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內(nèi)存芯片的種類有哪些

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內(nèi)存芯片的種類有哪些

  愛學(xué)習(xí)的小伙伴們,你們知道內(nèi)存芯片有哪些種類嗎?不知道的話跟著學(xué)習(xí)啦小編一起來學(xué)習(xí)了解內(nèi)存芯片有哪些種類吧。

  內(nèi)存芯片有哪些種類

  存儲器分類

  簡稱:Cache

  標(biāo)準(zhǔn):Cache Memory

  中文:高速緩存

  高速緩存是隨機(jī)存取內(nèi)存(RAM)的一種,其存取速度要比一般RAM來得快。當(dāng)中央處理器

  (CPU)處理數(shù)據(jù)時,它會先到高速緩存中尋找,如果數(shù)據(jù)因先前已經(jīng)讀取而暫存其中,就不

  需從內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)。由于CPU的運(yùn)行速度通常比主存儲器快,CPU若要連續(xù)存取內(nèi)存的話,

  必須等待數(shù)個機(jī)器周期造成浪費(fèi)。所以提供“高速緩存”的目的是適應(yīng)CPU的讀取速度。如

  Intel的Pentium處理器分別在片上集成了容量不同的指令高速緩存和數(shù)據(jù)高速緩存,通稱為

  L1高速緩存(Memory)。L2高速緩存則通常是一顆獨(dú)立的靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)芯片。

  簡稱:DDR

  標(biāo)準(zhǔn):Double Date Rate

  中文:雙倍數(shù)據(jù)傳輸率

  DDR系統(tǒng)時脈為100或133MHz,但是數(shù)據(jù)傳輸速率為系統(tǒng)時脈的兩倍,即200或266MHz,系統(tǒng)

  使用3.3或3.5V的電壓。因?yàn)镈DR SDRAM的速度增加,因此它的傳輸效能比同步動態(tài)隨機(jī)存取

  內(nèi)存(SDRAM)好。

  DDR is the acronym for Double Data Rate Synchronous DRAM (SDRAM). DDR SDRAM

  memory technology is an evolutionary technology derived from mature SDRAM

  technology. The secret to DDR memory's high performance is its ability to

  perform two data operations in one clock cycle - providing twice the throughput

  of SDRAM

  簡稱:DIMM

  標(biāo)準(zhǔn):Dual in Line Memory Module

  中文:雙直列內(nèi)存條

  DIMM是一個采用多塊隨機(jī)存儲器(RAM)芯片(Chip)焊接在一片PCB板上模塊,它實(shí)際上是一

  種封裝技術(shù)。在PCB板的一邊緣上,每面有64叫指狀銅接觸條,兩面共有168條。DIMM可以分

  為3.3V和5V兩種電壓,這其中又有含緩沖器以及不含緩沖器兩種,目前比較常見的是3.3V含

  緩沖器類型,而DIMM還需要一個抹除式只讀存儲器(EPROM)供基本輸出入系統(tǒng)(BIOS)儲存各

  種參數(shù),讓芯片組(Chipset)達(dá)到最佳狀態(tài)。

  簡稱:DRAM

  標(biāo)準(zhǔn):Dynamic Random Access Memory

  中文:動態(tài)隨機(jī)存儲器

  一般計算機(jī)系統(tǒng)使用的隨機(jī)存取內(nèi)存(RAM)可分動態(tài)與靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)兩種,差異

  在于DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新,才能維系數(shù)據(jù)保存,SRAM的數(shù)據(jù)

  則不需要刷新過程,在上電期間,數(shù)據(jù)不會丟失。

  簡稱:ECC

  標(biāo)準(zhǔn):Error Checking and Correction)

  在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位的誤差,也可以作雙位或多位的誤差核對與改

  正。

  簡稱:EDO DRAM

  標(biāo)準(zhǔn):Extend Data Out Dynamic Random Access Memory

  中文:EDO動態(tài)隨機(jī)存儲器

  EDO DRAM也稱為Hyper Page Mode DRAM,這是一種可以增加動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)讀取

  效能的存儲器,為了提高EDO DRAM的讀取效率,EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一周期

  CAS#之下降邊緣,而EDO DRAM的頻寬由100個兆字節(jié)(MB)增加到了200MB。

  簡稱:EEPROM

  標(biāo)準(zhǔn):Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory

  中文:電子抹除式只讀存儲器

  非揮發(fā)性存儲器。電源撤除后,儲存的信息(Data)依然存在,在特殊管腳上施加電壓,同

  時輸出相應(yīng)命令,就可以擦除內(nèi)部數(shù)據(jù)。典型應(yīng)用于如電視機(jī)、空調(diào)中,存儲用戶設(shè)置的參

