13mm))
11. 封裝堆棧：(空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC))
12. 封裝原料：(空白=普通;P=鉛;H=鹵素;R=鉛+鹵素)
13. 速度：(D43=DDR400 3-3-3;D4=DDR400 3-4-4;J=DDR333;M=DDR333 2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200)
14. 工作溫度：(I=工業(yè)常溫(-40 - 85度);E=擴(kuò)展溫度(-25 - 85度))
由上面14條注解，我們不難發(fā)現(xiàn)，其實(shí)最終我們只需要記住2、3、6、13等幾處數(shù)字的實(shí)際含義，就能輕松實(shí)現(xiàn)對(duì)使用現(xiàn)代DDR SDRAM內(nèi)存顆粒的產(chǎn)品進(jìn)行辨別。尤其是第13位數(shù)字，它將明確的告訴消費(fèi)者，這款內(nèi)存實(shí)際的最高工作狀態(tài)是多少。假如，消費(fèi)者買到一款這里顯示為L(zhǎng)的產(chǎn)品(也就是說，它只支持DDR 200的工作頻率)，那么就算內(nèi)存條上貼的標(biāo)簽或者包裝盒上吹的再好，它也只是一款低檔產(chǎn)品。
常見SDRAM 編號(hào)識(shí)別
維修SDRAM內(nèi)存條時(shí)，首先要明白內(nèi)存芯片編號(hào)的含義，在其編號(hào)中包括以下幾個(gè)內(nèi)容：廠商名稱(代號(hào))、容量、類型、工作速度等，有些還有電壓和一些特殊標(biāo)志等。通過對(duì)這些參數(shù)的分析比較，就可以正確認(rèn)識(shí)和理解該內(nèi)存條的規(guī)格以及特點(diǎn)。
(1)世界主要內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠商的前綴標(biāo)志如下：
▲ HY HYUNDAI ------- 現(xiàn)代
▲ MT Micron ------- 美光
▲ GM LG-Semicon
▲ HYB SIEMENS ------ 西門子
▲ HM Hitachi ------ 日立
▲ MB Fujitsu ------ 富士通
▲ TC Toshiba ------ 東芝
▲ KM Samsung ------ 三星
▲ KS KINGMAX ------ 勝創(chuàng)
(2)內(nèi)存芯片速度編號(hào)解釋如下:
★ -7 標(biāo)記的SDRAM 符合 PC143 規(guī)范,速度為7ns.
★ –75標(biāo)記的SDRAM 符合PC133規(guī)范,速度為7.5ns.
★ –8標(biāo)記的SDRAM 符合PC125規(guī)范,速度為8ns.
★ –7k/-7J/10P/10S標(biāo)記的SDRAM 符合PC100規(guī)范,速度為10ns.
★ –10K標(biāo)記的SDRAM符合PC66規(guī)范,速度為15ns.
(3) 編 號(hào) 形 式
HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj
其中5a中的a表示芯片類別,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.
b表示電壓,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.
CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.
dd表示帶寬。
f表示界面，0—LVTTL; 1—SSTL(3); 2—SSTL_2.
g表示版本號(hào)，B—第三代。
h表示電源功耗， L—低功耗; 空白—普通型。
ii表示封裝形式， TC—400mil TSOP—H.
jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;
10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)
10—100MHZ(非PC100)。
例：1) HY57V651620B TC-75
按照解釋該內(nèi)存條應(yīng)為：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.
2) HY57V653220B TC-7
按照解釋該內(nèi)存條應(yīng)為：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ
全球主要內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠家(掌握內(nèi)存芯片生產(chǎn)技術(shù)的廠家主要分布在美國(guó)、韓國(guó)、日本、德國(guó)、臺(tái)灣)：
序號(hào) 品牌 國(guó)家/地區(qū) 標(biāo)識(shí) 備注
1 三星 韓國(guó) SAMSUNG
2 現(xiàn)代 韓國(guó) HY
3 樂金 韓國(guó) LGS 已與HY合并
4 邁克龍 美國(guó) MT
5 德州儀器 美國(guó) Ti 已與Micron合并
6 日電 日本 NEC
7 日立 日本 HITACHI
8 沖電氣 日本 OKI
9 東芝 日本 TOSHIBA
10 富士通 日本 F
11 西門子 德國(guó) SIEMENS
12 聯(lián)華 臺(tái)灣 UMC
13 南亞 臺(tái)灣 NANYA
14 茂矽 臺(tái)灣 MOSEI
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