iphone6可以加內(nèi)存嗎
蘋果公司(Apple Inc. )是美國的一家高科技公司。由史蒂夫·喬布斯、斯蒂夫·沃茲尼亞克和羅·韋恩(Ron Wayne)等三人于1976年4月1日創(chuàng)立，下面是學(xué)習(xí)啦小編帶來的關(guān)于iphone6可以加內(nèi)存嗎的內(nèi)容，歡迎閱讀!
iphone6可以加內(nèi)存嗎：
不能，iphone在被設(shè)計(jì)時(shí)就已經(jīng)把所有東西弄成一體的，所有東西都是相連的。
iPhone手機(jī)的所有配件都是一體安裝的，無法改裝。可以通過外接iPhone專用優(yōu)盤實(shí)現(xiàn)擴(kuò)容的效果，比如“覓果”這款產(chǎn)品。
提示：可以通過售后維修進(jìn)行修理，價(jià)格較高，平時(shí)多清理手機(jī)緩存和沒必要的軟件。
iPhone 6是蘋果公司(Apple)在2014年9月9日推出的一款手機(jī)，已于2014年9月19日正式上市。
iPhone 6采用4.7英寸屏幕，分辨率為1334*750像素，內(nèi)置64位構(gòu)架的蘋果A8處理器，性能提升非常明顯;同時(shí)還搭配全新的M8協(xié)處理器，專為健康應(yīng)用所設(shè)計(jì);采用后置800萬像素鏡頭，前置120萬像素 鞠昀攝影FaceTime HD 高清攝像頭;并且加入Touch ID支持指紋識別，首次新增NFC功能;也是一款三網(wǎng)通手機(jī)，4G LTE連接速度可達(dá)150Mbps，支持多達(dá)20個(gè)LTE頻段。
設(shè)計(jì)師卡薩巴-納吉(Csaba Nagy)，而在他眼中的iPhone6應(yīng)該朝著透明的方向靠攏。因而，他將該設(shè)備打造成了一款極薄、透明，且內(nèi)置有可互動(dòng)玻璃外觀的“神機(jī)”。據(jù)悉，設(shè)計(jì)圖中的iPhone6擁有一個(gè)內(nèi)置有LED燈的HOME鍵，只有在用戶按下時(shí)才會(huì)亮起。而且，該手機(jī)還具備有全息投影功能，可以將手機(jī)畫面投射到一塊相對更寬的背景中。
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DDR時(shí)代
DDRSDRAM(Double Data Rate SDRAM)簡稱DDR，也就是“雙倍速率SDRAM”的意思。DDR可以說是SDRAM的升級版本，DDR在時(shí)鐘信號上升沿與下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)，這使得DDR的數(shù)據(jù)傳輸速度為傳統(tǒng)SDRAM的兩倍。由于僅多采用了下降緣信號，因此并不會(huì)造成能耗增加。至于定址與控制信號則與傳統(tǒng)SDRAM相同，僅在時(shí)鐘上升緣傳輸。
DDR內(nèi)存是作為一種在性能與成本之間折中的解決方案，其目的是迅速建立起牢固的市場空間，繼而一步步在頻率上高歌猛進(jìn)，最終彌補(bǔ)內(nèi)存帶寬上的不足。第一代DDR200 規(guī)范并沒有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM(133MHz時(shí)鐘×2倍數(shù)據(jù)傳輸=266MHz帶寬)是由PC133SDRAM內(nèi)存所衍生出的，它將DDR 內(nèi)存帶向第一個(gè)高潮，目前還有不少賽揚(yáng)和AMD K7處理器都在采用DDR266規(guī)格的內(nèi)存，其后來的DDR333內(nèi)存也屬于一種過度，而DDR400內(nèi)存成為目前的主流平臺選配，雙通道DDR400內(nèi)存已經(jīng)成為800FSB處理器搭配的基本標(biāo)準(zhǔn)，隨后的DDR533 規(guī)范則成為超頻用戶的選擇對象。
DDR2時(shí)代
隨著CPU 性能不斷提高，我們對內(nèi)存性能的要求也逐步升級。不可否認(rèn)，緊緊依高頻率提升帶寬的DDR遲早會(huì)力不從心，因此JEDEC 組織很早就開始醞釀DDR2 標(biāo)準(zhǔn)，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平臺開始對DDR2內(nèi)存的支持，所以DDR2內(nèi)存將開始演義內(nèi)存領(lǐng)域的今天。
DDR2 能夠在100MHz 的發(fā)信頻率基礎(chǔ)上提供每插腳最少400MB/s 的帶寬，而且其接口將運(yùn)行于1.8V 電壓上，從而進(jìn)一步降低發(fā)熱量，以便提高頻率。此外，DDR2 將融入CAS、OCD、ODT 等新性能指標(biāo)和中斷指令，提升內(nèi)存帶寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標(biāo)準(zhǔn)來看，針對PC等市場的DDR2內(nèi)存將擁有400、533、667MHz等不同的時(shí)鐘頻率。高端的DDR2內(nèi)存將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II內(nèi)存將采用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2內(nèi)存將采用0.13微米的生產(chǎn)工藝，內(nèi)存顆粒的電壓為1.8V，容量密度為512MB。
內(nèi)存技術(shù)在2005年將會(huì)毫無懸念，SDRAM為代表的靜態(tài)內(nèi)存在五年內(nèi)不會(huì)普及。QBM與RDRAM內(nèi)存也難以挽回頹勢，因此DDR與DDR2共存時(shí)代將是鐵定的事實(shí)。
PC-100的“接班人”除了PC一133以外，VCM(VirXual Channel Memory)也是很重要的一員。VCM即“虛擬通道存儲器”，這也是目前大多數(shù)較新的芯片組支持的一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，VCM內(nèi)存主要根據(jù)由NEC公司開發(fā)的一種“緩存式DRAM”技術(shù)制造而成，它集成了“通道緩存”，由高速寄存器進(jìn)行配置和控制。在實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐瑫r(shí)，VCM還維持著對傳統(tǒng)SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM內(nèi)存稱為VCM SDRAM。VCM與SDRAM的差別在于不論是否經(jīng)過CPU處理的數(shù)據(jù)，都可先交于VCM進(jìn)行處理，而普通的SDRAM就只能處理經(jīng)CPU處理以后的數(shù)據(jù)，所以VCM要比SDRAM處理數(shù)據(jù)的速度快20%以上。目前可以支持VCM SDRAM的芯片組很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。
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