iphone6內(nèi)存不夠用可以擴(kuò)充嗎
蘋果公司(Apple Inc. )是美國(guó)的一家高科技公司。由史蒂夫·喬布斯、斯蒂夫·沃茲尼亞克和羅·韋恩(Ron Wayne)等三人于1976年4月1日創(chuàng)立，下面是學(xué)習(xí)啦小編帶來(lái)的關(guān)于iphone6內(nèi)存不夠用可以擴(kuò)充嗎的內(nèi)容，歡迎閱讀!
iphone6內(nèi)存不夠用可以擴(kuò)充嗎：
不可以。
小內(nèi)存版的蘋果手機(jī)容易出現(xiàn)這種情況?？梢缘接昧恐胁榭凑純?nèi)存比較大的從軟件，進(jìn)行刪除。
方法如下：
1、主界面找到手機(jī)的設(shè)置圖標(biāo)。
2、點(diǎn)擊進(jìn)入手機(jī)的設(shè)置界面。
3、然后即可看到【通用】，點(diǎn)擊進(jìn)入。
4、然后選擇【用量】，進(jìn)入后等待一會(huì)，即可看到目前手機(jī)各個(gè)軟件所占的內(nèi)存大小。
5、可以直接點(diǎn)即軟件進(jìn)行刪除。
注意：系統(tǒng)本身和升級(jí)往往要占據(jù)較大的內(nèi)存。
iphone6內(nèi)存不夠解決方法——刪除錄音(語(yǔ)音備忘錄)
語(yǔ)音備忘錄里的錄音這絕對(duì)是內(nèi)存殺手，刪除方法：打開iphone6【語(yǔ)音備忘錄】找到錄音，點(diǎn)擊【刪除】。
iphone6內(nèi)存不夠解決方法——刪除你的瀏覽器緩存
瀏覽器的緩存同樣也是內(nèi)存殺手。我們要養(yǎng)成定期定緩存的習(xí)慣。刪除緩存方法：打開iphone6手機(jī)【設(shè)置】，點(diǎn)擊【Safari】進(jìn)入后，選擇【清除歷史記錄與網(wǎng)站數(shù)據(jù)】?！ phone6內(nèi)存不夠解決方法——刪除你的舊手機(jī)短信
當(dāng)你發(fā)送一條帶圖片的文本消息，圖片就會(huì)存儲(chǔ)在“其他”里，刪掉它們也有利于釋放內(nèi)存。遺憾的是沒(méi)有簡(jiǎn)單的方法來(lái)大規(guī)模刪除短信，在手動(dòng)刪除時(shí)，要小心不要?jiǎng)h除重要對(duì)話的記錄哦!
iphone6內(nèi)存不夠解決方法——使用“照片流”云存儲(chǔ)照片
照片其實(shí)也是非常占內(nèi)存的，我們可以直接用iCloud同步到云端。開啟方法如下：打開iphone6手機(jī)【設(shè)置】點(diǎn)擊【iCloud】將【iCloud Drive】開啟后點(diǎn)擊【照片】將照片后將【我的照片流】開啟即可。
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SRAM
SRAM(Static RAM)意為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。SRAM數(shù)據(jù)不需要通過(guò)不斷地刷新來(lái)保存，因此速度比DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)快得多。但是SRAM具有的缺點(diǎn)是：同容量相比DRAM需要非常多的晶體管，發(fā)熱量也非常大。因此SRAM難以成為大容量的主存儲(chǔ)器，通常只用在CPU、GPU中作為緩存，容量也只有幾十K至幾十M。
SRAM目前發(fā)展出的一個(gè)分支是eSRAM(Enhanced SRAM)，為增強(qiáng)型SRAM，具備更大容量和更高運(yùn)行速度。
RDRAM
RDRAM是由RAMBUS公司推出的內(nèi)存。RDRAM內(nèi)存條為16bit，但是相比同期的SDRAM具有更高的運(yùn)行頻率，性能非常強(qiáng)。然而它是一個(gè)非開放的技術(shù)，內(nèi)存廠商需要向RAMBUS公司支付授權(quán)費(fèi)。并且RAMBUS內(nèi)存的另一大問(wèn)題是不允許空通道的存在，必須成對(duì)使用，空閑的插槽必須使用終結(jié)器。因此，除了短壽的Intel i820和i850芯片組對(duì)其提供支持外，PC平臺(tái)沒(méi)有支持RAMBUS內(nèi)存的芯片組?？梢哉f(shuō)，它是一個(gè)優(yōu)秀的技術(shù)，但不是一個(gè)成功的商業(yè)產(chǎn)品。
XDR RAM
XDR內(nèi)存是RDRAM的升級(jí)版。依舊由RAMBUS公司推出。XDR就是“eXtreme Data Rate”的縮寫。XDR依舊存在RDRAM不能大面普及的那些不足之處。因此，XDR內(nèi)存的應(yīng)用依舊非常有限。比較常見的只有索尼的PS3游戲機(jī)。
Fe-RAM
鐵電存儲(chǔ)器是一種在斷電時(shí)不會(huì)丟失內(nèi)容的非易失存儲(chǔ)器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)。由于數(shù)據(jù)是通過(guò)鐵元素的磁性進(jìn)行存儲(chǔ)，因此，鐵電存儲(chǔ)器無(wú)需不斷刷新數(shù)據(jù)。其運(yùn)行速度將會(huì)非常樂(lè)觀。而且它相比SRAM需要更少的晶體管。它被業(yè)界認(rèn)為是SDRAM的最有可能的替代者。
MRAM磁性存儲(chǔ)器。它和Fe-RAM具有相似性，依舊基于磁性物質(zhì)來(lái)記錄數(shù)據(jù)。
OUM
相變存儲(chǔ)器。
奧弗辛斯基(Stanford Ovshinsky)在1968年發(fā)表了第一篇關(guān)于非晶體相變的論文，創(chuàng)立了非晶體半導(dǎo)體學(xué)。一年以后，他首次描述了基于相變理論的存儲(chǔ)器：材料由非晶體狀態(tài)變成晶體，再變回非晶體的過(guò)程中，其非晶體和晶體狀態(tài)呈現(xiàn)不同的反光特性和電阻特性，因此可以利用非晶態(tài)和晶態(tài)分別代表“0”和“1”來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
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