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硬盤基礎(chǔ)知識大全

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硬盤是一個計算機系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲中心,我們運行計算機時使用的程序和數(shù)據(jù)目前絕大部分都存儲在硬盤上。下面就讓小編帶你去看看關(guān)于硬盤基礎(chǔ)知識大全,希望能幫助到大家!

關(guān)于硬盤的一些基礎(chǔ)認識

機械硬盤的認識

硬盤的組成

硬盤的物理結(jié)構(gòu)

磁頭

主要任務(wù)完成盤片上數(shù)據(jù)的讀寫操作,盤片在高速旋轉(zhuǎn)時,磁頭會飛行在盤面上方,而不是接觸盤面

每個盤片的兩面都會有一個磁頭, 當然有的硬盤有可能只有一個磁頭,磁頭的編號從0開始

機械臂

使磁頭部件作徑向移動的裝置,已完成磁道變換

盤片

含有磁性的合金盤片,用來存取寫入的數(shù)據(jù):每張盤片的容量成為單碟容量,而硬盤的容量就是所有盤片容量的總和;由于單碟容量的限制,通常一個硬盤會含有多張盤片

盤片的厚度在0.5mm左右,盤片的轉(zhuǎn)速與盤片大小有關(guān)

每個盤片都會有上下兩面,都可以被利用來存儲數(shù)據(jù);能存儲數(shù)據(jù)的盤面成為有效盤面,每個盤面都會有一個盤面好,其和磁頭編號是相對應(yīng)的,從0開始編號

盤片的邏輯劃分

扇區(qū)

盤片在轉(zhuǎn)動時,磁頭在盤面上畫過的一段圓弧,稱扇區(qū),即sector

扇區(qū)并不是連續(xù)的,在磁道上被劃分成一段一段的,從1開始編號

是硬盤最小的物理存取單位,每個扇區(qū)為512byte

磁道

磁盤在格式化時被劃分成許多同心圓,這些同心圓叫做磁道,即track

磁道從外向內(nèi)從0開始編號,盤面的容量越大,包含的磁道數(shù)越多

磁道是看不見的,只是盤面上一些被磁化的區(qū)域

柱面

所有盤面上相同編號的磁道構(gòu)成的圓柱,稱為柱面,即cylinder

每個柱面上的磁頭由上到下從0開始編號

數(shù)據(jù)的讀寫是按照柱面進行的,而非按照盤面進行

柱面是分區(qū)的最小單位

柱面是所有盤片表面上到中心主軸的距離相等的磁道集合

數(shù)據(jù)的讀寫按柱面進行,即磁頭讀寫數(shù)據(jù)時首先在同一柱面內(nèi)從“0”磁頭開始進行操作,依次向下在同一柱面的不同盤面即磁頭上進行操作,只在同一柱面的所有磁頭全部讀寫完畢后磁頭才轉(zhuǎn)移到下一柱面。

因為選取磁頭只需要通過電子切換即可,而選取柱面則必須通過機械切換。電子切換相當快,比在機械上磁頭向鄰近磁道移動快的多,所以,數(shù)據(jù)的讀寫按柱面進行,而不按盤面進行。

一個磁道寫滿數(shù)據(jù)后,就在同一柱面的下一個盤面來寫,一個柱面寫滿后,才移到下一個扇區(qū)開始寫數(shù)據(jù)

硬盤容量

硬盤容量由以下技術(shù)因素決定:

記錄密度:磁道一英寸的段中可以放入的位數(shù)

磁盤密度:從盤片中心出發(fā)半徑為一英寸的段內(nèi)可以有的磁道數(shù)

面密度: 記錄密度與磁道密度的乘積

磁盤操作

磁盤用連接到一個機械臂的讀寫頭來讀寫存儲在磁性表面的位

通過沿著半徑軸移動這個傳動比,驅(qū)動器可以將讀寫投定位在盤面上的任何磁道上。這樣的機械運動成為尋道。

一旦讀寫頭定位到了期望的磁道上,那么當磁道上的每個為通過它的下面時,讀寫頭可以感知到這個位的值(讀),也可以修改這個位的值(寫)。

有多個盤片的磁盤針對每個盤面都有一個獨立的讀寫頭,讀寫頭垂直排列,一致行動,在任何時刻,所有的讀寫頭都位于同一個柱面上

磁盤數(shù)據(jù)訪問時間

磁盤以扇區(qū)大小的塊來讀寫數(shù)據(jù)。對扇區(qū)的訪問時間有三個主要的部分:

