內(nèi)存DDR4是什么
內(nèi)存DDR4是什么?對于接觸電腦硬件知識不多的用戶來說,這想必很陌生.所以下面就由學習啦小編來給大家說說內(nèi)存DDR4是什么,歡迎大家前來閱讀!
DDR，又稱雙倍速率SDRAM。Dual Data Rate SDRAM DDR SDRAM是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存。美國JEDEC的固態(tài)技術協(xié)會于2000年6月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)存儲器(DDR SDRAM)規(guī)范，JESD79由于它在時鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進行數(shù)據(jù)傳輸，所以即使在1333MHz的總線頻率下的帶寬也能達到2.128GB/s。DDR不支持3.3V電壓的LVTTL，而是支持2.5V的SSTL2標準，它仍然可以沿用現(xiàn)有SDRAM 的生產(chǎn)體系，制造成本比SDRAM 略高一些，但遠小于Rambus的價格。DDR存儲器代表著未來能與Rambu 相抗衡的內(nèi)存發(fā)展的一個方向。
內(nèi)存規(guī)格
DDR4內(nèi)存將會擁有兩種規(guī)格。其中使用Single-endedSignaling信號的DDR4內(nèi)存其傳輸速率已經(jīng)被確認為1.6～3.2Gbps，而基于差分信號技術的DDR4內(nèi)存其傳輸速率則將可以達到6.4Gbps。由于通過一 個DRAM實現(xiàn)兩種接口基本上是不可能的，因此DDR4內(nèi)存將會同時存在基于傳統(tǒng)SE信號和差分信號的兩種規(guī)格產(chǎn)品。
根據(jù)多位半導體業(yè)界相關人員的介紹，DDR4內(nèi)存將會是Single-endedSignaling(傳統(tǒng)SE信號)方式DifferentialSignaling(差分信號技術)方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也對此表示了確認。預計這兩個標準將會推出不同的芯片產(chǎn)品，因此在DDR4內(nèi)存時代我們將會看到兩個互不兼容的內(nèi)存產(chǎn)品。
內(nèi)存現(xiàn)狀
DDR4內(nèi)存的標準規(guī)范已經(jīng)基本制定完成，三星、海力士等也早都陸續(xù)完成了樣品，但因為DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會急匆匆地到來。最新消息顯示，DDR4內(nèi)存會于2014年首先用于服務器領域，然后再過一年半左右才進入桌面。
據(jù)悉，Intel的再下代企業(yè)級服務器平臺Haswell-EX將會第一個整合DDR4內(nèi)存控制器。Haswell-EX和我們經(jīng)常展望的Haswell屬于同一家族，面向數(shù)據(jù)中心等大型企業(yè)領域，最多擁有16個核心，四路就是64核心。DDR4內(nèi)存不僅會帶來頻率的大幅提升(最高可達4266MHz)，更會有1.2V低電壓、更好的對等保護和錯誤恢復等技術，這些大規(guī)模用于服務器和企業(yè)中心自然能看到立竿見影的好處。
至于桌面上，22nmHaswell、14nmBroadwell都會使用相同的LGA1150封裝接口，內(nèi)存控制器自然也都局限于DDR3，DDR4的支持很可能要等到再往后的14nm工藝新架構“Skylake”，那就是大約2015年的事情了。
這樣的步調(diào)可不算快，之前市場調(diào)研機構曾經(jīng)認為，DDR4內(nèi)存到2015年就應該基本普及了。不過也好，升級太快了不見得是什么好事兒，大家可以更安心地享受廉價DDR3了。
另外，如果你擔心Haswell、Broadwell會因此在內(nèi)存性能上無所作為，倒也大可不必，因為一則DDR3的頻率肯定會越來越高，二者這兩代新處理器會有超低延遲內(nèi)部內(nèi)存控制器總線、刷功能被浮點峰值發(fā)射率、FMA運算、四級緩存等新特性，都有利于帶來更好的內(nèi)存性能。
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