  數(shù)。

  這種存儲器支持再線修改數(shù)據(jù),每次寫數(shù)據(jù)之前,必須保證書寫單元被擦除干凈,寫一個數(shù)

  據(jù)的大約時間在2-10ms之間。支持單字節(jié)單元擦除功能。

  簡稱:EPROM

  標(biāo)準(zhǔn):Erasable Programmable Read-Only Memory

  中文:紫外擦除只讀存器

  非揮發(fā)性存儲器。不需要電力來維持其內(nèi)容,非常適合用作硬件當(dāng)中的基本輸出入系統(tǒng)

  (BIOS)。允許使用者以紫外線消除其中的程序重復(fù)使用。

  這種存儲器不支持再線修改數(shù)據(jù)。

  簡稱:Flash

  標(biāo)準(zhǔn):Memory

  中文:閃爍存儲器

  非揮發(fā)性存儲器。是目前在可在線可改寫的非揮發(fā)性存儲器中容量最大的存儲器。支持再

  線修改數(shù)據(jù),寫數(shù)據(jù)的速度比EEPROM提高1個數(shù)量級。

  Flash應(yīng)用于大容量的數(shù)據(jù)和程序存儲,如電子字典庫、固態(tài)硬盤、PDA上的操作系統(tǒng)等。

  簡稱:FeRAM

  標(biāo)準(zhǔn):Ferroelectric random access memory

  中文:鐵電存儲器

  ferroelectric random access memory (FRAM) is a new generation of nonvolatile

  memory that combines high-performance and low-power operation with the ability

  to retain data without power.

  FRAM has the fast read/write speed and low power of battery-backed SRAM and

  eliminates the need for a battery

  簡稱:MRAM

  標(biāo)準(zhǔn):Magnetoresistive Random Access Memory

  中文:磁性隨機(jī)存儲器

  磁性隨機(jī)存儲器是正在開發(fā)階段的,基于半導(dǎo)體(1T)和磁通道(magnetic tunnel

  junction-MTJ)技術(shù)的固態(tài)存儲介質(zhì),屬于非揮發(fā)性芯片。主要開發(fā)廠商有IBM、Infineon

  (英飛凌)、Cypress和Motorola(摩托羅拉)。其擦寫次數(shù)高于現(xiàn)有的Flash存儲器,可達(dá)

  1015,讀寫時間可達(dá)70nS,

  簡稱:RAM

  標(biāo)準(zhǔn):Random Access Memory

  中文:隨機(jī)存儲器

  隨機(jī)存取內(nèi)存,是內(nèi)存(Memory)的一種,由計算機(jī)CPU控制,是計算機(jī)主要的儲存區(qū)域,指

  令和資料暫時存在這里。RAM是可讀可寫的內(nèi)存,它幫助中央處理器 (CPU ) 工作,從鍵盤

  (Keyboard ) 或鼠標(biāo)之類的來源讀取指令,幫助CPU把資料 (Data) 寫到一樣可讀可寫的輔

  助內(nèi)存 (Auxiliary Memory) ,以便日后仍可取用,也能主動把資料送到輸出裝置,例如打

  印機(jī)、顯示器。 RAM的大小會影響計算的速度,RAM越大,所能容納的資料越多,CPU讀取的

  速度越快。

  簡稱:RDRAM

  標(biāo)準(zhǔn):Rambus DRAM

  中文:Rambus動態(tài)隨機(jī)存儲器

  這是一種主要用于影像加速的內(nèi)存 (Memory ) ,提供了1000Mbps的傳送速率,作業(yè)時不會

  間斷,比起動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 (DRAM ) 的200mbps更加快速,當(dāng)然價格比要DRAM貴。雖然

  RDRA無法完全取代現(xiàn)有內(nèi)存,不過因?yàn)榭偩€ (BUS) 速度的需求,可以取代DRAM與靜態(tài)隨機(jī)

  存取內(nèi)存 (SRAM ) 。 SDRAM的運(yùn)算速度為100赫茲 (Hz ) ,制造商展示的RDRAM則可達(dá)

