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高二化學(xué)選修三知識(shí)點(diǎn)

時(shí)間: 陳哲凡673 分享

高二化學(xué)選修三知識(shí)點(diǎn)

  認(rèn)識(shí)結(jié)構(gòu)決定性質(zhì),性質(zhì)決定用途的規(guī)律,了解現(xiàn)代化學(xué)肩負(fù)的使命。下面是學(xué)習(xí)啦小編為大家整理的高二化學(xué)選修三知識(shí)點(diǎn),希望對(duì)大家有所幫助。

  高二化學(xué)選修三知識(shí)點(diǎn)(一)

  1.理解離子鍵的含義,能說(shuō)明離子鍵的形成.了解NaCl型和CsCl型離子晶體的結(jié)構(gòu)特征,能用晶格能解釋離子化合物的物理性質(zhì).

  (1).化學(xué)鍵:相鄰原子之間強(qiáng)烈的相互作用.化學(xué)鍵包括離子鍵、共價(jià)鍵和金屬鍵.

  (2).離子鍵:陰、陽(yáng)離子通過(guò)靜電作用形成的化學(xué)鍵.

  離子鍵強(qiáng)弱的判斷:離子半徑越小,離子所帶電荷越多,離子鍵越強(qiáng),離子晶體的熔沸點(diǎn)越高.

  離子鍵的強(qiáng)弱可以用晶格能的大小來(lái)衡量,晶格能是指拆開(kāi)1mol離子晶體使之形成氣態(tài)陰離子和陽(yáng)離子所吸收的能量.晶格能越大,離子晶體的熔點(diǎn)越高、硬度越大.

  2.離子晶體:通過(guò)離子鍵作用形成的晶體.

  典型的離子晶體結(jié)構(gòu):NaCl型和CsCl型.氯化鈉晶體中,每個(gè)鈉離子周圍有6個(gè)氯離子,每個(gè)氯離子周圍有6個(gè)鈉離子,每個(gè)氯化鈉晶胞中含有4個(gè)鈉離子和4個(gè)氯離子;氯化銫晶體中,每個(gè)銫離子周圍有8個(gè)氯離子,每個(gè)氯離子周圍有8個(gè)銫離子,每個(gè)氯化銫晶胞

  性質(zhì)(對(duì)σ鍵和π鍵之間相對(duì)強(qiáng)弱的比較不作要求)。

  (1).共價(jià)鍵的分類和判斷:σ鍵(“頭碰頭”重疊)和π鍵(“肩碰肩”重疊)、極性鍵和非極性鍵,還有一類特殊的共價(jià)鍵-配位鍵。

  高二化學(xué)選修三知識(shí)點(diǎn)(二)

  了解極性鍵和非極性鍵,了解極性分子和非極性分子及其性質(zhì)的差異.

  (1)共價(jià)鍵:原子間通過(guò)共用電子對(duì)形成的化學(xué)鍵.

  (2)鍵的極性:

  極性鍵:不同種原子之間形成的共價(jià)鍵,成鍵原子吸引電子的能力不同,共用電子對(duì)發(fā)生偏移.

  非極性鍵:同種原子之間形成的共價(jià)鍵,成鍵原子吸引電子的能力相同,共用電子對(duì)不發(fā)生偏移.

  (3)分子的極性:

 ?、贅O性分子:正電荷中心和負(fù)電荷中心不相重合的分子.

  非極性分子:正電荷中心和負(fù)電荷中心相重合的分子.

 ?、诜肿訕O性的判斷:分子的極性由共價(jià)鍵的極性及分子的空間構(gòu)型兩個(gè)方面共同決定。

  高二化學(xué)選修三知識(shí)點(diǎn)(三)

  1.電子云:用小黑點(diǎn)的疏密來(lái)描述電子在原子核外空間出現(xiàn)的機(jī)會(huì)大小所得的圖形叫電子云圖.離核越近,電子出現(xiàn)的機(jī)會(huì)大,電子云密度越大;離核越遠(yuǎn),電子出現(xiàn)的機(jī)會(huì)小,電子云密度越小.

  電子層(能層):根據(jù)電子的能量差異和主要運(yùn)動(dòng)區(qū)域的不同,核外電子分別處于不同的電子層.原子由里向外對(duì)應(yīng)的電子層符號(hào)分別為K、L、M、N、O、P、Q.

  原子軌道(能級(jí)即亞層):處于同一電子層的原子核外電子,也可以在不同類型的原子軌道上運(yùn)動(dòng),分別用s、p、d、f表示不同形狀的軌道,s軌道呈球形、p軌道呈紡錘形,d軌道和f軌道較復(fù)雜.各軌道的伸展方向個(gè)數(shù)依次為1、3、5、7.

  2.(構(gòu)造原理)

  了解多電子原子中核外電子分層排布遵循的原理,能用電子排布式表示1~36號(hào)元素原子核外電子的排布。

  (1).原子核外電子的運(yùn)動(dòng)特征可以用電子層、原子軌道(亞層)和自旋方向來(lái)進(jìn)行描述.在含有多個(gè)核外電子的原子中,不存在運(yùn)動(dòng)狀態(tài)完全相同的兩個(gè)電子。

  (2).原子核外電子排布原理.

 ?、?能量最低原理:電子先占據(jù)能量低的軌道,再依次進(jìn)入能量高的軌道?;瘜W(xué)選修3知識(shí)點(diǎn)總結(jié)②.泡利不相容原理:每個(gè)軌道最多容納兩個(gè)自旋狀態(tài)不同的電子。

 ?、?洪特規(guī)則:在能量相同的軌道上排布時(shí),電子盡可能分占不同的軌道,且自旋狀態(tài)相同. 洪特規(guī)則的特例:在等價(jià)軌道的全充滿、半充滿、全空時(shí)的狀態(tài),具有較低的能量和較大的穩(wěn)定性。

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