電腦主板支持的內(nèi)存類型有什么
電腦主板支持的內(nèi)存類型有什么
你清楚自己的電腦主板支持什么類型的呢?如果主板不支持內(nèi)存，是會導致電腦使用出現(xiàn)問題的呢，下面是學習啦小編為大家介紹電腦主板支持什么內(nèi)存類型,歡迎大家閱讀。
電腦主板支持什么內(nèi)存類型
支持內(nèi)存類型，是指主板所支持的具體內(nèi)存類型。不同的主板，所支持的內(nèi)存類型是不相同的。內(nèi)存類型主要有以下幾種：
FPM 內(nèi)存
EDO 內(nèi)存
SDRAM 內(nèi)存
RDRAM 內(nèi)存
DDR SDRAM 內(nèi)存
DDR2 內(nèi)存
ECC(Error Correction Coding 或 Error Checking and Correcting)并不是內(nèi)存類型，而是一種具有自動糾錯功能的內(nèi)存，英特爾的82430HX 芯片組就開始支持它。使用該芯片組的主板，都可以安裝使用 ECC 內(nèi)存。但由于 ECC 內(nèi)存成本比較高，所以主要應用在要求系統(tǒng)運算可靠性比較高的商業(yè)電腦中，如服務(wù)器/工作站等。由于實際上存儲器出錯的情況不會經(jīng)常發(fā)生，而且普通的主板也并不支持 ECC 內(nèi)存，所以，一般的家用與辦公電腦也不必采用 ECC 內(nèi)存。
一般情況下，一塊主板只支持一種內(nèi)存類型，但也有例外。有些主板具有兩種內(nèi)存插槽，可以使用兩種內(nèi)存。如以前有些主板能使用 EDO 和SDRAM，現(xiàn)在有些主板就支持兩種內(nèi)存類型(SDRAM 和 DDR SDRAM)，采用兩種類型的內(nèi)存插槽(藍色和黑色)來區(qū)分。值得注意的是，在這些主板上，不能同時使用兩種內(nèi)存，而只能使用其中的一種。這是因為其電氣規(guī)范和工作電壓是不同的，混用會引起內(nèi)存損壞和主板損壞的問題。
1、FPM 內(nèi)存
FPM 是 Fast Page Mode(快頁模式)的簡稱。是較早的 PC 機普遍使用的內(nèi)存，它每隔 3 個時鐘脈沖周期，傳送一次數(shù)據(jù)。現(xiàn)在早就被淘汰掉了。
2、EDO 內(nèi)存
EDO 是 Extended Data Out(擴展數(shù)據(jù)輸出)的簡稱。它取消了主板與內(nèi)存兩個存儲周期之間的時間間隔，每隔 2 個時鐘脈沖周期，傳輸一次數(shù)據(jù)，大大地縮短了存取時間，使存取速度提高 30%，達到 60ns。EDO 內(nèi)存主要用于 72 線的 SIMM 內(nèi)存條，以及采用 EDO 內(nèi)存芯片的PCI 顯示卡。這種內(nèi)存流行在 486 以及早期的奔騰計算機系統(tǒng)中，它有 72 線和 168 線之分，采用 5V 工作電壓，帶寬 32 bit，必須兩條或四條成對使用，可用于英特爾 430FX/430VX 甚至 430TX 芯片組主板上。目前也已經(jīng)被淘汰，只能在某些老爺機上見到。
3、SDRAM 內(nèi)存
SDRAM 是 Synchronous Dynamic Random Access Memory(同步動態(tài)隨機存儲器)的簡稱。是前幾年普遍使用的內(nèi)存形式。SDRAM 采用3.3v 工作電壓，帶寬 64 位，SDRAM 將 CPU 與 RAM 通過一個相同的時鐘鎖在一起，使 RAM 和 CPU 能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作。與 EDO 內(nèi)存相比，速度能提高 50%。SDRAM 基于雙存儲體結(jié)構(gòu)，內(nèi)含兩個交錯的存儲陣列，當 CPU 從一個存儲體或陣列訪問數(shù)據(jù)時，另一個就已為讀寫數(shù)據(jù)做好了準備，通過這兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率就能得到成倍的提高。SDRAM 不僅可用作主存，在顯示卡上的顯存方面，也有廣泛應用。SDRAM 曾經(jīng)是長時間使用的主流內(nèi)存，從 430TX 芯片組到 845 芯片組，都支持 SDRAM。但隨著 DDR SDRAM 的普及，SDRAM 也正在慢慢退出了主流市場。
4、RDRAM 內(nèi)存
RDRAM 是 Rambus Dynamic Random Access Memory(存儲器總線式動態(tài)隨機存儲器)的簡稱。是 Rambus 公司開發(fā)的具有系統(tǒng)帶寬、芯片到芯片接口設(shè)計的內(nèi)存，它能在很高的頻率范圍下通過一個簡單的總線傳輸數(shù)據(jù)，同時使用低電壓信號，在高速同步時鐘脈沖的兩邊沿傳輸數(shù)據(jù)。最開始支持 RDRAM 的是英特爾 820 芯片組，后來又有 840，850 芯片組等。RDRAM 最初得到了英特爾的大力支持，但由于其高昂的價格以及Rambus 公司的專利許可限制，一直未能成為市場主流，其地位被相對廉價而性能同樣出色的 DDR SDRAM 迅速取代，市場份額很小。