  600MHz,內(nèi)存也只有8或9位 (bit ) 長,若將RDRAM并排使用,可以大幅增加頻寬

  (Bandwidth) ,將內(nèi)存增為32或64位。

  簡稱:ROM

  標(biāo)準(zhǔn):Read Only Memory

  中文:只讀存儲器

  只讀存儲器,這種內(nèi)存 (Memory ) 的內(nèi)容任何情況下都不會改變,計算機(jī)與使用者只能讀

  取保存在這里的指令,和使用儲存在ROM的數(shù)據(jù),但不能變更或存入資料。 ROM被儲存在一

  個非揮發(fā)性芯片上,也就是說,即使在關(guān)機(jī)之后記憶的內(nèi)容仍可以被保存,所以這種內(nèi)存多

  用來儲存特定功能的程序或系統(tǒng)程序。 ROM儲存用來激活計算機(jī)的指令,開機(jī)的時候ROM提

  供一連串的指令給中央處理單元進(jìn)行測試,在最初的測試中,檢查RAM位置(location)以確

  認(rèn)其儲存數(shù)據(jù)的能力。此外其它電子組件包括鍵盤 (Keyboard ) 、計時回路(timer

  circuit)以及CPU本身也被納入CPU的測試中。

  簡稱:SDRAM

  標(biāo)準(zhǔn):Synchronous Dynamic RAM

  中文:同步動態(tài)隨機(jī)存儲器

  SDRAM的運(yùn)作時脈和微處理器 (Microprocessor) 同步,所以可以比EDO 動態(tài)記憶模塊

  (EDO DRAM ) 的速度還快,采用3.3V電壓(EDO DRAM為5V),168個接腳,還可以配合中央處

  理器 (CPU ) 的外頻 (External Clock) ,而有66與100MHz不同的規(guī)格,100MHz的規(guī)格就是

  大家所熟知的PC100內(nèi)存 (Memory ) 。

  簡稱:SIMM

  標(biāo)準(zhǔn):Single In-Line Memory Module

  中文:單直列內(nèi)存模塊

  內(nèi)存(Memory )模塊的概念一直到80386時候才被應(yīng)用在主機(jī)板(Mother Board)上,當(dāng)時的

  接腳主要為30個,可以提供8條資料 (Data) 存取線 (Access Line),一次資料存取

  (Access)為32個字節(jié),所以分為四條一組,因此80386以四條為一個單位。而今一條SIMM為

  72Pins,不過只能提供32字節(jié)的工作量,但是外部的數(shù)據(jù)總線(Data Bus)為64字節(jié)(bite),

  因此一個主機(jī)板上必須有兩條SIMM才足以執(zhí)行龐大的資料(Data)處理工作。

  簡稱:SRAM

  標(biāo)準(zhǔn):Static Random Access Memory

  中文:靜態(tài)隨機(jī)存儲器

  SRAM制造方法與動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM )不同,每個位使用6個晶體管(transistor)組

  成,不需要不斷對晶體管周期刷新以保持?jǐn)?shù)據(jù)丟失,其存取時間較短控制電路簡單,但制造

  成本較高,單片難以做到DRAM那樣容量。

  簡稱:VCM SDRAM

  標(biāo)準(zhǔn):Virtual Channel Memory SDRAM

  中文:虛擬信道存儲器

  1999年由于SDRAM在市場上大為缺貨,而由日本NEC恩益禧搭配一些主機(jī)板廠商及芯片組

  (Chipset)業(yè)者,大力推廣所謂的VCM模塊技術(shù),而為消費(fèi)者廣為接受,日本NEC更希望一舉

  將VCM的規(guī)格推向工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)。VCM內(nèi)存規(guī)格是以SDRAM為基礎(chǔ)觀念所開發(fā)出的新產(chǎn)品,并加

  強(qiáng)原有的SDRAM功能。昔日的SDRAM須等待中央處理器(CPU)處理完資料或VGA卡處理完資料

  后,才能完整地送至SDRAM做進(jìn)一步的處理,然而VCM的內(nèi)部區(qū)分為16條虛擬信道Virtual

  Channel),每一個信道都負(fù)責(zé)一個單獨(dú)的memory master,因此可以減少內(nèi)存(Memory)接口

  的負(fù)擔(dān),進(jìn)而增加計算機(jī)使用者使用效率。 目前為全球第四大內(nèi)存模塊廠商的宇瞻科技與

  日本NEC技術(shù)合作,在臺灣推出以PC133 (PC133) VCM內(nèi)存模塊為設(shè)計的筆記型計算機(jī),由于

  VCM技術(shù)可以減少內(nèi)存接口的負(fù)擔(dān),以及本身低耗電的特性,相當(dāng)適合筆記型計算機(jī)的運(yùn)

  用,品質(zhì)與一般個人計算機(jī)相較之下毫不遜色。

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2006130