iphone6的運行內(nèi)存怎么樣
iphone6的運行內(nèi)存怎么樣
蘋果公司1980年12月12日公開招股上市，2012年創(chuàng)下6235億美元的市值記錄，截至2014年6月，蘋果公司已經(jīng)連續(xù)三年成為全球市值最大公司。下面是學習啦小編帶來的關于iphone6的運行內(nèi)存怎么樣的內(nèi)容，歡迎閱讀!
iphone6的運行內(nèi)存怎么樣：
其實蘋果的運行內(nèi)存可以說是很棒，主要是因為他的優(yōu)化做得好。
其實這個問題對于iPhone用戶來說并沒有太大的必要，因為每次發(fā)布會上，蘋果從來都是只強調(diào)用戶體驗，忽略硬件參數(shù)，官方甚至都不會給更具體的參數(shù)配置，如果你習慣了安卓飆硬件的那一套，那么iPhone的配置你“簡直”沒法看。
回到問題本身上，1GB內(nèi)存對于現(xiàn)階段iPhone來說沒有太大的問題，如果你老是對1GB內(nèi)存耿耿于懷的話，那就要另當別論。
為什么同樣是1GB內(nèi)存，Android手機會卡，甚至內(nèi)存上升至2GB，如果優(yōu)化不到位還會有卡的情況，簡單明了的說還是，兩者內(nèi)存機制有著本質(zhì)的區(qū)別。
之前的調(diào)查已經(jīng)很清楚的展示了兩者的最本質(zhì)差別，Android手機應用都是通過Java來完成，關閉應用時需要涉及一個過程，即Java垃圾收集機制(garbage collection)，也就是說如果一個用戶要關閉應用，在這中間Java垃圾收集需要大量的內(nèi)存來工作(大約是4-8倍)，如果機器本身內(nèi)存不夠它調(diào)配的話，速度自然就慢下來了。
反觀iPhone常年1GB內(nèi)存，iOS系統(tǒng)本身不會不會涉及所謂的垃圾收集機制，所以這也是兩者卡不卡最本質(zhì)的區(qū)別。
iPhone6 Plus的運存內(nèi)存是1GB RAM，存儲容量方面則提供16GB/64GB/128GB ROM。
硬件方面，iPhone6 Plus采用蘋果A8+M8運動協(xié)處理器，主頻為1.4GHz。iPhone6 Plus背后天線系統(tǒng)覆蓋到機身中框，弧面的金屬中框不僅加強機身整體圓潤感，平衡機身設計美學的同時，也減少手機不慎跌落時對機身的緩沖力。
iPhone6 Plus采用了一顆800萬像素的攝像頭，每個像素大小1.5微米，最大光圈f/2.2，并采用全新傳感器，保留了雙色溫閃光燈之外還內(nèi)置了全新的對焦技術。iPhone6 Plus加入了光學防抖功能，使防抖能力以及弱光拍攝表現(xiàn)得到很大提升。
系統(tǒng)方面，iPhone6 Plus搭載iOS 8系統(tǒng)。雖然的界面風格上與iOS7區(qū)別不大，但iOS8系統(tǒng)更加開放與人性化。在鎖屏狀態(tài)下送短消息時，支持在鎖屏狀態(tài)下直接回復短信。另外在多任務欄，也可直接顯示最近的聯(lián)系人名片，并支持自定義編輯。可以直接給他們發(fā)郵件、打電話等，大大增強了iOS的效率。
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對于細心的讀者，可能還會發(fā)現(xiàn)一個問題：即是對于裝有1MB或1MB以上物理存儲器的機器，其640KB～1024KB這部分物理存儲器如何使用的問題。由于這部分地址空間已分配為系統(tǒng)使用，所以不能再重復使內(nèi)存用。為了利用這部分物理存儲器，在某些386系統(tǒng)中，提供了一個重定位功能，即把這部分物理存儲器的地址重定位為1024KB～1408KB。這樣，這部分物理存儲器就變成了擴展存儲器，當然可以使用了。但這種重定位功能在當今高檔機器中不再使用，而把這部分物理存儲器保留作為Shadow存儲器。Shadow存儲器可以占據(jù)的地址空間與對應的ROM是相同的。Shadow由RAM組成，其速度大大高于ROM。當把ROM中的內(nèi)容(各種BIOS程序)裝入相同地址的Shadow RAM中，就可以從RAM中訪問BIOS，而不必再訪問ROM。這樣將大大提高系統(tǒng)性能。因此在設置CMOS參數(shù)時，應將相應的Shadow區(qū)設為允許使用(Enabled)。
奇/偶校驗(ECC)是數(shù)據(jù)傳送時采用的一種校正數(shù)據(jù)錯誤的一種方式，分為奇校驗和偶校驗兩種。
如果是采用奇校驗，在傳送每一個字節(jié)的時候另外附加一位作為校驗位，當實際數(shù)據(jù)中“1”的個數(shù)為偶數(shù)的時候，這個校驗位就是“1”，否則這個校驗位就是“0”，這樣就可以保證傳送數(shù)據(jù)滿足奇校驗的要求。在接收方收到數(shù)據(jù)時，將按照奇校驗的要求檢測數(shù)據(jù)中“1”的個數(shù)，如果是奇數(shù)，表示傳送正確，否則表示傳送錯誤。
同理偶校驗的過程和奇校驗的過程一樣，只是檢測數(shù)據(jù)中“1”的個數(shù)為偶數(shù)。
CL反應時間是衡定內(nèi)存的另一個標志。CL是CAS Latency的縮寫，指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間，簡單的說，就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應速度。一般的參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小，代表反應所需的時間越短。在早期的PC133內(nèi)存標準中，這個數(shù)值規(guī)定為3，而在Intel重新制訂的新規(guī)范中，強制要求CL的反應時間必須為2，這樣在一定程度上，對于內(nèi)存廠商的芯片及PCB的組裝工藝要求相對較高，同時也保證了更優(yōu)秀的品質(zhì)。內(nèi)存此在選購品牌內(nèi)存時，這是一個不可不察的因素。
還有另的詮釋：內(nèi)存延遲基本上可以解釋成是系統(tǒng)進入數(shù)據(jù)進行存取操作就序狀態(tài)前等待內(nèi)存響應的時間。打個形象的比喻，就像你在餐館里用餐的過程一樣。你首先要點菜，然后就等待服務員給你上菜。同樣的道理，內(nèi)存延遲時間設置的越短，電腦從內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)的速度也就越快，進而電腦其他的性能也就越高。這條規(guī)則雙雙適用于基于英特爾以及AMD處理器的系統(tǒng)中。由于沒有比2-2-2-5更低的延遲，因此國際內(nèi)存標準組織認為以現(xiàn)在的動態(tài)內(nèi)存技術還無法實現(xiàn)0或者1的延遲。
通常情況下，我們用4個連著的阿拉伯數(shù)字來表示一個內(nèi)存延遲，例如2-2-2-5。其中，第一個數(shù)字最為重要，它表示的是CAS Latency，也就是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間。第二個數(shù)字表示的是RAS-CAS延遲，接下來的兩個數(shù)字分別表示的是RAS預充電時間和Act-to-Precharge延遲。而第四個數(shù)字一般而言是它們中間最大的一個。
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