5、DDR SDRAM 內(nèi)存
DDR SDRAM 是 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory(雙數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器)的簡稱。是由 VIA 等公司為了與 RDRAM 相抗衡而提出的內(nèi)存標準。DDR SDRAM 是 SDRAM 的更新?lián)Q代產(chǎn)品，采用 2.5v 工作電壓，它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)，這樣，不需要提高時鐘的頻率，就能加倍提高 SDRAM 的速度，并具有比 SDRAM 多一倍的傳輸速率和內(nèi)存帶寬。例如 DDR 266 與PC 133 SDRAM 相比，工作頻率同樣是 133MHz，但內(nèi)存帶寬達到了 2.12 GB/s，比 PC 133 SDRAM 高一倍。目前主流的芯片組都支持 DDRSDRAM，是目前最常用的內(nèi)存類型。
6、DDR2 內(nèi)存
DDR2 的定義：DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM，是由 JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會)進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標準。它與上一代 DDR 內(nèi)存技術(shù)標準最大的不同。就是雖然同是采用了在時鐘的上升沿和下降沿同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，?DDR2 內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代 DDR 內(nèi)存的預讀取能力(即：4bit 數(shù)據(jù)讀預取)。換句話說，DDR2 內(nèi)存，每個時鐘能夠以 4 倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線 4 倍的速度運行。
此外，由于 DDR2 標準規(guī)定所有 DDR2 內(nèi)存均采用 FBGA 封裝形式，而不同于目前廣泛應用的 TSOP/TSOP-II 封裝形式。FBGA 封裝，可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為 DDR2 內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅實的基礎(chǔ)?；叵肫?DDR 的發(fā)展歷程，從第一代應用到個人電腦的 DDR200，經(jīng)過 DDR266、DDR333，到今天的雙通道 DDR400 技術(shù)，第一代 DDR 的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度。隨著 Intel 最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對內(nèi)存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運行頻率的 DDR2 內(nèi)存將是大勢所趨。
DDR2 與 DDR 的區(qū)別：在了解 DDR2 內(nèi)存諸多新技術(shù)前，先讓我們看一組 DDR 和 DDR2 技術(shù)對比的數(shù)據(jù)。
1) 延遲問題：
從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2 的實際工作頻率是 DDR 的兩倍。這得益于 DDR2 內(nèi)存擁有兩倍于標準 DDR 內(nèi)存的 4BIT 預讀取能力。換句話說，雖然 DDR2 和 DDR 一樣，都采用了在時鐘的上升沿和下降沿同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，?DDR2 擁有兩倍于 DDR 的預讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。也就是說，在同樣 100MHz 的工作頻率下，DDR 的實際頻率為 200MHz，而 DDR2 則可以達到 400MHz。
