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電腦內存條如何區(qū)分

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電腦內存條如何區(qū)分

  現(xiàn)在市面上的內存分為三代:DDR1、DDR2和DDR3.它們三者之間有什么區(qū)別呢?我們又該怎么去區(qū)分呢?下面就讓學習啦小編為大家一一介紹吧。

  與DDR相比,DDR2最主要的改進是在內存模塊速度相同的情況下,可以提供相當于DDR內存兩倍的帶寬。

  圖1就是三代內存的全家照,從上到下分別是DDR3、DDR2、DDR。大家牢牢記住它們的樣子,因為后面的內容會提到這幅圖。

  防呆缺口:位置不同防插錯

  圖1紅圈圈起來的就是我們說的防呆缺口,目的是讓我們安裝內存時以免插錯。我們從圖1可以看見三代內存上都只有一個防呆缺口,大家注意一下這三個卡口的左右兩邊的金屬片,就可以發(fā)現(xiàn)缺口左右兩邊的金屬片數(shù)量是不同的。

  比如DDR 內存單面金手指針腳數(shù)量為92個(雙面184個),缺口左邊為52個針腳,缺口右邊為40個針腳;DDR2 內存單面金手指120個(雙面240個),缺口左邊為64個針腳,缺口右邊為56個針腳;DDR3內存單面金手指也是120個(雙面240個),缺口左邊為72個針腳,缺口右邊為48個針腳。

  芯片封裝:濃縮是精華

  在不同的內存條上,都分布了不同數(shù)量的塊狀顆粒,它就是我們所說的內存顆粒。同時我們也注意到,不同規(guī)格的內存,內存顆粒的外形和體積不太一樣,這是因為內存顆粒“包裝”技術的不同導致的。一般來說,DDR內存采用了TSOP(Thin Small Outline Package,薄型小尺寸封裝)封裝技術,又長又大。而DDR2和DDR3內存均采用FBGA(底部球形引腳封裝)封裝技術,與TSOP相比,內存顆粒就小巧很多,F(xiàn)BGA封裝形式在抗干擾、散熱等方面優(yōu)勢明顯。

  TSOP是內存顆粒通過引腳(圖2黃色框)焊接在內存PCB上的,引腳由顆粒向四周引出,所以肉眼可以看到顆粒與內存PCB接口處有很多金屬柱狀觸點,并且顆粒封裝的外形尺寸較大,呈長方形,其優(yōu)點是成本低、工藝要求不高,但焊點和PCB的接觸面積較小,使得DDR內存的傳導效果較差,容易受干擾,散熱也不夠理想。

  FBGA封裝把DDR2和DDR3內存的顆粒做成了正方形(圖3),而且體積大約只有DDR內存顆粒的三分之一,內存PCB上也看不到DDR內存芯片上的柱狀金屬觸點,因為其柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面,所有的觸點就被“包裹”起來了,外面自然看不到。其優(yōu)點是有效地縮短了信號的傳導距離。

  速度與容量:成倍提升

  前面我們教大家如何計算內存帶寬大小,其實我們在選擇內存和CPU搭配的時候就是看內存帶寬是否大于或者等于CPU的帶寬,這樣才可以滿足CPU的數(shù)據(jù)傳輸要求。

  而我們從帶寬公式(帶寬=位寬×頻率÷8)可以得知,和帶寬關系最緊密的就是頻率。這也是為什么三代內存等效頻率一升再升的原因之一,其目的就是為了滿足CPU的帶寬。

  不僅速度上有所提升,而且隨著我們應用的提高,我們也需要更大容量的單根內存,DDR時代賣得最火的是512MB和1GB的內存,而到了DDR2時代,兩根1GB內存就只是標準配置了,內存容量為4GB的電腦也逐漸多了起來。甚至在今后還會有單根8GB的內存出現(xiàn)。這說明了人們的對內存容量的要求在不斷提高。

  延遲值:一代比一代高

  任何內存都有一個CAS延遲值,這就好像甲命令乙做事情,乙需要思考的時間一樣。一般而言,內存的延遲值越小,傳輸速度越快。

  從DDR、DDR2、DDR3內存身上看到,雖然它們的傳輸速度越來越快,頻率越來越高,容量也越來越大,但延遲值卻提高了,譬如DDR內存的延遲值(第一位數(shù)值大小最重要,普通用戶關注第一位延遲值就可以了)為1.5、2、2.5、3;而到了DDR2時代,延遲值提升到了3、4、5、6;到了DDR3時代,延遲值也繼續(xù)提升到了5、6、7、8或更高。

  功耗:一次又一次降低

  電子產(chǎn)品要正常工作,肯定要有電。有電,就需要工作電壓,該電壓是通過金手指從主板上的內存插槽獲取的,內存電壓的高低,也反映了內存工作的實際功耗。一般而言,內存功耗越低,發(fā)熱量也越低,工作也更穩(wěn)定。DDR內存的工作電壓為2.5V,其工作功耗在10W左右;而到了DDR2時代,工作電壓從2.5V降至1.8V;到了DDR3內存時代,工作電壓從1.8V降至1.5V,相比DDR2可以節(jié)省30%~40%的功耗。為此我們也看到,從DDR內存發(fā)展到DDR3內存,盡管內存帶寬大幅提升,但功耗反而降低,此時內存的超頻性、穩(wěn)定性等都得到進一步提高。

  制造工藝:不斷提高

  從DDR到DDR2再到DDR3內存,其制造工藝都在不斷改善,更高的工藝水平會使內存電氣性能更好,成本更低。譬如DDR內存顆粒廣泛采用0.13微米制造工藝,而DDR2顆粒采用了0.09微米制造工藝,DDR3顆粒則采用了全新65nm制造工藝(1微米=1000納米)。

  總結

  內存的知識就講到這里了,總的說來,內存主要扮演著CPU數(shù)據(jù)倉庫的角色,所以CPU性能的提升,內存的容量和性能都要跟得上,但也不可盲目地把內存容量配得過大。對于大多數(shù)用戶來說2GB DDR2 800的內存就足夠了,而偏高端一點的電腦使用總容量為4GB的內存就差不多了。

  物理內存和虛擬內存

  物理內存就是我們所能見到的內存條。而虛擬內存就是“假”的內存條,它是在硬盤上開辟的一個用于存儲的空間,對于物理內存來說,它是一種擴展和補充。當內存空間緊張時,系統(tǒng)就會將一些暫時用不到的數(shù)據(jù)轉存到虛擬內存當中。這就像在一個流動倉庫中,管理員把一些滯銷的貨物先移到后備倉庫去,將空間騰出來留給那些經(jīng)常進出倉庫的貨物使用。

  DIMM

  DIMM的全稱是Dual Inline Memory Module(雙列直插內存模組),我們可以簡單地將它理解為內存插槽的類型。從最初的SDRAM DIMM到DDR DIMM,再到現(xiàn)在的DDR2 DIMM,幾種類型所規(guī)定的針腳(即金手指)數(shù)量、針腳定義防呆缺口等等都不相同,不能混用。

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