尋道時間:為了讀取某個目標扇區(qū)的內(nèi)容,機械臂首先將讀寫頭定位到包含目標扇區(qū)的磁道上。移動機械臂所需的時間稱為尋道時間。尋道時間Tseek依賴于讀寫頭以前的位置和機械臂在盤面上移動的速度?,F(xiàn)代驅(qū)動器中平均尋道時間通常為3~9ms,一次尋道的最大時間可以高達20ms

旋轉(zhuǎn)時間:一旦讀寫投定位到了期望的磁道,驅(qū)動器等待目標扇區(qū)的第一個位旋轉(zhuǎn)到讀寫頭下,這個步驟的性能依賴于當讀寫頭到達目標扇區(qū)時的盤面位置以及磁盤的旋轉(zhuǎn)速度。在最壞的情況下,讀寫投剛剛錯過了目標扇區(qū),必須等待磁盤轉(zhuǎn)一整圈

平均旋轉(zhuǎn)時間是最大旋轉(zhuǎn)延遲時間的一半

傳送時間: 當目標扇區(qū)的第一個位位于讀寫頭下時,驅(qū)動器就可以開始讀或者寫該扇區(qū)的內(nèi)容了。一個扇區(qū)的傳送時間依賴于旋轉(zhuǎn)時間和每條磁道的扇區(qū)數(shù)目。

固態(tài)硬盤的認識

SSD是一種利用Flash芯片或者DRAM芯片作為數(shù)據(jù)永久存儲的硬盤。

利用DRAM作為永久存儲介質(zhì)的SSD,又可稱為RAM-Dsk, 其內(nèi)部使用SDRAM內(nèi)存條來存儲數(shù)據(jù),所以在外部電源斷開后,需要使用電池來維持DRAM中的數(shù)據(jù)

現(xiàn)在比較常見的SSD為基于Flash介質(zhì)的SSD

所有類型的ROM和Flash芯片使用一種叫做“浮動門場效應(yīng)晶體管”的晶體管來保存數(shù)據(jù)。每個這樣的晶體管叫做一個“cell”,即單元。

Cell

兩種類型

Single Level Cell(SLC) :每個Cell可以保存1B的數(shù)據(jù)

Multi Level Cell(MLC)每個Cell可以保存2B的數(shù)據(jù)

MLC容量是SLC的兩倍,但是成本與SLC大致相當。導(dǎo)致相同容量下的SSD,MLC芯片成本要比SLC芯片低

Cell是利用FG(Floating Gate)中的電勢值來與閾值對比從而判斷其表示1或者0的。

固態(tài)硬盤讀寫過程

從Flash芯片讀取數(shù)據(jù)的過程

位線 將所有Cell串聯(lián)起來的導(dǎo)線稱為“位線”

字線 將多個并聯(lián)的Cell串中相同位置的Cell水平貫穿起來的導(dǎo)線組稱為“字線”

當需要讀出某個Page時,F(xiàn)lash Controller控制Flash芯片將相應(yīng)這個Page的字線組電勢置為0,其他所有字線組的電勢則升高到一個值,而這個值又不至于使電子穿過FG絕緣層到達FG

所有Cell串的位線被導(dǎo)通以便外接從位線上提取電勢狀態(tài),而所有的字線電壓被提高的Page其感應(yīng)線均被斷開導(dǎo)致感應(yīng)線不能將對應(yīng)的Cell的電勢傳遞到位線上

所以此時每個Cell串的位線所體現(xiàn)的電勢值與待讀出Page中所有Cell一一對應(yīng),再通過電路將每條位線上的電勢值解碼成1或者0從而傳輸?shù)叫酒獠?,放置與SSD的RAM Buffer中保存,這樣完成了一個Page內(nèi)容的讀出

SSD的IO最小單位為1個Page

向Flash芯片中寫入數(shù)據(jù)的過程

Flash芯片要求在修改一個Cell中的位的時候,在修改之前,必須先Erase掉這個Cell。

注:機械磁盤上的“數(shù)據(jù)”是永遠抹不掉的,因為即使將扇區(qū)全部寫入0也算是存放了數(shù)字0,也是數(shù)據(jù)。

Cell帶點表示0,不帶電表示1,Cell只能帶負電荷,即電子,而不能帶正電荷

這里的Erase動作其實就是將一大片連續(xù)的Cell一下子全部放電,這一片連續(xù)的Cell就是一個Block。即每次Erase只能一下檫除一整個Block或者多個Block,將其中所有的Cell變?yōu)?狀態(tài)