這樣也就出現(xiàn)了另一個問題：在同等工作頻率的 DDR 和 DDR2 內(nèi)存中，后者的內(nèi)存延時要慢于前者。舉例來說，DDR 200 和 DDR2-400 具有相同的延遲，而后者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400 和 DDR 400 具有相同的帶寬，它們都是 3.2GB/s，但是 DDR 400 的核心工作頻率是 200MHz，而 DDR2-400 的核心工作頻率是 100MHz，也就是說 DDR2-400 的延遲要高于 DDR 400。
2) 封裝和發(fā)熱量：
DDR2 內(nèi)存技術(shù)最大的突破點，其實不在于用戶們所認為的兩倍于 DDR 的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDR2 可以獲得更快的頻率提升，突破標準 DDR 的 400MHZ 限制。
DDR 內(nèi)存通常采用 TSOP 芯片封裝形式。這種封裝形式，可以很好的工作在 200MHz 上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產(chǎn)生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度。這也就是 DDR 的核心頻率很難突破 275MHZ 的原因。而 DDR2 內(nèi)存均采用 FBGA 封裝形式。不同于目前廣泛應用的 TSOP 封裝形式，F(xiàn)BGA 封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為 DDR2 內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了良好的保障。
DDR2 內(nèi)存采用 1.8V 電壓，相對于 DDR 標準的 2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小功耗與更小發(fā)熱量，這一點的變化是意義重大的。
3) DDR2 采用的新技術(shù)：
除了以上所說的區(qū)別外，DDR2 還引入了三項新的技術(shù)，它們是 OCD、ODT 和 Post CAS。
OCD(Off-Chip Driver)——也就是所謂的離線驅(qū)動調(diào)整，DDR2 通過 OCD 可以提高信號的完整性。DDR2 通過調(diào)整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的電阻值，使兩者電壓相等。使用 OCD 通過減少 DQ-DQS 的傾斜，來提高信號的完整性;通過控制電壓來提高信號品質(zhì)。
ODT ——ODT 是內(nèi)建核心的終結(jié)電阻器。我們知道，使用 DDR SDRAM 的主板上，為了防止數(shù)據(jù)線終端反射信號，需要大量的終結(jié)電阻。它大大增加了主板的制造成本。實際上，不同的內(nèi)存模組對終結(jié)電路的要求是不一樣的。終結(jié)電阻的大小，決定了數(shù)據(jù)線的信號比和反射率。終結(jié)電阻小，則數(shù)據(jù)線信號反射低，但是信噪比也較低;終結(jié)電阻高，則數(shù)據(jù)線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此，主板上的終結(jié)電阻并不能非常好的匹配內(nèi)存模組，還會在一定程度上影響信號品質(zhì)。DDR2 可以根據(jù)自已的特點，內(nèi)建合適的終結(jié)電阻。這樣，可以保證最佳的信號波形。使用 DDR2 不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質(zhì)，這是 DDR 不能比擬的。
Post CAS ——它是為了提高 DDR2 內(nèi)存的利用效率而設(shè)定的。在 Post CAS 操作中，CAS 信號(讀寫/命令)能夠被插到 RAS 信號后面的一個時鐘周期，CAS 命令可以在附加延遲(Additive Latency)后面保持有效。原來的 tRCD(RAS 到 CAS 和延遲)被 AL(AdditiveLatency)所取代，AL 可以在 0，1，2，3，4 中進行設(shè)置。由于 CAS 信號放在了 RAS 信號后面一個時鐘周期，因此，ACT 和 CAS 信號永遠也不會產(chǎn)生碰撞沖突。
總的來說，DDR2 采用了諸多的新技術(shù)，改善了 DDR 的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢等諸多不足，但相信隨著技術(shù)的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決。
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