DDR和DDR2，DDR3的區(qū)別以及如何分辨出來
內(nèi)存現(xiàn)在有三種DDR,DDR2,DDR3.三種有什么不同呢.怎么從外觀上來分辨呢.下面就讓學(xué)習(xí)啦小編為大家一一介紹吧。
1.防呆缺口
DDR內(nèi)存單面金手指針腳數(shù)量為92個(雙面184個)，缺口左邊為52個針腳，制品右邊為40個針腳;
DDR2內(nèi)存單面金手指120個(雙面240個)，缺口左邊為64個針腳，缺口右邊為56個針腳;
DDR3內(nèi)存單面金手指也是120個(雙面240個)，缺口左邊為72個針腳，缺口右邊為48個針腳.
2、DDR內(nèi)存的顆粒為長方形
DDR2和DDR3內(nèi)存的顆粒為正方形,而且體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一
3、使用電壓不同
DDR2的電壓1.8V
DDR3的電壓1.5V
參數(shù)不同之處
電壓 VDD/VDDQ | 2.5V/2.5V | 1.8V/1.8V(±0.1) | 1.5V/1.5V(±0.075) |
I/O接口 | SSTL_25 | SSTL_18 | SSTL_15 |
數(shù)據(jù)傳輸率(Mbps) | 200～400 | 400～800 | 800～2000 |
容量標(biāo)準(zhǔn) | 64M～1G | 256M～4G | 512M～8G |
Memory Latency(ns) | 15～20 | 10～20 | 10～15 |
CL值 | 1.5/2/2.5/3 | 3/4/5/6 | 5/6/7/8 |
預(yù)取設(shè)計(Bit) | 2 | 4 | 8 |
邏輯Bank數(shù)量 | 2/4 | 4/8 | 8/16 |
突發(fā)長度 | 2/4/8 | 4/8 | 8 |
封裝 | TSOP | FBGA | FBGA |
引腳標(biāo)準(zhǔn) | 184Pin | 240Pin | 240Pin |
DDR和DDR2，DDR3的區(qū)別以及如何分辨出來