但是卻不能單獨檫除某個或者某段Page,或者單個或多個Cell(這個是造成SSD的致命缺點的一個根本原因)

Erase完成之后,Cell中全為1,此時可以向其中寫入數(shù)據(jù),如果遇到待寫入某個Cell的數(shù)據(jù)位恰好為1的時候,對應(yīng)這個Cell的電路不做任何動作,其結(jié)果依然是1;

如果遇到待寫入某個Cell的數(shù)據(jù)位為0的時候,則電路將對應(yīng)Cell中的FG進行充電,Cell狀態(tài)從1變?yōu)?,完成了寫入

這個寫入0的動作又叫做“Program”,即對這個Cell進行看Program

Flash芯片的通病

Erase Before OverWrite

相比機械磁盤,磁盤可以直接用刺頭將對應(yīng)的區(qū)域磁化成任何信號,如果之前保存的數(shù)據(jù)是1,新數(shù)據(jù)還是1,則磁頭對1磁化,結(jié)果還是1;如果新數(shù)據(jù)是0,則磁頭對1磁化,結(jié)果就變成了0

Flash則不然,如果要向某個Block寫入數(shù)據(jù),則不管原來Block中是1還是0,新寫入的數(shù)據(jù)是1還是0,必須先Erase整個Block為全1,然后才能向Block中寫入新數(shù)據(jù)。

這種額外Erase操作增加了覆蓋寫的開銷

總的來說是這樣的一種情況:如果僅僅需要更改某個Block中的某個Page,那么在Erase之前,需要將全部Block中的數(shù)據(jù)讀入SSD的RAM Buffer,然后Erase整個Block,再將待寫入的新Page中的數(shù)據(jù)在RAM中覆蓋到Block中對應(yīng)的Page,然后將整個更新后的Block寫入Flash芯片

這樣加大了寫開銷,形成了大規(guī)模的寫懲罰(Write Amplification 寫擴大),小塊隨機寫IO會產(chǎn)生大倍數(shù)的寫懲罰

Wear Off

隨著FG充放電次數(shù)的增多,二氧化硅絕緣層的絕緣能力將遭到損耗,最后逐漸失去絕緣性,無法保證FG中有足夠的電荷。此時,這個Cell就被宣判為損壞,即Wear Off

損壞的Cell將拖累這個Cell所在的整個Page被標記為損壞,因為SSD尋址和IO的最小單位為Page。損壞的Page對應(yīng)的邏輯地址將被重定向映射到其他完好的預(yù)留Page,SSD將這些重定向表保存在ROM中,每次加電均被載入RAM以供隨時查詢

寫懲罰大大加速Wear off,因為寫懲罰做了很多無用功,增加了不必要的擦寫

MLC可擦寫的壽命比較低,小于10000次;SLC高一些,十倍于MLC,小于100000。

解決方法

損耗平衡

為了避免同一個Cell被高頻率檫寫,SSD有這樣一個辦法:每次針對某個或者某段邏輯LBA地址(Logical Block Address)的寫都寫到SSD中的Free Space中,即上一次全盤Erase后從未被寫過的Block/Page中,這些Free Space已經(jīng)被放電,直接寫入即可

若再次遇到針對這個或者這段LBA地址的寫操作,那么SSD會再次將待寫入的數(shù)據(jù)重定向?qū)懙紽ree Space中,而將之前這個邏輯地址占用的Page標記為“Garbage”,可以回收再利用

等到Block中一定比例的Page都被標記為“Garbage”時,并且存在大批滿足條件的Block,SSD會批量回收這些Block

SSD這樣做就是為了將寫操作平衡到所有可能的Block中,降低單位時間內(nèi)每個Block的擦寫次數(shù),從而延長Cell的壽命

由于Page的邏輯地址對應(yīng)的物理地址是不斷被重定向的,所以SSD內(nèi)部需要微環(huán)境一個地址映射表。這種設(shè)計是比較復(fù)雜的,需要SSD上的CPU具有一定的能力運行對應(yīng)的算法程序。這種避免wear off 過快的重定向算法稱為Wear Leveling,即損耗平衡算法

