iphone6可以加內(nèi)存嗎
蘋果公司(Apple Inc. )是美國的一家高科技公司。由史蒂夫·喬布斯、斯蒂夫·沃茲尼亞克和羅·韋恩(Ron Wayne)等三人于1976年4月1日創(chuàng)立,下面是學(xué)習(xí)啦小編帶來的關(guān)于iphone6可以加內(nèi)存嗎的內(nèi)容,歡迎閱讀!
iphone6可以加內(nèi)存嗎:
不能,iphone在被設(shè)計(jì)時就已經(jīng)把所有東西弄成一體的,所有東西都是相連的。
iPhone手機(jī)的所有配件都是一體安裝的,無法改裝??梢酝ㄟ^外接iPhone專用優(yōu)盤實(shí)現(xiàn)擴(kuò)容的效果,比如“覓果”這款產(chǎn)品。
提示:可以通過售后維修進(jìn)行修理,價格較高,平時多清理手機(jī)緩存和沒必要的軟件。
iPhone 6是蘋果公司(Apple)在2014年9月9日推出的一款手機(jī),已于2014年9月19日正式上市。
iPhone 6采用4.7英寸屏幕,分辨率為1334*750像素,內(nèi)置64位構(gòu)架的蘋果A8處理器,性能提升非常明顯;同時還搭配全新的M8協(xié)處理器,專為健康應(yīng)用所設(shè)計(jì);采用后置800萬像素鏡頭,前置120萬像素 鞠昀攝影FaceTime HD 高清攝像頭;并且加入Touch ID支持指紋識別,首次新增NFC功能;也是一款三網(wǎng)通手機(jī),4G LTE連接速度可達(dá)150Mbps,支持多達(dá)20個LTE頻段。
設(shè)計(jì)師卡薩巴-納吉(Csaba Nagy),而在他眼中的iPhone6應(yīng)該朝著透明的方向靠攏。因而,他將該設(shè)備打造成了一款極薄、透明,且內(nèi)置有可互動玻璃外觀的“神機(jī)”。據(jù)悉,設(shè)計(jì)圖中的iPhone6擁有一個內(nèi)置有LED燈的HOME鍵,只有在用戶按下時才會亮起。而且,該手機(jī)還具備有全息投影功能,可以將手機(jī)畫面投射到一塊相對更寬的背景中。
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DDR時代
DDRSDRAM(Double Data Rate SDRAM)簡稱DDR,也就是“雙倍速率SDRAM”的意思。DDR可以說是SDRAM的升級版本,DDR在時鐘信號上升沿與下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù),這使得DDR的數(shù)據(jù)傳輸速度為傳統(tǒng)SDRAM的兩倍。由于僅多采用了下降緣信號,因此并不會造成能耗增加。至于定址與控制信號則與傳統(tǒng)SDRAM相同,僅在時鐘上升緣傳輸。
DDR內(nèi)存是作為一種在性能與成本之間折中的解決方案,其目的是迅速建立起牢固的市場空間,繼而一步步在頻率上高歌猛進(jìn),最終彌補(bǔ)內(nèi)存帶寬上的不足。第一代DDR200 規(guī)范并沒有得到普及,第二代PC266 DDR SRAM(133MHz時鐘×2倍數(shù)據(jù)傳輸=266MHz帶寬)是由PC133SDRAM內(nèi)存所衍生出的,它將DDR 內(nèi)存帶向第一個高潮,目前還有不少賽揚(yáng)和AMD K7處理器都在采用DDR266規(guī)格的內(nèi)存,其后來的DDR333內(nèi)存也屬于一種過度,而DDR400內(nèi)存成為目前的主流平臺選配,雙通道DDR400內(nèi)存已經(jīng)成為800FSB處理器搭配的基本標(biāo)準(zhǔn),隨后的DDR533 規(guī)范則成為超頻用戶的選擇對象。
DDR2時代
隨著CPU 性能不斷提高,我們對內(nèi)存性能的要求也逐步升級。不可否認(rèn),緊緊依高頻率提升帶寬的DDR遲早會力不從心,因此JEDEC 組織很早就開始醞釀DDR2 標(biāo)準(zhǔn),加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平臺開始對DDR2內(nèi)存的支持,所以DDR2內(nèi)存將開始演義內(nèi)存領(lǐng)域的今天。
DDR2 能夠在100MHz 的發(fā)信頻率基礎(chǔ)上提供每插腳最少400MB/s 的帶寬,而且其接口將運(yùn)行于1.8V 電壓上,從而進(jìn)一步降低發(fā)熱量,以便提高頻率。此外,DDR2 將融入CAS、OCD、ODT 等新性能指標(biāo)和中斷指令,提升內(nèi)存帶寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標(biāo)準(zhǔn)來看,針對PC等市場的DDR2內(nèi)存將擁有400、533、667MHz等不同的時鐘頻率。高端的DDR2內(nèi)存將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II內(nèi)存將采用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2內(nèi)存將采用0.13微米的生產(chǎn)工藝,內(nèi)存顆粒的電壓為1.8V,容量密度為512MB。
內(nèi)存技術(shù)在2005年將會毫無懸念,SDRAM為代表的靜態(tài)內(nèi)存在五年內(nèi)不會普及。QBM與RDRAM內(nèi)存也難以挽回頹勢,因此DDR與DDR2共存時代將是鐵定的事實(shí)。
PC-100的“接班人”除了PC一133以外,VCM(VirXual Channel Memory)也是很重要的一員。VCM即“虛擬通道存儲器”,這也是目前大多數(shù)較新的芯片組支持的一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),VCM內(nèi)存主要根據(jù)由NEC公司開發(fā)的一種“緩存式DRAM”技術(shù)制造而成,它集成了“通道緩存”,由高速寄存器進(jìn)行配置和控制。在實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐瑫r,VCM還維持著對傳統(tǒng)SDRAM的高度兼容性,所以通常也把VCM內(nèi)存稱為VCM SDRAM。VCM與SDRAM的差別在于不論是否經(jīng)過CPU處理的數(shù)據(jù),都可先交于VCM進(jìn)行處理,而普通的SDRAM就只能處理經(jīng)CPU處理以后的數(shù)據(jù),所以VCM要比SDRAM處理數(shù)據(jù)的速度快20%以上。目前可以支持VCM SDRAM的芯片組很多,包括:Intel的815E、VIA的694X等。
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