DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存的區(qū)別
DDR4內(nèi)存是新一代的產(chǎn)品,目前來說還沒有完全上市。那么不少用戶就會問了,DDR4內(nèi)存和DDR3內(nèi)存有什么區(qū)別呢?下面學習啦小編就為大家介紹一下具體的區(qū)別吧,歡迎大家參考和學習。
DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存有以下5方面不同:
一、頻率和電壓
在頻率方面,DDR4內(nèi)存的工作頻率將從2133MHz 起跳,最高甚至可以達到4266MHz。這個頻率相比DDR3 內(nèi)存有相當大的提升。
在電壓方面,DDR3 內(nèi)存的工作電壓為1.5V,而DDR4內(nèi)存的工作電壓將近一步的降低,預(yù)計最低可以做到1.2V。
二、傳輸機制
相對于DDR3,DDR4的一大改進就體現(xiàn)在信號傳輸機制上。它擁有兩種規(guī)格:除了可支持Single-endedSignaling信號( 傳統(tǒng)SE信號)外,還引入了DifferentialSignaling( 差分信號技術(shù) )技術(shù)。
三、訪問機制
對于DDR3內(nèi)存來說,目前數(shù)據(jù)讀取訪問的機制是雙向傳輸。而在DDR4內(nèi)存中,訪問機制已經(jīng)改為了點對點技術(shù),這是DDR4整個存儲系統(tǒng)的關(guān)鍵性設(shè)計。
點對點相當于一條主管道只對應(yīng)一個水箱(這種機制的改變其實并不會對傳輸速度產(chǎn)生太大的影響,因為主管道的大小并沒有改變),這樣設(shè)計的好處可以大大簡化內(nèi)存模塊的設(shè)計、更容易達到更高的頻率。
四、封裝技術(shù)
DDR4內(nèi)存采用3DS封裝技術(shù),3DS(3-Dimensional Stack,三維堆疊)技術(shù)是DDR4內(nèi)存中最關(guān)鍵的技術(shù)之一,它用來增大單顆芯片的容量。
在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后,單條內(nèi)存的容量最大可以達到目前產(chǎn)品的8倍之多。
五、外觀
DDR3內(nèi)存金手指是240個,內(nèi)存金手指是平直的;而DDR4內(nèi)存金手指是284個,內(nèi)存金手指呈彎曲狀。