Wiper

需要了解的是,影響一塊SSD壽命和寫入性能的最終決定因素就是Free Space,而且是存儲介質(zhì)自身所看到的Free Space而不是文件系統(tǒng)級別的Free Space

但是SSD自身所認識的Free Space永遠只會少于文件系統(tǒng)的Free Space ,并且只會越來越趨于0

需要文件系統(tǒng)來通知SSD自身的Free Space,告訴它哪些邏輯地址現(xiàn)在并未被任何文件或者元數(shù)據(jù)所占用,可以被擦除

所有的SSD廠商均會提供一個工具,稱為“Wiper”

操作系統(tǒng)中運行這個工具時,此工具掃描文件系統(tǒng)內(nèi)不用的邏輯地址,并將這些地址通知給SSD,SSD便可以將對應(yīng)的Block做擦除并回收到Free Space空間內(nèi)

TRIM指令

TRIM指令可以讓文件系統(tǒng)在刪除某個文件之后實時地通知SSD回收對應(yīng)的空間

TRIM是ATA指令標準中的一個功能指令,在Linu__ Kernel 2.6.28中已經(jīng)囊括,但是并不完善

TRIM可以使SSD起死回生,開啟了TRIM支持的SSD,在操作系統(tǒng)TRIM的支持下,可以成功的將性能提高到相對于SSD初始化使用時候的95%以上

Delay Write 和 Combine Write

Delay Write 是一種存儲系統(tǒng)常用的寫IO優(yōu)化措施。

比如有先后兩個針對同一個地址的IO—–Write1,Write2,先后被控制器收到了,而在Write1尚未被寫入到永久存儲介質(zhì)之前,恰好Write2進入,此時控制器就可以直接在內(nèi)存中將Write2覆蓋Write1,在寫入硬盤的時候只需要寫入一次即可

這樣的操作減少了不必要的寫

Combine Write是另一種存儲系統(tǒng)控制器常用的寫IO優(yōu)化方法。

對于基于機械硬盤的存儲系統(tǒng),如果控制器在一段時間內(nèi)收到多個寫IO而這些寫IO的地址在邏輯上市連續(xù)的,則可以將這些小的IO合并為針對整體連續(xù)地址段的一個大的IO,一次性寫入對應(yīng)的磁盤,節(jié)約了很多SCSI指令周期,提高了效率

由于SSD中的邏輯地址本來就是被雜亂地映射到可能不連續(xù)的物理地址上(這樣并不影響性能),所以,SSD控制器可以整合任何地址的小塊寫IO成一個大的寫IO而不必在乎小塊寫IO針對的邏輯地址是否連續(xù)

整合之后的大寫IO被直接寫向一個Free的Block中,這樣做大大提高了效率

預(yù)留備用空間

SSD為了防止文件系統(tǒng)將數(shù)據(jù)寫滿的極端情況,SSD自己預(yù)留一部分備用空間用于重定向?qū)?/p>

這部分空間并不通告給操作系統(tǒng),只有SSD自己知道,文件系統(tǒng)永遠也寫不滿SSD的全部實際物理空間

硬盤知識:硬盤的種類與作用

關(guān)于機械硬盤:

機械硬盤是傳統(tǒng)硬盤,電腦主要的存儲媒介之一。機械硬盤有不同的顏色,分別有紅盤,綠盤,黑盤,藍盤,紫盤。

機械硬盤就作為我們普通電腦里的普通硬盤。內(nèi)部有磁盤,通過磁盤的高速旋轉(zhuǎn),并用相應(yīng)的磁頭,讀取或存儲數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)永久保存,無限復(fù)寫。 不能受外界沖壓、擠壓或震動,輕拿輕放,攜帶不方便。

關(guān)于固態(tài)硬盤:

由多個閃存芯片加主控以及緩存組成的陣列式存儲,屬于以固態(tài)電子存儲芯片陣列制成的硬盤。防震抗摔性,數(shù)據(jù)存儲速度快,功耗低,噪音小,容量大,使用壽命較長等優(yōu)勢。

固態(tài)硬盤的存儲介質(zhì)分為兩種,一種是來用閃存(FLASH芯片)作為存儲介質(zhì),另外一種是采用DRAM作為存儲介質(zhì),廣泛應(yīng)用于軍事、車載、工控、視頻監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)終端等。

機械硬盤與固態(tài)硬盤的區(qū)別:

1、工作原理不同:

固態(tài)硬盤是以半導(dǎo)體狀態(tài)做記憶介質(zhì),機械硬盤是以磁做記憶介質(zhì)的。

2、讀寫速度差別很大:

由于固態(tài)硬盤是半導(dǎo)體做記憶介質(zhì)的,所以比機械硬盤的讀寫速度快得很多。

3、安全級別相差很大:

固態(tài)硬盤是以半導(dǎo)體做記憶介質(zhì)的,所以比機械硬盤抗震動和抗摔,完全性更高。

關(guān)于混合硬盤:

混合硬盤是機械硬盤與固態(tài)硬盤的結(jié)合體,采用容量較小的閃存顆粒用來存儲常用常用文件,而磁盤才是最重要的存儲介質(zhì),閃存僅起到了緩沖作用,將更多的常用文件保存到閃存內(nèi)減小尋道時間,從而提升效率。但抗震性能差、單顆閃存顆粒導(dǎo)致擦寫次數(shù)收到了嚴重制約等。

硬盤如何選擇?固態(tài)硬盤是目前性價比最高的硬盤,因此固態(tài)硬盤受到大多數(shù)企業(yè)的偏愛。根據(jù)自己的需求來選購,注意硬盤的日常使用,避免故障發(fā)生。從而延長硬盤使用壽命。

硬盤使用小技巧:

1.使用環(huán)境要保持整潔。

2.防止碰撞、震動。

3.定期對電腦的硬件進行檢查,早早排除故障。

硬盤知識分享

一、介紹

硬盤是我們熟知的電腦配件之一,簡單的說就是一容量存儲器,與主機通迅速度很快,成為現(xiàn)代電腦不可缺少的配件

由于計算機在工作CPU,輸入輸出設(shè)備與器之間要大量地交換數(shù)據(jù),因此存儲器的處理速度和容量,也是影響計算機整體運行速度的主要因素之一。

二、硬盤的分類

固態(tài)硬盤

固態(tài)硬盤也稱作電子硬盤或者固態(tài)電子盤,是由控制單元和固態(tài)存儲單元組成的硬盤。固態(tài)硬盤的介質(zhì)分為兩種,一種是采用閃存作為介質(zhì),另外一種是采用DRAM作為存儲介質(zhì),目前絕大多數(shù)固態(tài)硬盤采用的是閃存介質(zhì)。單元負責(zé)存儲數(shù)據(jù),控制單元負責(zé)讀取、寫入數(shù)據(jù)。由于固態(tài)硬盤沒有普通硬盤的機械結(jié)構(gòu),也不存在機械硬盤的尋道問題,因此系統(tǒng)能夠在低于1ms的時間內(nèi)對任意位置單元完成輸入/輸出操作。

機械硬盤

機械硬盤即是傳統(tǒng)普通硬盤,主要由:盤片,磁頭,盤片轉(zhuǎn)軸及控制電機,磁頭控制器,數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器,接口,緩存等幾個部分組成。磁頭可沿盤片的半徑方向運動,加上盤片每分鐘幾千轉(zhuǎn)的高速旋轉(zhuǎn),磁頭就可以定位在盤片的指定位置上進行數(shù)據(jù)的讀寫操作。

區(qū)別:

1、速度,固態(tài)硬盤傳輸速度能達到500MB/s,其中讀取速度達到400-600MB每秒,寫入速度達到200MB每秒。而傳統(tǒng)硬盤讀取速度極限也無法超越200MB每秒,寫入速度在100MB每秒左右。如果遇到非連續(xù)的散片數(shù)據(jù),SSD能體現(xiàn)出極快的讀寫速度。而傳統(tǒng)機械硬盤由于磁頭尋道等原因,傳輸速度偏慢。

2、 安全,固態(tài)硬盤沒有盤片,所以只要其芯片不受到外形擠壓產(chǎn)生形變,數(shù)據(jù)就能獲得安全的保存。而傳統(tǒng)硬盤沒有這一優(yōu)勢,一旦在高速旋轉(zhuǎn)過程中盤片和磁頭碰撞,甚至不合理接觸,都會造成盤片受損,數(shù)據(jù)丟失。

3、 經(jīng)濟,在同樣容量下,固態(tài)硬盤現(xiàn)階段價格高于傳統(tǒng)機械硬盤3-5倍,但是隨著摩爾定律的前進,固態(tài)硬盤NAND閃存芯片密度會越來越大,則存儲量越來越高,終有一天會取代傳統(tǒng)的次存儲設(shè)備。

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